Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Инвентарный номер: нет.

   В 19

    Васильев , В. А.
    Диффузионная модель роста и морфология поверхностей тонких пленок материалов / В. А. Васильев , П. С. Чернов // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 11-16 : рис. - Библиогр. : с. 16 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- МОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТЕЙ -- АВТОМАТ КЛЕТОЧНЫЙ СТОХАСТИЧЕСКИЙ
Аннотация: Дан обзор моделей роста поверхностей материалов. Предложена оригинальная модель роста поверхности тонких пленок, представляющая собой стохастический клеточный автомат и учитывающая диффузию частиц. Она позволяет исследовать влияние температуры подложки, скорости и времени осаждения на параметры, характеризующие морфологию поверхности. Представлены результаты сравнения экспериментальных данных, полученных с помощью атомно-силовой микроскопии, и теоретических, полученных путем моделирования с использованием предложенной диффузионной модели

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   В 19

    Васильев, В. А.
    Современные методы моделирования нано-и микроразмерных систем / В. А. Васильев, Д. О. Орехов, П. С. Чернов // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 10-14. - Библиогр.: с. 14 (22 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

621.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНО- И МИКРОСТРУКТУРЫ -- НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ -- КВАНТОВАЯ ФИЗИКА -- КЛАССИЧЕСКАЯ ФИЗИКА
Аннотация: Рассмотрены основные методы моделирования нано- и микроразмерных систем. Раскрыта суть, показаны достоинства и недостатки описанных методов, области их применения. Приведены примеры численной реализации

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   И 35


    Изготовление и исследования свойств наноструктур для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов / В. А. Чернов, А. Н. Палагушкин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 2-9 : рис., табл. - Библиогр. : с. 9 (18 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОНЫ ВТОРИЧНЫЕ -- ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ЯДЕРНОЙ ЭНЕРГИИ ПРЯМОЕ -- МЕТОД МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ -- СТРУКТУРЫ МДМ -- МЕТОД ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОГО РАСПЫЛЕНИЯ
Аннотация: Обоснованы требования к наноструктурам металл- диэлектрик-металл (МДМ-структуры), применяемым для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов. Описаны методы изготовления МДМ-структур - метод магнетронного ионно-плазменного распыления и метод электронно-лучевого распыления. Изложены свойства изготовленных МДМ-структур W-Al2O3-Al с толщиной слоев 10, 100 и 10 нм соответственно

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   И 88


    Использование сверхмногослойных наноструктур для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую [Текст] / В. Б. Ануфриенко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 8. - С. 30-38 : рис., табл. - Библиогр.: с. 37-38 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВТОРИЧНЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ -- ПРЯМОЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЕ -- МНОГОСЛОЙНЫЕ МЕТАЛЛЫ
Аннотация: Рассмотрено применение нанотехнологий для решения одной из проблем прямого преобразования ядерной энергии в электрическую, минуя тепловую стадию преобразования. Установлено, что применение тонких слоев (толщина в десятки нанометров) в ячейке преобразователя ядерной энергии в электрическую позволяет примерно на два порядка повысить КПД преобразователя, работающего на вторичных электронах, по сравнению с ячейкой с "толстыми слоями". Обоснована целесообразность изготовления гибридных источников тока, включающих в себя преобразователи энергии на вторичных электронах и суперконденсаторы

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   О-62


    Оптимизация состава и размеров источников тока, основанных на прямом преобразовании ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов / В. А. Чернов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 21-26 : рис., табл. - Библиогр. : с. 26 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОНЫ ВТОРИЧНЫЕ -- ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ЯДЕРНОЙ ЭНЕРГИИ -- СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-МЕТАЛЛ -- МЕТОД МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ
Аннотация: Проведены измерения тока вторичных электронов в МДМ-структурах W-Al2O3-Al как элементах источников тока, основанных на прямом преобразовании ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов. Выполнены расчеты энергетических потерь осколков деления и альфа-частиц в слоях МДМ-структур. Проведенные эксперименты и расчеты позволили оптимизировать состав и размеры этих источников тока

Найти похожие

Инвентарный номер: 211103 - кх.
   62
   Т 38

    Техника и технология в XXI века: современное состояние и перспективы развития [Текст] : монография / С. П. Гнатюк [и др.] ; под ред. С. С. Чернова ; Центр развития научного сотрудничества. - Новосибирск : [б. и.], 2008 - .
   Кн. 3 / В. А. Александров [и др.]. - 2009. - 152 с. - Авт. указ. на обороте тит. л. - Библиогр.: с. 147-152. - ISBN 978-5-94301-068 : 350.00 р.

ГРНТИ

81.01.07

ББК 62
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--ТЕХНИКА И ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ В ЦЕЛОМ, 21 в.

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Ч-67


    Численное моделирование элементов фотоэлектрического волоконно-оптического сенсора давления / В. А. Гридчин, В. Ю. Васильев, М. А. Чебанов, А. Д. Бялик, А. С. Чернов // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 3-7 : граф. - Библиогр.: с. 7 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

681.5.08

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ОПТОВОЛОКНО -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЕНСОР ДАВЛЕНИЯ -- МЕТОД КОНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
Аннотация: Представлена численная модель оптомеханического узла фотоэлектрического сенсора давления, состоящего из профилированной кремниевой диафрагмы с жестким центром и оптоволокна. Методом конечно-элементного моделирования исследованы условия максимальной чувствительности по смещению свободного конца оптоволокна под действием давления в зависимости от размеров диафрагмы. Показано, что для достижения максимальной чувствительности по перемещению оптоволокна расположение жесткого центра может быть нецентральным и зависит от размеров диафрагмы. Рассмотрены особенности преобразовательной характеристики при использовании в составе фотоэлектрического сенсора давления одного либо двух фотодиодов в дифференциальном включении

Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)