Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (8)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (4)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (5)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ТРАВЛЕНИЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-23 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 79

   
    Формирование интегрированных наноразмерных графеновых структур при фокусированном ионном травлении / И. И. Бобринецкий, К. В. Горшков, В. К. Неволин, К. А. Царик // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , № 5-6 . - С. 66-70 : рис. - Библиогр. : с. 70 (15 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРЫ НАНОРАЗМЕРНЫЕ ГРАФЕНОВЫЕ ИНТЕГРИРОВАННЫЕ -- ТРАВЛЕНИЕ ИОННОЕ ФОКУСИРОВАННОЕ -- ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ -- СУЖЕНИЯ КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ
Аннотация: Разработаны ионно-пучковые методы формирования наноструктур в мультиграфеновых слоях, интегрированных с системой токоподводящих электродов в процессе групповых микроэлектронных технологий. Результаты демонстрируют возможность утонения структур до единиц графеновых слоев и формирования квазиодномерных сужений в них

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   У 18

    Уваров, И. В.
    Особенности изготовления металлических кантилеверов наноразмерной толщины / И. В. Уваров, В. В. Наумов, И. И. Амиров // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 5-9. - Библиогр.: с. 9 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
538.9
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ -- НАНОКОНТИЛЕВЕР -- ПЛАЗМЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ОСТАТОЧНЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ -- ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ -- ПОВЕРХНОСТЬ
Аннотация: Представлена методика изготовления металлических нанокантилеверов. Кантилеверы имели трехслойную структуру и изготавливались в двух вариантах: Cr/Al/Cr и Ti/Al/Ti. Толщина кантилеверов составляла 40, 80 и 120 нм. Отношение длины кантилевера к толщине достигало 2500. Освобождение кантилеверов выполнялось путем травления жертвенного слоя в плазме SFfi. При изготовлении кантилеверов Cr/Al/Cr применялся вакуумный термический отжиг. Для кантилеверов Ti/Al/Ti важным моментом являлся подбор режима освобождения

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 56

    Томош, К. Н.
    Характеристики и использование вч и свч разрядов при создании твердотельных полупроводниковых приборов / К. Н. Томош // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 47-52 : рис. - Библиогр.: с. 52 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
621.382.002
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛАЗМА -- СВЧ РАЗРЯД -- ВЧ РАЗРЯД -- РЕАКТОР -- МАГНИТНОЕ ПОЛЕ -- ТРАВЛЕНИЕ
Аннотация: Представлена информация обзорного характера о применении плазмы ВЧ и СВЧ разряда в технологических процессах производства изделий электронной техники. Указаны области технического применения СВЧ разрядов и основные характеристики структур, формируемых под их воздействием

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 48

    Ткачева, А. А.
    Плазменное травление GaN и его твердых растворов: достижения и перспективы / А. А. Ткачева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 21-25 : табл. - Библиогр.: с. 25 (12 назв.) . -
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТРАВЛЕНИЕ СУХОЕ -- НИТРИД ГАЛЛИЯ -- GAN -- ПЛАЗМА ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННАЯ
Аннотация: Представлен обзор материалов по плазменному травлению GaN и твердых растворов на его основе, включающий описание различных источников, режимов и газов, применяемых плазменном травлении материалов нитридной группы, вопросы качества травления, а также применение плазменного травления в технологии производства современных НЕМТ-транзисторов

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 38

   
    Технологии формирования и применение нанослоев и нанопористых композиций Аl 2О 3 для микро-и нанотехники / Т. М. Зимина, Е. Н. Муратова, Ю. М. Спивак, В. Е. Дрозд, А. А. Романов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 12. - С. 15-24 : рис., табл. - Библиогр.: с. 24 (52 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
БИОСЕНСОРЫ -- ЛАБОРАТОРИИ НА ЧИПЕ -- АНОДИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКРЕ -- СБОРКА АТОМНО-МОЛЕКУЛЯРНАЯ ХИМИЧЕСКАЯ -- НАНОСЛОИ ОКСИДА АЛЮМИНИЯ -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ ПОРИСТЫЙ
Аннотация: Рассмотрены основные технологические подходы формирования нанослоев и композиций с различными характеристиками на основе оксида алюминия, а именно, атомно-молекулярное наслаивание и электрохимическое травление. Приведен краткий обзор основных современных областей применения оксида алюминия в форме нанослоевых композиций, нанопористых композиций, модифицированных металлом, и макропористых систем

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 36

   
    Тест-объекты с прямоугольным и трапециевидным профилями рельефа для растровой электронной и атомно-силовой микроскопии [Текст] / В. Гавриленко [и др.] // Наноиндустрия. - 2008. - № 4. - С. 24-30 : рис., табл. - Библиогр.: с. 30 (14 назв.) . - ISSN 1993-8578
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗОНД -- АНИЗОТРОПНОЕ ТРАВЛЕНИЕ
Аннотация: В конце XX и начале XXI века экономику высокоразвитых стран характеризует освоение высоких технологий, главная из которых - нанотехнология. Она оперирует с размерами, лежащими в диапазоне 1-100 нм, что требует обеспечения единства линейных измерений в нанометровом диапазоне. В мировой практике линейные измерения в нанометрической области осуществляются на растровых электронных (РЭМ) [2-4] и атомно-силовых (АСМ) [5-7] микроскопах. Для калибровки РЭМ и АСМ в качестве тест-объектов используются периодические [3], шаговые [2, 8] и одиночные [4] рельефные структуры на поверхности твердого тела

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 71

   
    Спектральный контроль процесса травления арсенида галлия в хлороводороде / А. В. Дунаев, С. А. Пивоваренок, С. П. Капинос, А. М. Ефремов, В. И. Светцов // Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 93-95 : рис. - Библиогр.: с. 95 (5 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТРАВЛЕНИЕ -- КОНТРОЛЬ -- СПЕКТР -- ХЛОРОВОДОРОД -- ТРАВЛЕНИЕ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Аннотация: Было выполнено исследование спектров плазмохимического травления GaAs в HCl. На обзорных спектрах выбраны контрольные линии и полосы. На временных зависимостях интенсивности излучения продуктов травления (в частности, линии атомарного Ga) в начале процесса обработки наблюдается нестационарный участок продолжительностью около 1 мин. Соотношение интенсивности излучения продуктов и скорости травления носит прямопропорциональный характер. Это свидетельствует о возможности спектрального контроля процесса травления в реальном времени

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 29

   
    Селективное травление меди в технологии анализа отказов ИМС с проводниками на основе меди / Р. А. Милованов, Е. А. Кельм, О. А. Косичкин, Н. А. Ляпунов // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 30-32. - Библиогр.: с. 32 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
621.38+533.9
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АНАЛИЗ ОТКАЗОВ -- СИСТЕМА МЕЖСОЕДИНЕНИЙ -- МЕДЬ -- ЖИДКОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- СУХОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ДИФФУЗИОННО-БАРЬЕРНЫЙ СЛОЙ
Аннотация: Одним из этапов анализа отказов микросхем с системой межсоединений на основе меди является удаление слоя проводников. При этом основным требованием, которое предъявляется к процедуре травления, является селективность к диффузионно-барьерному слою, обеспечивающая полное удаление слоя проводников без повреждения нижележащего слоя. В работе рассмотрены подходы по селективному травлению медных проводников на основе использования методов жидкого и сухого травления. Результаты исследований показаны на примере кристаллов ПЛИС Virtex-4 фирмы Xilinx

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 37

   
    Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде / С. А. Пивоваренок [и др.] // Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 69-71 : рис. - Библиогр. : с. 71 (6 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТРАВЛЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНОЕ GAAS -- ПЛАЗМА -- ХЛОР -- ХЛОРОВОДОРОД
Аннотация: Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и хлороводорода применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС. Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, который является одним из самых перспективных материалов электроники будущего. Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. Кроме этого, GaAs является основным материалом квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе AlGaAs [1]

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-75

   
    ОСобенности формирования маски пористого анодного оксида алюминия для плазменного локального травления кремния / А. Н. Белов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 11-12. - С. 48-52 : рис. - Библиогр. : с. 52 (12 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- ТРАВЛЕНИЕ -- ТРАВЛЕНИЕ ПЛАЗМЕННОЕ ЛОКАЛЬНОЕ -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ АНОИДНЫЙ ПОРИСТЫЙ -- МАСКА ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ
Аннотация: Исследованы особенности формирования маски пористого оксида алюминия для нанопрофилирования кремния. Показано влияние микроморфологии на границе раздела в анодированной двухслойной структуре Al - Ti на характер локального травления кремния. Выявлена корреляция аспектного отношения пор оксида алюминия с геометрическими параметрами формируемых плазменным травлением в кремнии локальных углублений

Найти похожие
 1-10    11-20   21-23 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика