Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (8)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (4)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (5)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ТРАВЛЕНИЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-23 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 56

    Томош, К. Н.
    Характеристики и использование вч и свч разрядов при создании твердотельных полупроводниковых приборов / К. Н. Томош // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 47-52 : рис. - Библиогр.: с. 52 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
621.382.002
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛАЗМА -- СВЧ РАЗРЯД -- ВЧ РАЗРЯД -- РЕАКТОР -- МАГНИТНОЕ ПОЛЕ -- ТРАВЛЕНИЕ
Аннотация: Представлена информация обзорного характера о применении плазмы ВЧ и СВЧ разряда в технологических процессах производства изделий электронной техники. Указаны области технического применения СВЧ разрядов и основные характеристики структур, формируемых под их воздействием

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 89

    Кузнецова, М. А.
    Формирование карбидокремниевых автоэмиссионных острий методом остросфокусированного ионного пучка / М. А. Кузнецова, В. В. Лучинин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 12. - С. 35-40 : рис., табл. - Библиогр.: с. 40 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПУЧОК ИОННЫЙ -- ДИОД -- ТРАВЛЕНИЕ ИОННО-СТИМУЛИРОВАННОЕ -- ОСАЖДЕНИЕ ИОННО-СТИМУЛИРОВАННОЕ -- ЭМИССИЯ АВТОЭЛЕКТРОННАЯ -- КАРБИД КРЕМНИЯ
Аннотация: Представлены результаты комплексного анализа возможностей и ограничений на применение остросфокусированного ионного пучка для объектов микросистемной техники (МСТ) и различных методов исследований. Детально проанализированы особенности применения данной технологии на примере создания карбидокремниевых автоэмиссионных острий и диодных структур на их основе

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 79

   
    Формирование интегрированных наноразмерных графеновых структур при фокусированном ионном травлении / И. И. Бобринецкий, К. В. Горшков, В. К. Неволин, К. А. Царик // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , № 5-6 . - С. 66-70 : рис. - Библиогр. : с. 70 (15 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРЫ НАНОРАЗМЕРНЫЕ ГРАФЕНОВЫЕ ИНТЕГРИРОВАННЫЕ -- ТРАВЛЕНИЕ ИОННОЕ ФОКУСИРОВАННОЕ -- ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ -- СУЖЕНИЯ КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ
Аннотация: Разработаны ионно-пучковые методы формирования наноструктур в мультиграфеновых слоях, интегрированных с системой токоподводящих электродов в процессе групповых микроэлектронных технологий. Результаты демонстрируют возможность утонения структур до единиц графеновых слоев и формирования квазиодномерных сужений в них

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 89

    Кузнецова, М. А.
    Физико-технологические основы применения наноразмерной ионно-лучевой технологии при создании изделий микро- и наносистемной техники / М. А. Кузнецова, В. В. Лучинин, А. Ю. Савенко // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 8. - С. 24-32 : рис. - Библиогр. : с. 32 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ОСАЖДЕНИЕ -- ИОННЫЙ ПУЧОК

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 91

    Мустафаев, А. Г.
    Управление технологическим процессом формирования структур интегральных элементов / А. Г. Мустафаев, А. М. Савинова, П. М. Мирзаева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 20-23 : рис. - Библиогр. : с. 23 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
УПРАВЛЕНИЕ ПРОЦЕССОМ -- ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ -- ПРОЦЕСС ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ -- МОДЕЛЬ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА
Аннотация: Современные технологические процессы формирования структур интегральных элементов обеспечиваются использованием низкотемпературных неравновесных импульсных и радиационно-стимулированных технологических операций. Решение задачи управления технологическими процессами основывается на понимании взаимосвязи между свойствами изделий, особенностями технологии их изготовления и характеристиками оборудования, с помощью которого реализуется эта технология. Разработанные подходы управления технологическими процессами позволяют исключить субъективный фактор и повысить эффективность систем управления. Показано, что основными технологическими операциями, существенно влияющими на выходные характеристики интегральных элементов при их производстве, являются ионная имплантация, отжиг, травление. Исследование и моделирование процессов на этих операциях позволяют выработать рекомендации по управлению и разработать алгоритмы эффективного управления технологическими процессами формирования структур интегральных элементов

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 38

   
    Технологии формирования и применение нанослоев и нанопористых композиций Аl 2О 3 для микро-и нанотехники / Т. М. Зимина, Е. Н. Муратова, Ю. М. Спивак, В. Е. Дрозд, А. А. Романов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 12. - С. 15-24 : рис., табл. - Библиогр.: с. 24 (52 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
БИОСЕНСОРЫ -- ЛАБОРАТОРИИ НА ЧИПЕ -- АНОДИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКРЕ -- СБОРКА АТОМНО-МОЛЕКУЛЯРНАЯ ХИМИЧЕСКАЯ -- НАНОСЛОИ ОКСИДА АЛЮМИНИЯ -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ ПОРИСТЫЙ
Аннотация: Рассмотрены основные технологические подходы формирования нанослоев и композиций с различными характеристиками на основе оксида алюминия, а именно, атомно-молекулярное наслаивание и электрохимическое травление. Приведен краткий обзор основных современных областей применения оксида алюминия в форме нанослоевых композиций, нанопористых композиций, модифицированных металлом, и макропористых систем

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 36

   
    Тест-объекты с прямоугольным и трапециевидным профилями рельефа для растровой электронной и атомно-силовой микроскопии [Текст] / В. Гавриленко [и др.] // Наноиндустрия. - 2008. - № 4. - С. 24-30 : рис., табл. - Библиогр.: с. 30 (14 назв.) . - ISSN 1993-8578
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗОНД -- АНИЗОТРОПНОЕ ТРАВЛЕНИЕ
Аннотация: В конце XX и начале XXI века экономику высокоразвитых стран характеризует освоение высоких технологий, главная из которых - нанотехнология. Она оперирует с размерами, лежащими в диапазоне 1-100 нм, что требует обеспечения единства линейных измерений в нанометровом диапазоне. В мировой практике линейные измерения в нанометрической области осуществляются на растровых электронных (РЭМ) [2-4] и атомно-силовых (АСМ) [5-7] микроскопах. Для калибровки РЭМ и АСМ в качестве тест-объектов используются периодические [3], шаговые [2, 8] и одиночные [4] рельефные структуры на поверхности твердого тела

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-42

    Одиноков, В.
    Специальное оборудование для нанесения пленок и отжига материалов / В. Одиноков, Ю. Бараник, В. Рагузин // Наноиндустрия. - 2009. - № 3. - С. 4-8 : ил. - . - ISSN 1993-8578
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВАКУУМНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ -- ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 71

   
    Спектральный контроль процесса травления арсенида галлия в хлороводороде / А. В. Дунаев, С. А. Пивоваренок, С. П. Капинос, А. М. Ефремов, В. И. Светцов // Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 93-95 : рис. - Библиогр.: с. 95 (5 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТРАВЛЕНИЕ -- КОНТРОЛЬ -- СПЕКТР -- ХЛОРОВОДОРОД -- ТРАВЛЕНИЕ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Аннотация: Было выполнено исследование спектров плазмохимического травления GaAs в HCl. На обзорных спектрах выбраны контрольные линии и полосы. На временных зависимостях интенсивности излучения продуктов травления (в частности, линии атомарного Ga) в начале процесса обработки наблюдается нестационарный участок продолжительностью около 1 мин. Соотношение интенсивности излучения продуктов и скорости травления носит прямопропорциональный характер. Это свидетельствует о возможности спектрального контроля процесса травления в реальном времени

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 29

   
    Селективное травление меди в технологии анализа отказов ИМС с проводниками на основе меди / Р. А. Милованов, Е. А. Кельм, О. А. Косичкин, Н. А. Ляпунов // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 30-32. - Библиогр.: с. 32 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
621.38+533.9
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АНАЛИЗ ОТКАЗОВ -- СИСТЕМА МЕЖСОЕДИНЕНИЙ -- МЕДЬ -- ЖИДКОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- СУХОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ДИФФУЗИОННО-БАРЬЕРНЫЙ СЛОЙ
Аннотация: Одним из этапов анализа отказов микросхем с системой межсоединений на основе меди является удаление слоя проводников. При этом основным требованием, которое предъявляется к процедуре травления, является селективность к диффузионно-барьерному слою, обеспечивающая полное удаление слоя проводников без повреждения нижележащего слоя. В работе рассмотрены подходы по селективному травлению медных проводников на основе использования методов жидкого и сухого травления. Результаты исследований показаны на примере кристаллов ПЛИС Virtex-4 фирмы Xilinx

Найти похожие
 1-10    11-20   21-23 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика