Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Главная

Новые поступления

Описание

Базы данных

Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и продолжающихся изданий

Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН

Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )

Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)

Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)

Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН

Публикации об УрО РАН

Изобретения уральских ученых

Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)

Нанотехнологии

Демидовские премии

Гибель династии Романовых

История Урала

Личная библиотека С. В. Вонсовского

Книжная коллекция Шубиных

Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН

Труды Института истории и археологии УрО РАН

Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН

Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН

Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН

Расплавы

Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН

Публикации Черешнева В.А.

Публикации Чарушина В.Н.

Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН

Электронная энциклопедия «Дискурсология»

Библиометрия

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и продолжающихся изданий (7)

Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)

Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (1)

Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)

Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (2)

Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (10)

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (3)

Расплавы (1)

Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (6)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ<.>)

Общее количество найденных документов : 47
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-47

Инвентарный номер: нет.

   Р 24


    Расчет и измерения динамических параметров наноразмерных колебаний микро-мембранных элементов / А. А. Ветров, А. В. Корляков, А. Н. Сергушичев, К. А. Сергушичев // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 12. - С. 48-54 : рис., табл. - Библиогр.: с. 54 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛЬ МАТЕМАТИЧЕСКАЯ -- ЭЛЕМЕНТ МИКРОМЕМБРАННЫЙ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ЧАСТОТА РЕЗОНАНСНАЯ -- СИСТЕМА ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННАЯ ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ -- ИНТЕРФЕРОМЕТР ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЙ
Аннотация: Приведены математическая модель и результаты расчетов параметров микромембранных элементов, изготавливаемых с применением технологий микросистемной техники. Разработана экспериментальная установка на основе волоконно-оптического торцевого интерферометра для высокоточных бесконтактных измерений чувствительности микромембранных элементов. Предложена методика и измерены частотные зависимости чувствительности микромембранных элементов

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Б 79


    Болометр с термочувствительным слоем из оксида ванадия VO x // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 44-52 : рис., табл. - Библиогр.: с. 52 (13 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ВОЛЬТОВАЯ -- СПОСОБНОСТЬ БОЛОМЕТРОВ ОБНАРУЖИТЕЛЬНАЯ -- БОЛОМЕТР -- ОКСИД ВАНАДИЯ
Аннотация: Исследованы электрические параметры термочувствительного слоя болометра VO x и морфология его поверхности. Определена относительная погрешность измерения, вносимая оксидным слоем VO x. Представлены расчетные и экспериментальные данные нагрева слоя VO x на 1 и 200 °С в диапазонах длин волн 0.5—3.39 мкм и 5.0—12 мкм в зависимости от длительности импульса излучения в диапазоне 1 — 10 -9 с на различных подложках. Исследованы зависимости: постоянной времени, вольтовой чувствительности болометра от размера приемной площадки и материала подложки. Рассчитаны: постоянная времени болометра, вольтовая чувствительность и эквивалентные значения напряжений фундаментальных шумов в зависимости от размеров приемной площадки, материалов подложки и частоты регистрируемого излучения. Приведены значения удельного теплового потока и обнаружительной способности болометров на частотах 1, 10, 20 Гц, выполненных на различных диэлектрических подложках. Описана модульная конструкция болометра, включающая герметичный корпус с приемным окном и преобразователь сопротивление-напряжение. Приведены зависимости напряжения с выхода болометра от величины воздействующего постоянного и импульсного излучения

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Ч-81

    Чубаков, В. П.
    Датчик влажности на основе фотоннокристаллической пленки опала / В. П. Чубаков, П. А. Чубаков, А. И. Плеханов // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 9-10. - С. 59-61 : рис. - Библиогр.: с. 61 (15 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКА ОПАЛА ФОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- ДАТЧИК ВЛАЖНОСТИ -- РАСТВОРЫ СОЛЕЙ -- ОБЛАСТЬ СТОП-ЗОНЫ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ
Аннотация: Предложен новый датчик влажности на основе фотонно-кристаллической пленки опала. Для обеспечения чувствительности к относительной влажности воздуха на структуру опала нанесены насыщенные водные растворы солей. Достигнуто десятикратное увеличение пропускания пленок в области стоп-зоны при увеличении влажности выше порогового значения. Данный датчик влажности не требует калибровки и имеет высокую временную стабильность

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   И 88


    Исследование чувствительности к этанолу переходов Zno—ZnO:Fe на основе тонких наноструктурированных пленок, полученных с помощью золь-гель-технологии / И. А. Пронин, И. А. Аверин, Д. Ц. Димитров, Л. К. Крастева, К. И. Паназова, А. С. Чаначев // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3 : рис. - Библиогр.: с. 10 (22 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ ТОНКИЕ ZNO -- СЕНСОР ГАЗОВЫЙ -- ZNO ДОПИРОВАННЫЙ FE -- ЗОЛЬ-ГЕЛЬ-ТЕХНОЛОГИЯ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ТЕМПЕРАТУРА
Аннотация: Исследуется чувствительность к этанолу гомопереходов на основе наноструктуруированнык слоев ZnO— ZnO:Fe, полученных с помощью золь-гель-технологии. В качестве отклика измерялась термоЭДС виртуальной термопары, горячий конец которой представляет собой контакт на слое ZnO вблизи интерфейса ZnO/ZnO:Fe, а холодный — контакт на поверхности ZnO:Fe. Выяснено, что максимальной чувствительностью обладают образцы, верхний слой которых сформирован двумя и тремя погружениями в золь. Тенденция температурной зависимости отклика существенно зависит от толщины верхнего слоя

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   К 17

    Каленов, В. Е.
    Частотно-резонансный метод измерения механического воздействия с помощью нелинейного микромеханического преобразователя / В. Е. Каленов, А. В. Корляков // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 2. - С. 15-19 : рис. - Библиогр.: с. 19 (2 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АКСЕЛЕРОМЕТР МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЙ -- МЭМС -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЙ НЕЛИНЕЙНЫЙ -- МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ЧАСТОТНО-РЕЗОНАНСНЫЙ
Аннотация: Изложены основные принципы измерения механического воздействия частотно-резонансным методом с помощью нелинейного микромеханического преобразователя. Представлены условия, повышающие чувствительность нелинейного микромеханического преобразователя по перемещению и силе. Рассмотрен пример акселерометра на основе нелинейного преобразователя и проведена оптимизация его параметров

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   М 33

    Матвеев, В. И.
    Наносенсоры для матричных преобразователей приборов неразрушающего контроля / В. И. Матвеев, С. В. Пугачев // Нанотехника. - 2012. - № 2. - С. 89-92 : рис. - Библиогр.: с. 92 (5 назв.) . - ISSN 1816-4498

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСЕНСЕРЫ -- НАНОТЕХНОЛОГИИ -- ПРИБОРЫ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ МАТРИЧНЫЕ -- ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРИБОРОВ
Аннотация: В статье рассматривается состояние развития сенсорных преобразователей, изготавливаемых на основе современных нанотехнологий, необходимых для создания приборов неразрушающего контроля и технической диагностики нового поколения. Применение наносенсоров в матричных преобразователях повышает основные технические характеристики приборов: чувствительность, разрешающую способность и производительность контроля

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Д 20


    Датчик постоянного магнитного поля на основе пьезоэлектрического преобразователя и многовиткового контура с током / А. Г. Итальянцев, Ю. В. Шульга, Ю. К. Фетисов, Д. В. Чашин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 41-45 : рис. - Библиогр.: с. 45 (3 назв.) . -

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЦТС-КЕРАМИКА -- СИЛА АМПЕРА -- СТРУКТУРА БИМОРФНАЯ -- ЭЛЕМЕНТ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ -- ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ -- КОНТУР МНОГОВИТКОВЫЙ
Аннотация: Описана новая конструкция магниточувствительной MEMS, принцип действия которой основан на комбинации прямого пьезоэлектрического эффекта и силы Ампера. Теоретически и экспериментально обоснованы физические и конструкционные принципы увеличения чувствительности таких структур к постоянным магнитным полям. Выведено каноническое выражение для чувствительности первичных преобразователей на основе изгибного пьезоэлемента и многовиткового контура с током на резонансной частоте преобразователя. Экспериментально показано, что чувствительность предлагаемых MEMS многократно превышает чувствительность ближайших аналогов и достигает 104 В/(Тл-А)

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   М 61


    Миниатюрный тензорезистивный преобразоватеаь давления с высокой чувствительностью / И. В. Головицын, В. В. Амеличев, В. В. Панков, А. Н. Сауров // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 26-29 : рис., табл. - Библиогр.: с. 29 (19 назв.) . -

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕНЗОРЕЗИСТОРЫ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИКРООБРАБОТКИ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ДАВЛЕНИЯ МИНИАТЮРНЫЕ
Аннотация: Описана разработка технологического маршрута и изготовление миниатюрного преобразователя давления на КНИ-структуре, предложенного ранее. Преобразователь имеет тензорезисторы из монокристаллического кремния и мембрану из поликристаллического кремния. Структура преобразователя формируется с помощью технологии поверхностной микрообработки с применением односторонней обработки пластины. Изготовлены два варианта преобразователя - с кольцевым концентратором напряжений на мембране, сформированным из пассивирующего слоя толщиной 1,2 мкм, и без концентратора. Проведены измерения основных параметров преобразователя при температуре +20, -50 и +60 °С. Оба варианта демонстрируют чувствительность около 24 мВ-(В•атм)-1. Проведен анализ параметров преобразователей с точки зрения влияния технологических факторов

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   М 59


    Микроакселерометры на различные диапазоны измерения линейных ускорений для систем инерциальной навигации / С. П. Тимошенков, В. В. Калугин, Е. С. Кочурина, С. А. Анчутин, В. А. Калинин, К. А. Строганов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 8. - С. 32-35 : рис. - Библиогр.: с. 35 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АКСЕЛЕРОМЕТР ЕМКОСТНОЙ -- МЭМС -- МИКРОАКСЕЛЕРОМЕТРЫ
Аннотация: Рассмотрены микромеханические акселерометры, имеющие потенциально широкую область применения. Разработаны микроакселерометры с емкостной системой измерения перемещений чувствительного элемента, достоинством которой является высокая чувствительность, простота конструкции и технологии изготовления

Найти похожие

10.

Инвентарный номер: нет.

   Ф 81


    Фотоэлектрические свойства полиимидов на основе N,N',N'',N'''-замещенного парафенилендиамина и диангидридов ароматических тетракарбоновых кислот и их композитов с нанокристаллическим кремнием / Б. М. Румянцева, Der-Jang Liaw, Ying-Chi Huang, В. И. Берендяев, С. Г. Дорофеев, Н. Н. Кононов, В. П. Зубов, А. А. Ольхов, Г. В. Фетисов, А. А. Ищенко // Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 35-41 : рис., табл. - Библиогр.: с. 41 (14 назв.) . - ISSN 1816-4498

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОКОМПОЗИТЫ ПОЛИМЕРНЫЕ -- НАНОКРЕМНИЙ -- КАТИОН-РАДИКАЛЫ -- АНИОН-РАДИКАЛЫ -- ВЫХОД ФОТОГЕНЕРАЦИИ КВАНТОВЫЙ -- МЕТОД ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ
Аннотация: Электрофотографическим методом исследованы фотоэлектрические характеристики пленок вновь синтезированных полиимидов (ПИ) на основе N,N',N'',N'''-замещенного парафенилендиамина и диангидридов ароматических тетракарбоновых кислот, а также их композитов с нанокристаллическим кремнием (nc-Si). Обнаружена фотоэлектрическая чувствительность (ФЭЧ) пленок исследованных ПИ как в УФ, так и в видимой областях спектра. Показано, что наблюдаемая ФЭЧ обусловлена ЭДА взаимодействием с переносом заряда между донорными и акцепторными фрагментами цепей ПИ, т.е. электронных Д-А комплексов с переносом заряда (КПЗ), а механизмом фотогенерации является термополевая диссоциация ион-радикальных пар, кинетически связанных с возбужденным КПЗ. Вторым механизмом фотогенерации является фотостимулирование долгоживущих стабилизированных катион-радикалов донорных фрагментов ПИ, представляющих собой дырки (основные носители), захваченные глубокими центрами (фотостимулированные токи). Для ПИ, содержащих nc-Si, наблюдается резкое увеличение эффективного квантового выхода фотогенерации при низких значениях напряженности поля (E < 10 5 В/см), что возможно объяснить уменьшением эффективности сбора носителей заряда, обусловленной уменьшением длины миграции дырок. Уменьшение длины миграции носителей заряда при добавлении nc-Si свидетельствует о том, что наночастицы являются центрами захвата дырок в композитном материале. Частицы nc-Si проявляют электроно-донорные свойства и, являясь более эффективными центрами захвата дырок, способствуют стабилизации и накоплению катион-радикалов

Найти похожие

11.

Инвентарный номер: нет.

   Т 35


    Терморезисторные датчики измерения изменений уровня криогенных сред / И. И. Гончар, Л. Н. Киселев, А. Н. Михайлов, В. Г. Певгов, А. В. Семенов, В. А. Шубарев // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 8. - С. 41-45 : табл., рис. - Библиогр.: с. 45 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ -- СЕНСОРЫ -- УРОВНЕМЕРЫ -- ДАТЧИКИ УРОВНЯ -- ВРЕМЯ ЗАДЕРЖКИ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ
Аннотация: Приведены результаты исследования изготовленных на тонких теплоизоляционных подложках по микроэлектронной технологии терморезисторных датчиков измерения уровня в криогенных средах

Найти похожие

12.

Инвентарный номер: нет.

   П 96


    Пьезоэлектрический резонансный датчик магнитного поля с планарной возбуждающей катушкой / Д. А. Бурдин, Ю. К. Фетисов, Д. А. Чашин, Н. А. Экономов, Е. М. Савченко // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 37-40 : рис. - Библиогр.: с. 40 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ -- ДАТЧИК ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЗОНАНСНЫЙ -- СИЛА АМПЕРА -- ПЬЕЗОЭФФЕКТ -- ПЛАСТИНА БИМОРФНАЯ -- ПЬЕЗОЭЛЕКТРИК
Аннотация: Изготовлен и исследован пьезоэлектрический датчик постоянного магнитного поля, использующий комбинацию силы Ампера, пьезоэффекта и акустического резонанса. Датчик представляет собой биморфную пластину из цирконата-титаната свинца, один конец которой закреплен, а на другом расположена планарная электромагнитная катушка. При пропускании через катушку тока с частотой, равной частоте изгибных колебаний пластины, пьезоэлектрик генерирует переменное напряжение, амплитуда которого пропорциональна постоянному полю. Датчик имеет чувствительность ~200 В/(А • Тл) в диапазоне полей ~10 -7...0,3 Тл и диапазоне температур 220...370К

Найти похожие

13.

Инвентарный номер: нет.

   П 42


    Повышение чувствительности микропреобразователя абсолютного давления на основе расчетно-аналитического моделирования изгиба мембраны и положения тензорезисторов / И. Б. Яшанин, И. В. Иевлев, С. В. Кононов, Р. Г. Азнабаев, В. А. Харитонов, Д. В. Бойченко, А. В. Гребенкина // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 7-11 : рис. - Библиогр.: с. 11 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕМБРАНА -- ТЕНЗОРЕЗИСТОР -- МИКРОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ -- МИКРОМЕХАНИКА -- МСТ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- МОСТ УИНСТОНА -- ТЕНЗОРЕЗИСТОР ПОЛИКРЕМНИЕВЫЙ -- ПОЛИКРЕМНИЕВАЯ МЕМБРАНА -- МПАД
Аннотация: Описан опыт использования анализатора микросистем для минимизации несоответствий между расчетными и реально получаемыми значениями чувствительности типового тензорезистивного микропреобразователя абсолютного давления, выполненного на основе базовой технологии поверхностной микромеханики

Найти похожие

14.

Инвентарный номер: нет.

   Б 73

    Богданов, С. А.
    Моделирование газовой чувствительности кондуктометрических сенсоров на основе неоднородных полупроводников / С. А. Богданов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 2-7 : рис. - Библиогр.: с. 7 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники неоднородные -- полупроводники -- чувствительность газовая -- СЕНСОРЫ ГАЗА КОНДУКТОМЕТРИЧЕСКИЕ
Аннотация: Разработана методика прогнозирования газовой чувствительности кондуктометрических сенсоров газов с чувствительным слоем на основе поликристаллического полупроводника, учитывающая размеры кристаллических зерен материала чувствительного слоя. Полученные результаты могут быть использованы для оптимизации технологических режимов формирования рассматриваемых сенсоров, а также для прогнозирования их газовой чувствительности

Найти похожие

15.

Инвентарный номер: нет.

   И 88


    Исследование фото-, авто-электронной эмиссии в нанозернах антимонида и арсенида индия / Н. Д. Жуков, Е. Г. Глуховской, Д. Н. Браташов // Нанотехника. - 2013. - № 1. - С. 51-56 : рис., табл. - Библиогр.: с. 56 (9 назв.) . - ISSN 1816-4498

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЗЕРНА АНТИМОНИДА И АРСЕНИДА ИНДИЯ -- МЕТОД ТУННЕЛЬНОЙ МИКРОСКОПИИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ АНТИМОНИДА И АРСЕНИДА ИНДИЯ -- ЭМИССИЯ НИЗКОПОЛЕВАЯ -- ЯВЛЕНИЯ КУЛОНОВСКОЙ БЛОКАДЫ -- ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ПРОВОДИМОСТЬ
Аннотация: Характеристики поля (автоэлектронной) эмиссии от нанозерен антимонида индия и арсенида узкозонных полупроводников были изучены методом туннельной микроскопии. Кулоновской блокады и низкий полевые явления выбросов были обнаружены и объяснены. Повышенная чувствительность фото было замечено для собственных полупроводников проводимости. Это делает их перспективным с точки зрения использования их в качестве ИК фото autocathodes

Найти похожие

16.

Инвентарный номер: нет.

   М 73


    Многокомпонентные наноструктурированные пленки (SnO2) x (ZnO)1 - x (x = 0,5...1) для газовой сенсорики и прозрачной электроники / С. И. Рембеза, Н. Н. Кошелева, Е. С. Рембеза, Т. В. Свистова, Е. Ю. Плотникова, Б. Л. Агапов, М. В. Гречкина // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 32-36 : табл., граф. - Библиогр.: с. 36 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ ПЛЕНКИ -- ЭЛЕМЕНТНЫЙ СОСТАВ -- МОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ -- ПРОЗРАЧНОСТЬ -- ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ГАЗОВАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ
Аннотация: Тонкие пленки (SnO 2) x(ZnO) 1 - х, х = 0,5...1, были получены ионно-лучевым распылением на переменном токе керамических мишеней из чистых порошков SnO 2 (99,97) и ZnO (99,97). Изготовлены пленки SnO 2 с содержанием примеси Zn от 0,2 до 14 % ат. После отжига изучена морфология поверхности пленок, оценен размер зерна поликристаллов, измерена прозрачность и определена ширина запрещенной зоны в зависимости от состава пленок. Определены электрические параметры и состав пленок, пригодных для применения в газовой сенсорике и прозрачной электронике.

Найти похожие

17.

Инвентарный номер: нет.

   Д 20


    Датчик магнитных полей гетеродинного типа на основе нелинейного магнитоэлектрического эффекта / Д. А. Бурдин, Ю. К. Фетисов, Д. В. Чашин, Н. А. Экономов // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 2. - С. 38-42. - Библиогр.: с. 42 (14 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

537.81; 53.082

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ -- ПЬЕЗОЭЛЕКТРИК -- ФЕРРОМАГНЕТИК -- ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ
Аннотация: Описан широкополосный частотно-селективный датчик магнитных полей гетеродинного типа, использующий нелинейный магнитоэлектрический эффект в планарной структуре ферромагнетик—пьезоэлектрик. Изготовлен макет датчика на основе структуры со слоями из пьезоэлектрического лангатата и аморфного ферромагнетика. Смешение полей в структуре происходит из-за нелинейности магнитострикции ферромагнетика. Для фильтрации и усиления сигнала использован акустический резонанс структуры, что увеличивает чувствительность датчика на ~2 порядка по сравнению с датчиками, использующими линейный магнитоэлектрический эффект. Датчик работает без поля смещения, позволяет регистрировать минимальные поля до ~10 -5 Э и может быть использован в различных микроэлектромеханических системах

Найти похожие

18.

Инвентарный номер: нет.

   И 88


    Исследование сенсорных свойств перколированных сеток из углеродных нанотрубок и нановолокон ZnO // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 32-37 : рис. - Библиогр.: с. 37 (25 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
УДЕЛЬНАЯ ПОВЕРХНОСТЬ -- СЕНСОРЫ ГАЗОВЫЕ -- АММИАК -- НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ -- НАНОВОЛОКНА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- НАНОПРОВОДНИКИ -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ
Аннотация: Предложен метод повышения чувствительности сенсорных структур на основе нанопроводников за счет использования гетерогенных композитов из углеродных нанотрубок и полупроводниковых нановолокон. Разработана сенсорная структура с чувствительным слоем в виде композита нанотрубки/нановолокна. Исследована зависимость удельной поверхности композита углеродных нанотрубок и нановолокон оксида цинка, а также электрического сопротивления и откликов сенсорных структур на пары аммиака от соотношения концентраций нанопроводников в смеси. Выявлена максимальная чувствительность сенсорных структур при комнатной температуре, а также показана корреляция чувствительности с изменением массовой доли УНТ в смеси УНТ/ZnO, что может быть использовано при создании сенсорных систем типа "электронный нос"

Найти похожие

19.

Инвентарный номер: нет.

   Ч-19

    Чаплыгин, Ю. А.
    Исследование влияния конструктивных параметров кантилеверов на чувствительность метода магнитной силовой микроскопии / Ю. А. Чаплыгин, В. И. Шевяков // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 71-75 : рис., табл. - Библиогр.: с. 75 (12 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАНТИЛЕВЕР -- МЕТОД МАГНИТНОЙ СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ -- ТОЛЩИНА МАГНИТНОГО ПОКРЫТИЯ -- ЧАСТИЦЫ ЖЕЛЕЗА -- МИКРОСКОП
Аннотация: Представлены результаты исследования влияния конструктивных параметров кантилеверов на чувствительность метода магнитной силовой микроскопии. Показано, что для обеспечения максимальной чувствительности метода необходимо использовать кантилеверы с толщиной магнитного покрытия и жесткостью балки, лежащей в диапазоне от 0.1 до 1.0 Н/м. При использовании данных кантилеверов удалось зарегистрировать локально расположенные однодоменные частицы железа размером ~50 нм

Найти похожие

20.

Инвентарный номер: нет.

   Г 83

    Гридчин, В. А.
    Влияние термических деформаций на температурную стабильность характеристик кремниевых резонансных сенсоров давления / В. А. Гридчин, М. А. Чебанов, В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 41-44 : рис. - Библиогр.: с. 44 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЕНСОРЫ ДАВЛЕНИЯ РЕЗОНАНСНЫЕ -- ДЕФОРМАЦИЯ ТЕРМИЧЕСКАЯ -- ДИОКСИД КРЕМНИЯ -- МЕТОД КОМПЕНСАЦИИ ТЕРМИЧЕСКИХ ДЕФОРМАЦИЙ -- ТЕМПЕРАТУРА
Аннотация: Результаты моделирования тепловых деформаций влияние на частоту, которую были представлены характеристики резонансных давления датчика (РТС). Было показано, сильная зависимость температуры чувствительность частоты резонанса РТС на толщины пленок диоксида кремния, используемых в процессе производства датчиков. Было предложено термо компенсация метод резонансной элемента с фильм диоксида кремния обратной стороне мембраны

Найти похожие

1-20 21-40 41-47

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)