Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (8)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (4)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (5)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ТРАВЛЕНИЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-23 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 36
Автор(ы) : Гавриленко В., Новиков Ю., Раков А., Тодуа П.
Заглавие : Тест-объекты с прямоугольным и трапециевидным профилями рельефа для растровой электронной и атомно-силовой микроскопии
Место публикации : Наноиндустрия. - 2008. - № 4. - С. 24-30: рис., табл. - ISSN 1993-8578. - ISSN 1993-8578
Примечания : Библиогр.: с. 30 (14 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электронный зонд--анизотропное травление
Аннотация: В конце XX и начале XXI века экономику высокоразвитых стран характеризует освоение высоких технологий, главная из которых - нанотехнология. Она оперирует с размерами, лежащими в диапазоне 1-100 нм, что требует обеспечения единства линейных измерений в нанометровом диапазоне. В мировой практике линейные измерения в нанометрической области осуществляются на растровых электронных (РЭМ) [2-4] и атомно-силовых (АСМ) [5-7] микроскопах. Для калибровки РЭМ и АСМ в качестве тест-объектов используются периодические [3], шаговые [2, 8] и одиночные [4] рельефные структуры на поверхности твердого тела
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/К 89
Автор(ы) : Кузнецова М. А., Лучинин В. В., Савенко А. Ю.
Заглавие : Физико-технологические основы применения наноразмерной ионно-лучевой технологии при создании изделий микро- и наносистемной техники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 8. - С. 24-32: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 32 (8 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионно-лучевое травление--осаждение--ионный пучок
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/М 59
Автор(ы) : Власенко В. А., Ефимов А. Г., Ильичев Э. А., Немировский В. Э., Полторацкий Э. А., Горячев А. В., Попков А. Ф., Фролова Г. В., Шупегин М. Л.
Заглавие : Микроэлектромеханические коммутаторы для радиочастотных устройств
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 30-34: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 34 (8 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/М 91
Автор(ы) : Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г.
Заглавие : Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 1. - С. 30-32: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 32 (6 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): канавка--травление
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/О-42
Автор(ы) : Одиноков В., Бараник Ю., Рагузин В.
Заглавие : Специальное оборудование для нанесения пленок и отжига материалов
Место публикации : Наноиндустрия. - 2009. - № 3. - С. 4-8: ил. - ISSN 1993-8578. - ISSN 1993-8578
Примечания :
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вакуумное оборудование--тонкие пленки--плазмохимическое травление
Найти похожие

6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 648.4/Г 16
Автор(ы) : Галперин, Вячеслав Александрович, Данилкин, Евгений Владимирович, Мочалов, Алексей Иванович
Заглавие : Процессы плазменного травления в микро-и нанотехнологиях : учеб. пособие для вузов
Выходные данные : М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010
Колич.характеристики :283 с
Серия: Нанотехнологии
Примечания : Библиогр.: с. 275-280
ISBN, Цена 978-5-9963-0032-7: 330.00 р.
ГРНТИ : 47
ББК : 648.441я73
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 79
Автор(ы) : Бобринецкий И. И., Горшков К. В., Неволин В. К., Царик К. А.
Заглавие : Формирование интегрированных наноразмерных графеновых структур при фокусированном ионном травлении
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , № 5-6 . - С. 66-70: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 70 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структуры наноразмерные графеновые интегрированные--травление ионное фокусированное--технологии микроэлектронные--сужения квазиодномерные
Аннотация: Разработаны ионно-пучковые методы формирования наноструктур в мультиграфеновых слоях, интегрированных с системой токоподводящих электродов в процессе групповых микроэлектронных технологий. Результаты демонстрируют возможность утонения структур до единиц графеновых слоев и формирования квазиодномерных сужений в них
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Л 87
Автор(ы) : Лучинин В. В., Усикова М. А.
Заглавие : Процессы препарирования при реинжиниринге изделий микротехники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 31-43: табл., рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 43 ( 8 наим.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): схема интегральная--препарирование--травление--кристалл
Аннотация: Внедрение процесса реинжиниринга в современную электронную промышленность предполагает разработку новых методик исследования объектов микротехники, а значит, применения новых технологических и аналитических методов препарирования в целях контроля топологии исследуемых систем. В работе наряду с разрушающими методами препарирования, такими как механическое вскрытие изделий микротехники с последующим удалением структурообразующих слоев, рассмотрены неразрушающие методы исследования с возможностью сохранения работоспособности системы для дальнейшего электрического анализа
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-75
Автор(ы) : Белов А. Н., Гаврилов С. А., Демидов Ю. А., Шевяков В. И.
Заглавие : ОСобенности формирования маски пористого анодного оксида алюминия для плазменного локального травления кремния
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 11-12. - С. 48-52: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 52 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Исследованы особенности формирования маски пористого оксида алюминия для нанопрофилирования кремния. Показано влияние микроморфологии на границе раздела в анодированной двухслойной структуре Al - Ti на характер локального травления кремния. Выявлена корреляция аспектного отношения пор оксида алюминия с геометрическими параметрами формируемых плазменным травлением в кремнии локальных углублений
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 37
Автор(ы) : Пивоваренок С. А., Дунаев А. В., Ефремов А. М., Светцов В. И.
Заглавие : Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 69-71: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 71 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и хлороводорода применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС. Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, который является одним из самых перспективных материалов электроники будущего. Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. Кроме этого, GaAs является основным материалом квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе AlGaAs [1]
Найти похожие

 1-10    11-20   21-23 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика