Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 36
Автор(ы) : Гавриленко В., Новиков Ю., Раков А., Тодуа П.
Заглавие : Тест-объекты с прямоугольным и трапециевидным профилями рельефа для растровой электронной и атомно-силовой микроскопии
Место публикации : Наноиндустрия. - 2008. - № 4. - С. 24-30: рис., табл. - ISSN 1993-8578. - ISSN 1993-8578
Примечания : Библиогр.: с. 30 (14 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электронный зонд--анизотропное травление
Аннотация: В конце XX и начале XXI века экономику высокоразвитых стран характеризует освоение высоких технологий, главная из которых - нанотехнология. Она оперирует с размерами, лежащими в диапазоне 1-100 нм, что требует обеспечения единства линейных измерений в нанометровом диапазоне. В мировой практике линейные измерения в нанометрической области осуществляются на растровых электронных (РЭМ) [2-4] и атомно-силовых (АСМ) [5-7] микроскопах. Для калибровки РЭМ и АСМ в качестве тест-объектов используются периодические [3], шаговые [2, 8] и одиночные [4] рельефные структуры на поверхности твердого тела
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/М 91
Автор(ы) : Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г.
Заглавие : Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 1. - С. 30-32: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 32 (6 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): канавка--травление
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/О-42
Автор(ы) : Одиноков В., Бараник Ю., Рагузин В.
Заглавие : Специальное оборудование для нанесения пленок и отжига материалов
Место публикации : Наноиндустрия. - 2009. - № 3. - С. 4-8: ил. - ISSN 1993-8578. - ISSN 1993-8578
Примечания :
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вакуумное оборудование--тонкие пленки--плазмохимическое травление
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/К 89
Автор(ы) : Кузнецова М. А., Лучинин В. В., Савенко А. Ю.
Заглавие : Физико-технологические основы применения наноразмерной ионно-лучевой технологии при создании изделий микро- и наносистемной техники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 8. - С. 24-32: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 32 (8 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионно-лучевое травление--осаждение--ионный пучок
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/М 59
Автор(ы) : Власенко В. А., Ефимов А. Г., Ильичев Э. А., Немировский В. Э., Полторацкий Э. А., Горячев А. В., Попков А. Ф., Фролова Г. В., Шупегин М. Л.
Заглавие : Микроэлектромеханические коммутаторы для радиочастотных устройств
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 30-34: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 34 (8 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Л 87
Автор(ы) : Лучинин В. В., Усикова М. А.
Заглавие : Процессы препарирования при реинжиниринге изделий микротехники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 31-43: табл., рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 43 ( 8 наим.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): схема интегральная--препарирование--травление--кристалл
Аннотация: Внедрение процесса реинжиниринга в современную электронную промышленность предполагает разработку новых методик исследования объектов микротехники, а значит, применения новых технологических и аналитических методов препарирования в целях контроля топологии исследуемых систем. В работе наряду с разрушающими методами препарирования, такими как механическое вскрытие изделий микротехники с последующим удалением структурообразующих слоев, рассмотрены неразрушающие методы исследования с возможностью сохранения работоспособности системы для дальнейшего электрического анализа
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 79
Автор(ы) : Бобринецкий И. И., Горшков К. В., Неволин В. К., Царик К. А.
Заглавие : Формирование интегрированных наноразмерных графеновых структур при фокусированном ионном травлении
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , № 5-6 . - С. 66-70: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 70 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структуры наноразмерные графеновые интегрированные--травление ионное фокусированное--технологии микроэлектронные--сужения квазиодномерные
Аннотация: Разработаны ионно-пучковые методы формирования наноструктур в мультиграфеновых слоях, интегрированных с системой токоподводящих электродов в процессе групповых микроэлектронных технологий. Результаты демонстрируют возможность утонения структур до единиц графеновых слоев и формирования квазиодномерных сужений в них
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 648.4/Г 16
Автор(ы) : Галперин, Вячеслав Александрович, Данилкин, Евгений Владимирович, Мочалов, Алексей Иванович
Заглавие : Процессы плазменного травления в микро-и нанотехнологиях : учеб. пособие для вузов
Выходные данные : М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010
Колич.характеристики :283 с
Серия: Нанотехнологии
Примечания : Библиогр.: с. 275-280
ISBN, Цена 978-5-9963-0032-7: 330.00 р.
ГРНТИ : 47
ББК : 648.441я73
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 37
Автор(ы) : Пивоваренок С. А., Дунаев А. В., Ефремов А. М., Светцов В. И.
Заглавие : Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 69-71: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 71 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и хлороводорода применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС. Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, который является одним из самых перспективных материалов электроники будущего. Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. Кроме этого, GaAs является основным материалом квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе AlGaAs [1]
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-75
Автор(ы) : Белов А. Н., Гаврилов С. А., Демидов Ю. А., Шевяков В. И.
Заглавие : ОСобенности формирования маски пористого анодного оксида алюминия для плазменного локального травления кремния
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 11-12. - С. 48-52: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 52 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Исследованы особенности формирования маски пористого оксида алюминия для нанопрофилирования кремния. Показано влияние микроморфологии на границе раздела в анодированной двухслойной структуре Al - Ti на характер локального травления кремния. Выявлена корреляция аспектного отношения пор оксида алюминия с геометрическими параметрами формируемых плазменным травлением в кремнии локальных углублений
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 91
Автор(ы) : Мустафаев А. Г., Савинова А. М., Мирзаева П. М.
Заглавие : Управление технологическим процессом формирования структур интегральных элементов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 20-23: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 23 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Современные технологические процессы формирования структур интегральных элементов обеспечиваются использованием низкотемпературных неравновесных импульсных и радиационно-стимулированных технологических операций. Решение задачи управления технологическими процессами основывается на понимании взаимосвязи между свойствами изделий, особенностями технологии их изготовления и характеристиками оборудования, с помощью которого реализуется эта технология. Разработанные подходы управления технологическими процессами позволяют исключить субъективный фактор и повысить эффективность систем управления. Показано, что основными технологическими операциями, существенно влияющими на выходные характеристики интегральных элементов при их производстве, являются ионная имплантация, отжиг, травление. Исследование и моделирование процессов на этих операциях позволяют выработать рекомендации по управлению и разработать алгоритмы эффективного управления технологическими процессами формирования структур интегральных элементов
Найти похожие

12.

Вид документа :
Шифр издания : 620.3/Т 48
Автор(ы) : Ткачева А. А.
Заглавие : Плазменное травление GaN и его твердых растворов: достижения и перспективы
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 21-25: табл.
Примечания : Библиогр.: с. 25 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): травление сухое--нитрид галлия--gan--плазма индуктивно-связанная
Аннотация: Представлен обзор материалов по плазменному травлению GaN и твердых растворов на его основе, включающий описание различных источников, режимов и газов, применяемых плазменном травлении материалов нитридной группы, вопросы качества травления, а также применение плазменного травления в технологии производства современных НЕМТ-транзисторов
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 71
Автор(ы) : Дунаев А. В., Пивоваренок С. А., Капинос С. П., Ефремов А. М., Светцов В. И.
Заглавие : Спектральный контроль процесса травления арсенида галлия в хлороводороде
Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 93-95: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 95 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): травление--контроль --спектр--хлороводород--травление плазмохимическое--арсенид галлия
Аннотация: Было выполнено исследование спектров плазмохимического травления GaAs в HCl. На обзорных спектрах выбраны контрольные линии и полосы. На временных зависимостях интенсивности излучения продуктов травления (в частности, линии атомарного Ga) в начале процесса обработки наблюдается нестационарный участок продолжительностью около 1 мин. Соотношение интенсивности излучения продуктов и скорости травления носит прямопропорциональный характер. Это свидетельствует о возможности спектрального контроля процесса травления в реальном времени
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 38
Автор(ы) : Зимина Т. М., Муратова Е. Н., Спивак Ю. М., Дрозд В. Е., Романов А. А.
Заглавие : Технологии формирования и применение нанослоев и нанопористых композиций Аl 2О 3 для микро-и нанотехники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 12. - С. 15-24: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 24 (52 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биосенсоры--лаборатории на чипе--анодирование электрохимическре--сборка атомно-молекулярная химическая--нанослои оксида алюминия --оксид алюминия пористый
Аннотация: Рассмотрены основные технологические подходы формирования нанослоев и композиций с различными характеристиками на основе оксида алюминия, а именно, атомно-молекулярное наслаивание и электрохимическое травление. Приведен краткий обзор основных современных областей применения оксида алюминия в форме нанослоевых композиций, нанопористых композиций, модифицированных металлом, и макропористых систем
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 89
Автор(ы) : Кузнецова М. А., Лучинин В. В.
Заглавие : Формирование карбидокремниевых автоэмиссионных острий методом остросфокусированного ионного пучка
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 12. - С. 35-40: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 40 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пучок ионный--диод--травление ионно-стимулированное--осаждение ионно-стимулированное--эмиссия автоэлектронная--карбид кремния
Аннотация: Представлены результаты комплексного анализа возможностей и ограничений на применение остросфокусированного ионного пучка для объектов микросистемной техники (МСТ) и различных методов исследований. Детально проанализированы особенности применения данной технологии на примере создания карбидокремниевых автоэмиссионных острий и диодных структур на их основе
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 538.9/У 18
Автор(ы) : Уваров И. В., Наумов В. В., Амиров И. И.
Заглавие : Особенности изготовления металлических кантилеверов наноразмерной толщины
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 5-9. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 9 (17 назв.)
УДК : 538.9
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлектромеханические системы--наноконтилевер--плазменное травление--остаточные напряжения--термический отжиг--поверхность
Аннотация: Представлена методика изготовления металлических нанокантилеверов. Кантилеверы имели трехслойную структуру и изготавливались в двух вариантах: Cr/Al/Cr и Ti/Al/Ti. Толщина кантилеверов составляла 40, 80 и 120 нм. Отношение длины кантилевера к толщине достигало 2500. Освобождение кантилеверов выполнялось путем травления жертвенного слоя в плазме SFfi. При изготовлении кантилеверов Cr/Al/Cr применялся вакуумный термический отжиг. Для кантилеверов Ti/Al/Ti важным моментом являлся подбор режима освобождения
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.38+533.9/С 29
Автор(ы) : Милованов Р. А., Кельм Е. А., Косичкин О. А., Ляпунов Н. А.
Заглавие : Селективное травление меди в технологии анализа отказов ИМС с проводниками на основе меди
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 30-32. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 32 (8 назв.)
УДК : 621.38+533.9
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): анализ отказов--система межсоединений--медь--жидкохимическое травление--сухое травление--диффузионно-барьерный слой
Аннотация: Одним из этапов анализа отказов микросхем с системой межсоединений на основе меди является удаление слоя проводников. При этом основным требованием, которое предъявляется к процедуре травления, является селективность к диффузионно-барьерному слою, обеспечивающая полное удаление слоя проводников без повреждения нижележащего слоя. В работе рассмотрены подходы по селективному травлению медных проводников на основе использования методов жидкого и сухого травления. Результаты исследований показаны на примере кристаллов ПЛИС Virtex-4 фирмы Xilinx
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 53.06/И 75
Автор(ы) : Абдуллаев Д. А., Зайцев А. А., Кельм Е. А., Милованов Р. А.
Заглавие : Ионно-лучевое травление как промежуточная стадия при удалении пассивируюших слоев микросхем в рамках технологии анализа отказов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 35-39. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 39 (3 назв.)
УДК : 53.06
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионно-лучевое травление--реактивно-ионное плазменное травление--планаризация микрометрового рельефа сбис--технология анализа отказов
Аннотация: Представлены результаты серии экспериментов по удалению пассивации СБИС с промежуточной планаризацией субмикрометрового рельефа методами ионно-лучевого травления в рамках технологии анализа отказов. Определены оптимальные параметры планаризации микрометрового рельефа
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 53.06:661.55/А 13
Автор(ы) : Абдуллаев Д. А., Зайцев А. А., Кельм Е. А.
Заглавие : Селективное плазмохимическое травление нитрида кремния относительно оксида кремния
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 2. - С. 17-19. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 17 (3 назв.)
УДК : 53.06:661.55
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): плазохимическое травление (пхт)--селективное травление--нитрид кремния--оксид кремния--пассивационные слои--интегральная микросхема (имс)
Аннотация: Представлены результаты серии экспериментов по определению параметров селективного плазмохимического травления нитрида кремния относительно оксида кремния
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.002/Т 56
Автор(ы) : Томош К. Н.
Заглавие : Характеристики и использование вч и свч разрядов при создании твердотельных полупроводниковых приборов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 47-52: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 52 (8 назв.)
УДК : 621.382.002
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): плазма--свч разряд--вч разряд--реактор--магнитное поле--травление
Аннотация: Представлена информация обзорного характера о применении плазмы ВЧ и СВЧ разряда в технологических процессах производства изделий электронной техники. Указаны области технического применения СВЧ разрядов и основные характеристики структур, формируемых под их воздействием
Найти похожие

1-20 21-23

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)