Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (8)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (4)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (5)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ТРАВЛЕНИЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-23 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 53.06/И 75
Автор(ы) : Абдуллаев Д. А., Зайцев А. А., Кельм Е. А., Милованов Р. А.
Заглавие : Ионно-лучевое травление как промежуточная стадия при удалении пассивируюших слоев микросхем в рамках технологии анализа отказов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 35-39. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 39 (3 назв.)
УДК : 53.06
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионно-лучевое травление--реактивно-ионное плазменное травление--планаризация микрометрового рельефа сбис--технология анализа отказов
Аннотация: Представлены результаты серии экспериментов по удалению пассивации СБИС с промежуточной планаризацией субмикрометрового рельефа методами ионно-лучевого травления в рамках технологии анализа отказов. Определены оптимальные параметры планаризации микрометрового рельефа
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.9.047.7/Г 16
Автор(ы) : Галперин В. А., Разживин Н. А.
Заглавие : Исследование процесса контролируемого плазменного сокращения размеров затвора
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 12-15: табл., граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 15 (8 назв.)
УДК : 621.9.047.7
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): реактивно-ионное травление--плазма--профиль травления--тримминг резиста
Аннотация: Приведены результаты исследования процесса тримминга маски, протекающих механизмов реакций и совместимости с процессом травления поликремния. Получены зависимости и оптимальные значения основных технологических параметров стадий, определяющих качество процесса. Проведена оценка влияния параметров и реагентов стадии тримминга на получаемый линейный размер формируемых элементов поликремния, равномерность и минимизацию эффекта микрозагрузки. Сформирован комплекс мер по оптимизации и стабилизации процесса и получению профиля травления с требуемым размером формируемых элементов в условиях опытного производства
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гринькин Е. А., Жукова С. А., Обижаев Д. Ю., Тютюгин А. В., Турков В. Е.
Заглавие : Кинетика травления неорганического "жертвенного" слоя при изготовлении чувствительных элементов инерциальных датчиков по технологии кремний-на-изоляторе
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 7. - С. 38-43. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 42 (4 назв.)
УДК : 546.284-31 + 531.768 + 531.77
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): "жертвенный" слой--диоксид кремния--травление--плавиковая кислота
Аннотация: Исследован процесс травления неорганического "жертвенного" слоя в трехслойных подложках кремний-на-изоляторе. Представлены результаты исследования кинетики травления диоксида кремния в парах водного раствора плавиковой кислоты в зависимости от продолжительности процесса и температуры поверхности образцов. Показано увеличение скорости процесса по мере травления и при уменьшении температуры
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/М 59
Автор(ы) : Власенко В. А., Ефимов А. Г., Ильичев Э. А., Немировский В. Э., Полторацкий Э. А., Горячев А. В., Попков А. Ф., Фролова Г. В., Шупегин М. Л.
Заглавие : Микроэлектромеханические коммутаторы для радиочастотных устройств
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 30-34: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 34 (8 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 538.9/У 18
Автор(ы) : Уваров И. В., Наумов В. В., Амиров И. И.
Заглавие : Особенности изготовления металлических кантилеверов наноразмерной толщины
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 5-9. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 9 (17 назв.)
УДК : 538.9
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлектромеханические системы--наноконтилевер--плазменное травление--остаточные напряжения--термический отжиг--поверхность
Аннотация: Представлена методика изготовления металлических нанокантилеверов. Кантилеверы имели трехслойную структуру и изготавливались в двух вариантах: Cr/Al/Cr и Ti/Al/Ti. Толщина кантилеверов составляла 40, 80 и 120 нм. Отношение длины кантилевера к толщине достигало 2500. Освобождение кантилеверов выполнялось путем травления жертвенного слоя в плазме SFfi. При изготовлении кантилеверов Cr/Al/Cr применялся вакуумный термический отжиг. Для кантилеверов Ti/Al/Ti важным моментом являлся подбор режима освобождения
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-75
Автор(ы) : Белов А. Н., Гаврилов С. А., Демидов Ю. А., Шевяков В. И.
Заглавие : ОСобенности формирования маски пористого анодного оксида алюминия для плазменного локального травления кремния
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 11-12. - С. 48-52: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 52 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Исследованы особенности формирования маски пористого оксида алюминия для нанопрофилирования кремния. Показано влияние микроморфологии на границе раздела в анодированной двухслойной структуре Al - Ti на характер локального травления кремния. Выявлена корреляция аспектного отношения пор оксида алюминия с геометрическими параметрами формируемых плазменным травлением в кремнии локальных углублений
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 37
Автор(ы) : Пивоваренок С. А., Дунаев А. В., Ефремов А. М., Светцов В. И.
Заглавие : Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 69-71: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 71 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и хлороводорода применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС. Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, который является одним из самых перспективных материалов электроники будущего. Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. Кроме этого, GaAs является основным материалом квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе AlGaAs [1]
Найти похожие
8.

Вид документа :
Шифр издания : 620.3/Т 48
Автор(ы) : Ткачева А. А.
Заглавие : Плазменное травление GaN и его твердых растворов: достижения и перспективы
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 21-25: табл.
Примечания : Библиогр.: с. 25 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): травление сухое--нитрид галлия--gan--плазма индуктивно-связанная
Аннотация: Представлен обзор материалов по плазменному травлению GaN и твердых растворов на его основе, включающий описание различных источников, режимов и газов, применяемых плазменном травлении материалов нитридной группы, вопросы качества травления, а также применение плазменного травления в технологии производства современных НЕМТ-транзисторов
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 544.5/Г 69
Автор(ы) : Горнев Е. С., Янович С. И.
Заглавие : Процесс реактивно-ионного травления контактных окон в смеси на основе C4F 8 для технологии менее 0,25 мкм
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 16-20: граф., рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 19 (6 назв.)
УДК : 544.5
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): реактивно-ионное травление--c4f8--контактные окна--0, 25 мкм
Аннотация: Настоящая работа призвана показать, что при реактивно-ионном травлении в классических реакторах с вращающимся магнитным полем и использованием C 4F 8 в качестве основного травящего агента для травления контактных окон в технологических процессах создания интегральных схем с минимальными элементами от 0,25 мкм и менее не только применима, но и демонстрирует улучшение анализируемого процесса в отношении элементов с меньшими размерами. Кроме того, представленные в статье исследования могут быть полезны с методологической точки зрения при описании других процессов травления
Найти похожие
10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 648.4/Г 16
Автор(ы) : Галперин, Вячеслав Александрович, Данилкин, Евгений Владимирович, Мочалов, Алексей Иванович
Заглавие : Процессы плазменного травления в микро-и нанотехнологиях : учеб. пособие для вузов
Выходные данные : М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010
Колич.характеристики :283 с
Серия: Нанотехнологии
Примечания : Библиогр.: с. 275-280
ISBN, Цена 978-5-9963-0032-7: 330.00 р.
ГРНТИ : 47
ББК : 648.441я73
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие
 1-10    11-20   21-23 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика