Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (8)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (4)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (5)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ТРАВЛЕНИЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-23 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 75

   
    Ионно-лучевое травление как промежуточная стадия при удалении пассивируюших слоев микросхем в рамках технологии анализа отказов / Д. А. Абдуллаев, А. А. Зайцев, Е. А. Кельм, Р. А. Милованов // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 35-39. - Библиогр.: с. 39 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
53.06
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- РЕАКТИВНО-ИОННОЕ ПЛАЗМЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ПЛАНАРИЗАЦИЯ МИКРОМЕТРОВОГО РЕЛЬЕФА СБИС -- ТЕХНОЛОГИЯ АНАЛИЗА ОТКАЗОВ
Аннотация: Представлены результаты серии экспериментов по удалению пассивации СБИС с промежуточной планаризацией субмикрометрового рельефа методами ионно-лучевого травления в рамках технологии анализа отказов. Определены оптимальные параметры планаризации микрометрового рельефа

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Г 16

    Галперин, В. А.
    Исследование процесса контролируемого плазменного сокращения размеров затвора / В. А. Галперин, Н. А. Разживин // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 12-15 : табл., граф. - Библиогр.: с. 15 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
621.9.047.7
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РЕАКТИВНО-ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ПЛАЗМА -- ПРОФИЛЬ ТРАВЛЕНИЯ -- ТРИММИНГ РЕЗИСТА
Аннотация: Приведены результаты исследования процесса тримминга маски, протекающих механизмов реакций и совместимости с процессом травления поликремния. Получены зависимости и оптимальные значения основных технологических параметров стадий, определяющих качество процесса. Проведена оценка влияния параметров и реагентов стадии тримминга на получаемый линейный размер формируемых элементов поликремния, равномерность и минимизацию эффекта микрозагрузки. Сформирован комплекс мер по оптимизации и стабилизации процесса и получению профиля травления с требуемым размером формируемых элементов в условиях опытного производства

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 41

   
    Кинетика травления неорганического "жертвенного" слоя при изготовлении чувствительных элементов инерциальных датчиков по технологии кремний-на-изоляторе / Н. Ю. Фирсова, А. С. Елшин, М. А. Марченкова, А. К. Болотов, М. С. Иванов, И. П. Пронин, С. В. Сенкевич, Д. А. Киселев, Е. Д. Мишина // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 7. - С. 38-43. - Библиогр.: с. 42 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
546.284-31 + 531.768 + 531.77
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
"ЖЕРТВЕННЫЙ" СЛОЙ -- ДИОКСИД КРЕМНИЯ -- ТРАВЛЕНИЕ -- ПЛАВИКОВАЯ КИСЛОТА
Аннотация: Исследован процесс травления неорганического "жертвенного" слоя в трехслойных подложках кремний-на-изоляторе. Представлены результаты исследования кинетики травления диоксида кремния в парах водного раствора плавиковой кислоты в зависимости от продолжительности процесса и температуры поверхности образцов. Показано увеличение скорости процесса по мере травления и при уменьшении температуры

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 59

   
    Микроэлектромеханические коммутаторы для радиочастотных устройств / В. А. Власенко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 30-34 : рис., табл. - Библиогр. : с. 34 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
ФАЗОВРАЩАТЕЛИ -- ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЙ -- ПЛЕНКИ АЛМАЗОПОДОБНЫЕ -- ПЛЕНКИ УГЛЕРОДНЫЕ -- ТРАВЛЕНИЕ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ -- СИСТЕМА РАЗНОЧАСТОТНАЯ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКАЯ

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   У 18

    Уваров, И. В.
    Особенности изготовления металлических кантилеверов наноразмерной толщины / И. В. Уваров, В. В. Наумов, И. И. Амиров // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 5-9. - Библиогр.: с. 9 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
538.9
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ -- НАНОКОНТИЛЕВЕР -- ПЛАЗМЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ОСТАТОЧНЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ -- ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ -- ПОВЕРХНОСТЬ
Аннотация: Представлена методика изготовления металлических нанокантилеверов. Кантилеверы имели трехслойную структуру и изготавливались в двух вариантах: Cr/Al/Cr и Ti/Al/Ti. Толщина кантилеверов составляла 40, 80 и 120 нм. Отношение длины кантилевера к толщине достигало 2500. Освобождение кантилеверов выполнялось путем травления жертвенного слоя в плазме SFfi. При изготовлении кантилеверов Cr/Al/Cr применялся вакуумный термический отжиг. Для кантилеверов Ti/Al/Ti важным моментом являлся подбор режима освобождения

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-75

   
    ОСобенности формирования маски пористого анодного оксида алюминия для плазменного локального травления кремния / А. Н. Белов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 11-12. - С. 48-52 : рис. - Библиогр. : с. 52 (12 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- ТРАВЛЕНИЕ -- ТРАВЛЕНИЕ ПЛАЗМЕННОЕ ЛОКАЛЬНОЕ -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ АНОИДНЫЙ ПОРИСТЫЙ -- МАСКА ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ
Аннотация: Исследованы особенности формирования маски пористого оксида алюминия для нанопрофилирования кремния. Показано влияние микроморфологии на границе раздела в анодированной двухслойной структуре Al - Ti на характер локального травления кремния. Выявлена корреляция аспектного отношения пор оксида алюминия с геометрическими параметрами формируемых плазменным травлением в кремнии локальных углублений

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 37

   
    Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде / С. А. Пивоваренок [и др.] // Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 69-71 : рис. - Библиогр. : с. 71 (6 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТРАВЛЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНОЕ GAAS -- ПЛАЗМА -- ХЛОР -- ХЛОРОВОДОРОД
Аннотация: Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и хлороводорода применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС. Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, который является одним из самых перспективных материалов электроники будущего. Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. Кроме этого, GaAs является основным материалом квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе AlGaAs [1]

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 48

    Ткачева, А. А.
    Плазменное травление GaN и его твердых растворов: достижения и перспективы / А. А. Ткачева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 21-25 : табл. - Библиогр.: с. 25 (12 назв.) . -
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТРАВЛЕНИЕ СУХОЕ -- НИТРИД ГАЛЛИЯ -- GAN -- ПЛАЗМА ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННАЯ
Аннотация: Представлен обзор материалов по плазменному травлению GaN и твердых растворов на его основе, включающий описание различных источников, режимов и газов, применяемых плазменном травлении материалов нитридной группы, вопросы качества травления, а также применение плазменного травления в технологии производства современных НЕМТ-транзисторов

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Г 69

    Горнев, Е. С.
    Процесс реактивно-ионного травления контактных окон в смеси на основе C4F 8 для технологии менее 0,25 мкм / Е. С. Горнев, С. И. Янович // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 16-20 : граф., рис. - Библиогр.: с. 19 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
544.5
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РЕАКТИВНО-ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- C4F8 -- КОНТАКТНЫЕ ОКНА -- 0, 25 МКМ
Аннотация: Настоящая работа призвана показать, что при реактивно-ионном травлении в классических реакторах с вращающимся магнитным полем и использованием C 4F 8 в качестве основного травящего агента для травления контактных окон в технологических процессах создания интегральных схем с минимальными элементами от 0,25 мкм и менее не только применима, но и демонстрирует улучшение анализируемого процесса в отношении элементов с меньшими размерами. Кроме того, представленные в статье исследования могут быть полезны с методологической точки зрения при описании других процессов травления

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: 210424 - кх.
   648.4
   Г 16

    Галперин, Вячеслав Александрович.
    Процессы плазменного травления в микро-и нанотехнологиях [] : учеб. пособие для вузов / В. А. Галперин, Е. В. Данилкин, А. И. Мочалов ; под ред. С. П. Тимошенкова. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010. - 283 с. - (Нанотехнологии). - Библиогр.: с. 275-280. - ISBN 978-5-9963-0032-7 : 330.00 р.
ГРНТИ
47
ББК 648.441я73
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ

Найти похожие
 1-10    11-20   21-23 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика