Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (8)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (4)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (5)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ТРАВЛЕНИЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-23 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.002/Т 56
Автор(ы) : Томош К. Н.
Заглавие : Характеристики и использование вч и свч разрядов при создании твердотельных полупроводниковых приборов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 47-52: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 52 (8 назв.)
УДК : 621.382.002
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): плазма--свч разряд--вч разряд--реактор--магнитное поле--травление
Аннотация: Представлена информация обзорного характера о применении плазмы ВЧ и СВЧ разряда в технологических процессах производства изделий электронной техники. Указаны области технического применения СВЧ разрядов и основные характеристики структур, формируемых под их воздействием
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 89
Автор(ы) : Кузнецова М. А., Лучинин В. В.
Заглавие : Формирование карбидокремниевых автоэмиссионных острий методом остросфокусированного ионного пучка
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 12. - С. 35-40: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 40 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пучок ионный--диод--травление ионно-стимулированное--осаждение ионно-стимулированное--эмиссия автоэлектронная--карбид кремния
Аннотация: Представлены результаты комплексного анализа возможностей и ограничений на применение остросфокусированного ионного пучка для объектов микросистемной техники (МСТ) и различных методов исследований. Детально проанализированы особенности применения данной технологии на примере создания карбидокремниевых автоэмиссионных острий и диодных структур на их основе
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 79
Автор(ы) : Бобринецкий И. И., Горшков К. В., Неволин В. К., Царик К. А.
Заглавие : Формирование интегрированных наноразмерных графеновых структур при фокусированном ионном травлении
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , № 5-6 . - С. 66-70: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 70 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структуры наноразмерные графеновые интегрированные--травление ионное фокусированное--технологии микроэлектронные--сужения квазиодномерные
Аннотация: Разработаны ионно-пучковые методы формирования наноструктур в мультиграфеновых слоях, интегрированных с системой токоподводящих электродов в процессе групповых микроэлектронных технологий. Результаты демонстрируют возможность утонения структур до единиц графеновых слоев и формирования квазиодномерных сужений в них
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/К 89
Автор(ы) : Кузнецова М. А., Лучинин В. В., Савенко А. Ю.
Заглавие : Физико-технологические основы применения наноразмерной ионно-лучевой технологии при создании изделий микро- и наносистемной техники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 8. - С. 24-32: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 32 (8 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионно-лучевое травление--осаждение--ионный пучок
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 91
Автор(ы) : Мустафаев А. Г., Савинова А. М., Мирзаева П. М.
Заглавие : Управление технологическим процессом формирования структур интегральных элементов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 20-23: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 23 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Современные технологические процессы формирования структур интегральных элементов обеспечиваются использованием низкотемпературных неравновесных импульсных и радиационно-стимулированных технологических операций. Решение задачи управления технологическими процессами основывается на понимании взаимосвязи между свойствами изделий, особенностями технологии их изготовления и характеристиками оборудования, с помощью которого реализуется эта технология. Разработанные подходы управления технологическими процессами позволяют исключить субъективный фактор и повысить эффективность систем управления. Показано, что основными технологическими операциями, существенно влияющими на выходные характеристики интегральных элементов при их производстве, являются ионная имплантация, отжиг, травление. Исследование и моделирование процессов на этих операциях позволяют выработать рекомендации по управлению и разработать алгоритмы эффективного управления технологическими процессами формирования структур интегральных элементов
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 38
Автор(ы) : Зимина Т. М., Муратова Е. Н., Спивак Ю. М., Дрозд В. Е., Романов А. А.
Заглавие : Технологии формирования и применение нанослоев и нанопористых композиций Аl 2О 3 для микро-и нанотехники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 12. - С. 15-24: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 24 (52 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биосенсоры--лаборатории на чипе--анодирование электрохимическре--сборка атомно-молекулярная химическая--нанослои оксида алюминия --оксид алюминия пористый
Аннотация: Рассмотрены основные технологические подходы формирования нанослоев и композиций с различными характеристиками на основе оксида алюминия, а именно, атомно-молекулярное наслаивание и электрохимическое травление. Приведен краткий обзор основных современных областей применения оксида алюминия в форме нанослоевых композиций, нанопористых композиций, модифицированных металлом, и макропористых систем
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 36
Автор(ы) : Гавриленко В., Новиков Ю., Раков А., Тодуа П.
Заглавие : Тест-объекты с прямоугольным и трапециевидным профилями рельефа для растровой электронной и атомно-силовой микроскопии
Место публикации : Наноиндустрия. - 2008. - № 4. - С. 24-30: рис., табл. - ISSN 1993-8578. - ISSN 1993-8578
Примечания : Библиогр.: с. 30 (14 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электронный зонд--анизотропное травление
Аннотация: В конце XX и начале XXI века экономику высокоразвитых стран характеризует освоение высоких технологий, главная из которых - нанотехнология. Она оперирует с размерами, лежащими в диапазоне 1-100 нм, что требует обеспечения единства линейных измерений в нанометровом диапазоне. В мировой практике линейные измерения в нанометрической области осуществляются на растровых электронных (РЭМ) [2-4] и атомно-силовых (АСМ) [5-7] микроскопах. Для калибровки РЭМ и АСМ в качестве тест-объектов используются периодические [3], шаговые [2, 8] и одиночные [4] рельефные структуры на поверхности твердого тела
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/О-42
Автор(ы) : Одиноков В., Бараник Ю., Рагузин В.
Заглавие : Специальное оборудование для нанесения пленок и отжига материалов
Место публикации : Наноиндустрия. - 2009. - № 3. - С. 4-8: ил. - ISSN 1993-8578. - ISSN 1993-8578
Примечания :
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вакуумное оборудование--тонкие пленки--плазмохимическое травление
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 71
Автор(ы) : Дунаев А. В., Пивоваренок С. А., Капинос С. П., Ефремов А. М., Светцов В. И.
Заглавие : Спектральный контроль процесса травления арсенида галлия в хлороводороде
Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 93-95: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 95 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): травление--контроль --спектр--хлороводород--травление плазмохимическое--арсенид галлия
Аннотация: Было выполнено исследование спектров плазмохимического травления GaAs в HCl. На обзорных спектрах выбраны контрольные линии и полосы. На временных зависимостях интенсивности излучения продуктов травления (в частности, линии атомарного Ga) в начале процесса обработки наблюдается нестационарный участок продолжительностью около 1 мин. Соотношение интенсивности излучения продуктов и скорости травления носит прямопропорциональный характер. Это свидетельствует о возможности спектрального контроля процесса травления в реальном времени
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.38+533.9/С 29
Автор(ы) : Милованов Р. А., Кельм Е. А., Косичкин О. А., Ляпунов Н. А.
Заглавие : Селективное травление меди в технологии анализа отказов ИМС с проводниками на основе меди
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 30-32. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 32 (8 назв.)
УДК : 621.38+533.9
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): анализ отказов--система межсоединений--медь--жидкохимическое травление--сухое травление--диффузионно-барьерный слой
Аннотация: Одним из этапов анализа отказов микросхем с системой межсоединений на основе меди является удаление слоя проводников. При этом основным требованием, которое предъявляется к процедуре травления, является селективность к диффузионно-барьерному слою, обеспечивающая полное удаление слоя проводников без повреждения нижележащего слоя. В работе рассмотрены подходы по селективному травлению медных проводников на основе использования методов жидкого и сухого травления. Результаты исследований показаны на примере кристаллов ПЛИС Virtex-4 фирмы Xilinx
Найти похожие

 1-10    11-20   21-23 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика