Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (3)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (1)Изобретения уральских ученых (4)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (11)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (59)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (14)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (13)Расплавы (4)Публикации Чарушина В.Н. (18)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (3)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ТОЛЩИНА<.>)
Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Использование сверхмногослойных наноструктур для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую [Текст] / В. Б. Ануфриенко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 8. - С. 30-38 : рис., табл. - Библиогр.: с. 37-38 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВТОРИЧНЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ -- ПРЯМОЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЕ -- МНОГОСЛОЙНЫЕ МЕТАЛЛЫ
Аннотация: Рассмотрено применение нанотехнологий для решения одной из проблем прямого преобразования ядерной энергии в электрическую, минуя тепловую стадию преобразования. Установлено, что применение тонких слоев (толщина в десятки нанометров) в ячейке преобразователя ядерной энергии в электрическую позволяет примерно на два порядка повысить КПД преобразователя, работающего на вторичных электронах, по сравнению с ячейкой с "толстыми слоями". Обоснована целесообразность изготовления гибридных источников тока, включающих в себя преобразователи энергии на вторичных электронах и суперконденсаторы

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 58


   
    Влияние условий формирования и толщины слоев на термодеформационные характеристики полиимид-кремниевых упруго-шарнирных балок тепловых актюаторов / А. С. Корпухин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 2. - С. 34-40 : рис. - Библиогр. : с. 40 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АКТЮАТОР ТЕПЛОВОЙ -- ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЕРМОДЕФОРМАЦИОННЫЕ -- КРЕМНИЙ -- ПОЛИИМИД
Аннотация: Исследовано влияние условий формирования и толщины полиимидного слоя, состояния балки в процессе его имидизации, а также природы и толщины функционального металлического слоя на начальный угол отклонения слоистых композиционных упруго-шарнирных полиимид-кремниевых консольных балок тепловых актюаторов и его изменение при нагревании и охлаждении. Установлено, что с точки зрения направленного регулирования этих характеристик важнейшую роль играют температура имидизации и толщина полиимидных слоев в упруго-шарнирной области, а также свободное или заневоленное состояние балок в процессе имидизации. Функциональные слои металлов толщиной порядка 0,1 мкм незначительно влияют на термодеформационные характеристики балок, а при увеличении их толщины - резко ухудшают эти параметры

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Н 25


   
    Наноструктура тонких пленок композита кремний - углерод, полученных методом магнетронного распыления / Л. Ю. Куприянов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 9-10. - С. 120-124 : рис., табл. - Библиогр. : с. 124 (16 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ -- НАНОСТРУКТУРА -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- НАНОСТРУКТУРА ТОНКИХ ПЛЕНОК -- НАНОКОМПОЗИТ КРЕМНИЙ-УГЛЕРОД
Аннотация: Методом послойного магнетронного распыления получены тонкие пленки нанокомпозита кремний - углерод. Толщина пленок составляет 110-470 нм, и они имеют слоистую наноструктуру, образованную слоями кремния и углерода толщиной 7-10 нм каждый. Рентгенографические исследования показали присутствие в составе пленок кристаллической фазы карбида кремния, образующегося на границах слоев. Спектры зеркального отражения в диапазоне 200-2500 нм содержат ряд максимумов, которые могут быть отнесены к спектрам поглощения аморфного кремния, аморфного углерода и разупорядоченного карбида кремния. Особенности спектров ИК поглощения указывают на возможность образования графеновых фаз низкой размерности в области контактов слоев кремния и углерода. Сделан вывод, что изученные пленки могут рассматриваться как перспективная база для разработки электродов литиевых батарей с улучшенными характеристиками

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 47


   
    Эллипсометрическая характеризация структур Si-SiO2 / В. П. Гавриленко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 42-45 : рис., табл. - Библиогр. : с. 45 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛИПСОМЕТРИЯ -- ПОГРЕШНОСТЬ ИЗМЕРЕНИЙ -- СЛОЙ ПЕРЕХОДНОЙ В СИСТЕМЕ "ПЛЕНКА - ПОДЛОЖКА"
Аннотация: Рассмотрены диагностические возможности метода эллипсометрии в применении к системе, представляющей собой пленку оксида кремния на кремнии, широко используемой в наноэлектронике. Для конкретных образцов, содержащих пленку оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, определены с высокой точностью все основные параметры пленки и подложки: толщина пленки, показатели преломления пленки и подложки, коэффициент поглощения подложки. Экспериментально показано, что с помощью метода эллипсометрии можно контролировать наличие (или отсутствие) дополнительного переходного слоя между пленкой и подложкой

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исследование физико-химических свойств поверхности политетрафторэтилена методом ик-спектроэллипсометрии / М. О. Макеев [и др.] // Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 27-32 : рис., табл. - Библиогр. : с. 32 (29 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ИК-СПЕКТРОЭЛЛИПСОМЕТРИЯ -- ПТФЭ -- МОДИФИКАЦИЯ В НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЕ -- КОНСТАНТЫ ОПТИЧЕСКИЕ -- ШЕРОХОВАТОСТЬ -- МОДЕЛЬ ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКАЯ
Аннотация: Методом ИК-спектроэллипсометрии проведено исследование воздействия низкотемпературной плазмы на поверхность ПТФЭ. Определена толщина модифицированного в плазме слоя, его оптические константы, а также изучено изменение шероховатости поверхности образца. Установлено, что толщина шероховатого слоя в результате обработки уменьшается от 380 + 19 нм до 353 + 16 нм, а толщина модифицированного слоя под шероховатым составляет 732 + 37 нм

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ч-19


    Чаплыгин, Ю. А.
    Исследование влияния конструктивных параметров кантилеверов на чувствительность метода магнитной силовой микроскопии / Ю. А. Чаплыгин, В. И. Шевяков // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 71-75 : рис., табл. - Библиогр.: с. 75 (12 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАНТИЛЕВЕР -- МЕТОД МАГНИТНОЙ СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ -- ТОЛЩИНА МАГНИТНОГО ПОКРЫТИЯ -- ЧАСТИЦЫ ЖЕЛЕЗА -- МИКРОСКОП
Аннотация: Представлены результаты исследования влияния конструктивных параметров кантилеверов на чувствительность метода магнитной силовой микроскопии. Показано, что для обеспечения максимальной чувствительности метода необходимо использовать кантилеверы с толщиной магнитного покрытия и жесткостью балки, лежащей в диапазоне от 0.1 до 1.0 Н/м. При использовании данных кантилеверов удалось зарегистрировать локально расположенные однодоменные частицы железа размером ~50 нм

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   У 18


    Уваров, И. В.
    Особенности изготовления металлических кантилеверов наноразмерной толщины / И. В. Уваров, В. В. Наумов, И. И. Амиров // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 5-9. - Библиогр.: с. 9 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ -- НАНОКОНТИЛЕВЕР -- ПЛАЗМЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ОСТАТОЧНЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ -- ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ -- ПОВЕРХНОСТЬ
Аннотация: Представлена методика изготовления металлических нанокантилеверов. Кантилеверы имели трехслойную структуру и изготавливались в двух вариантах: Cr/Al/Cr и Ti/Al/Ti. Толщина кантилеверов составляла 40, 80 и 120 нм. Отношение длины кантилевера к толщине достигало 2500. Освобождение кантилеверов выполнялось путем травления жертвенного слоя в плазме SFfi. При изготовлении кантилеверов Cr/Al/Cr применялся вакуумный термический отжиг. Для кантилеверов Ti/Al/Ti важным моментом являлся подбор режима освобождения

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 73


   
    Многослойные наноструктуры с эффектом гигантского магнетосопротивления / А. Ф. Вяткин, В. Н. Матвеев, В. Т. Волков, О. В. Кононенко, В. И. Левашов, В. Г. Ерёменко, В. В. Амеличев, Д. В. Костюк, И. И. Ходос // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 26-29. - Библиогр.: с. 29 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МНОГОСЛОЙНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ -- ЭФФЕКТ ГИГАНТСКОГО МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЯ
Аннотация: Квантово-механический эффект гигантского магнетосопротивления (ГМС) наблюдался в целом ряде многослойных магнитных материалов. Многослойные структуры, в которых появляется данный эффект, состоят из последовательно осажденных тонких ферромагнитных слоев, разделенных доводящим немагнитным слоем. Магнитные характеристики таких материалов зависят от структуры осажденных слоев, состояния межфазных границ между слоями и в значительной степени от немагнитного слоя, толщина которого требует высокой точности. С помощью электронно-лучевого и лазерного осаждения, просвечивающей электронной микроскопии и атомно-силовой микроскопии были получены и исследованы структуры Ta—NiFe—Cu—Co—FeMn—Ta. При оптимизации толщины медного разделительного слоя удалось поднять значение ГМС до 5% в продольном поле 10...20 Э

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-75


   
    Особенности применения магниторезистивных наноструктур в датчиках автомобильных электронных систем / В. А. Беспалов, Н. А. Дюжев, А. С. Юров, М. Ю. Чиненков, Н. С. Мазуркин // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 48-54. - Библиогр.: с. 54 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АНИЗОТРОПНОЕ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ДАТЧИК ОБОРОТОВ -- ДАТЧИК УГЛОВОГО ПОЛОЖЕНИЯ -- МАГНИТОРЕЗИСТОР -- НЭМС -- МЭМС
Аннотация: Рассматриваются пути применения магниторезистивных наноструктур на основе анизотропных пленок пермаллоя Ni (80 %) Fe (20 %) в автомобильных датчиках. Чувствительный элемент датчиков представляет собой четыре магниторезистора в форме меандра, соединенных в мостовую схему. Характерная толщина слоя пермаллоя в экспериментальных образцах магниторезисторов составляет 50...100 нм. Приводятся характеристики экспериментальных образцов чувствительных элементов. Показана возможность использования подобных чувствительных элементов для построения датчиков оборотов и углового положения

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 58


   
    Создание многослойных структур на основе ALQ 3 и исследование их свойств / Д. А. Заярский, А. А. Невешкин, В. Б. Байбурин, Ю. П. Слаповская // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 4. - С. 30-33. - Библиогр.: с. 33 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛИМЕРНЫЕ ПОКРЫТИЯ -- ТРИ-8-ОКСИХИНАЛИН АЛЮМИНИЯ -- МДМ-СТРУКТУРА
Аннотация: Приведена методика формирования тонкопленочных полимерных покрытий на основе три-8-оксихиналин алюминия (Alq 3) и параметры оптимального режима нанесения, при котором толщина покрытий находится в пределах 100 нм. Создана многослойная тонкопленочная МДМ-структура на основе Alq 3 и исследованы ее электрофизические свойства

Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика