Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (134)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (3)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (4)Публикации об УрО РАН (24)Изобретения уральских ученых (10)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)История Урала (5)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (47)Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН (2)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (2)Расплавы (9)Публикации Черешнева В.А. (2)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (69)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ЧЕРНОВ<.>/(700))
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 19
Автор(ы) : Васильев В. А., Чернов П. С.
Заглавие : Диффузионная модель роста и морфология поверхностей тонких пленок материалов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 11-16: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 16 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Дан обзор моделей роста поверхностей материалов. Предложена оригинальная модель роста поверхности тонких пленок, представляющая собой стохастический клеточный автомат и учитывающая диффузию частиц. Она позволяет исследовать влияние температуры подложки, скорости и времени осаждения на параметры, характеризующие морфологию поверхности. Представлены результаты сравнения экспериментальных данных, полученных с помощью атомно-силовой микроскопии, и теоретических, полученных путем моделирования с использованием предложенной диффузионной модели
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 35
Автор(ы) : Чернов В. А., Палагушкин А. Н., Прудников Н. В., Сергеев А. П., Сигейкин Г. И., Леонова Е. А.
Заглавие : Изготовление и исследования свойств наноструктур для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 2-9: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 9 (18 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроны вторичные--преобразование ядерной энергии прямое--метод магнетронного распыления--структуры мдм--метод электронно-лучевого распыления
Аннотация: Обоснованы требования к наноструктурам металл- диэлектрик-металл (МДМ-структуры), применяемым для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов. Описаны методы изготовления МДМ-структур - метод магнетронного ионно-плазменного распыления и метод электронно-лучевого распыления. Изложены свойства изготовленных МДМ-структур W-Al2O3-Al с толщиной слоев 10, 100 и 10 нм соответственно
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 88
Автор(ы) : Ануфриенко В. Б., Михайлова А. М., Палагушкин А. Н., Сигейкин Г. И., Сомов И. Е., Чернов В. А.
Заглавие : Использование сверхмногослойных наноструктур для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 8. - С. 30-38: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 37-38 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вторичные электроны--прямое преобразование--многослойные металлы
Аннотация: Рассмотрено применение нанотехнологий для решения одной из проблем прямого преобразования ядерной энергии в электрическую, минуя тепловую стадию преобразования. Установлено, что применение тонких слоев (толщина в десятки нанометров) в ячейке преобразователя ядерной энергии в электрическую позволяет примерно на два порядка повысить КПД преобразователя, работающего на вторичных электронах, по сравнению с ячейкой с "толстыми слоями". Обоснована целесообразность изготовления гибридных источников тока, включающих в себя преобразователи энергии на вторичных электронах и суперконденсаторы
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-62
Автор(ы) : Чернов В. А., Митерев А. М., Прудников Н. В., Сигейкин Г. И., Леонова Е. А.
Заглавие : Оптимизация состава и размеров источников тока, основанных на прямом преобразовании ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 21-26: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 26 (7 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проведены измерения тока вторичных электронов в МДМ-структурах W-Al2O3-Al как элементах источников тока, основанных на прямом преобразовании ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов. Выполнены расчеты энергетических потерь осколков деления и альфа-частиц в слоях МДМ-структур. Проведенные эксперименты и расчеты позволили оптимизировать состав и размеры этих источников тока
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3/В 19
Автор(ы) : Васильев В. А., Орехов Д. О., Чернов П. С.
Заглавие : Современные методы моделирования нано-и микроразмерных систем
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 10-14. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 14 (22 назв.)
УДК : 621.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нано- и микроструктуры--нано- и микроэлектромеханические системы--моделирование--математические методы--квантовая физика--классическая физика
Аннотация: Рассмотрены основные методы моделирования нано- и микроразмерных систем. Раскрыта суть, показаны достоинства и недостатки описанных методов, области их применения. Приведены примеры численной реализации
Найти похожие

6.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 62/Т 38
Автор(ы) : Александров В. А., Бояршинов А. В., Велинзон П. З., Воронов Р. В.
Заглавие : Техника и технология в XXI века: современное состояние и перспективы развития: монография/ С. П. Гнатюк [и др.] ; под ред. С. С. Чернова ; Центр развития научного сотрудничества. Кн. 3
Выходные данные : Новосибирск, 2009
Колич.характеристики :152 с
Коллективы : Центр развития научного сотрудничества
Примечания : Библиогр.: с. 147-152. - Авт. указ. на обороте тит. л.
ISBN, Цена 978-5-94301-068: 350.00 р.
ГРНТИ : 81.01.07
ББК : 62
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ-- ТЕХНИКА И ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ В ЦЕЛОМ, 21 в.
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 681.5.08/Ч-67
Автор(ы) : Гридчин В. А., Васильев В. Ю., Чебанов М. А., Бялик А. Д., Чернов А. С.
Заглавие : Численное моделирование элементов фотоэлектрического волоконно-оптического сенсора давления
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 3-7: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 7 (13 назв.)
УДК : 681.5.08
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оптоволокно--фотоэлектрический сенсор давления--метод конечных элементов
Аннотация: Представлена численная модель оптомеханического узла фотоэлектрического сенсора давления, состоящего из профилированной кремниевой диафрагмы с жестким центром и оптоволокна. Методом конечно-элементного моделирования исследованы условия максимальной чувствительности по смещению свободного конца оптоволокна под действием давления в зависимости от размеров диафрагмы. Показано, что для достижения максимальной чувствительности по перемещению оптоволокна расположение жесткого центра может быть нецентральным и зависит от размеров диафрагмы. Рассмотрены особенности преобразовательной характеристики при использовании в составе фотоэлектрического сенсора давления одного либо двух фотодиодов в дифференциальном включении
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика