Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (7)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (2)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (10)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (3)Расплавы (1)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (6)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ<.>)
Общее количество найденных документов : 47
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-40   41-47 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 13
Заглавие : Газовый сенсор на основе углеродных нанотрубок
Место публикации : Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 1. - С. 28
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): газовые сенсоры--углеродные нанотрубки
Аннотация: Высокая чувствительность электронных характеристик к присутствию молекул, сорбированных на поверхности, а также рекордная величина удельной поверхности, способствующая такой сорбции, делают углеродные нанотрубки (УНТ) перспективной основой для создания сверхминиатюрных сенсоров, определяющих содержание газовых примесей в атмосфере
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 45
Автор(ы) : Бабаевский П. Г., Резниченко Г. М., Жуков А. А., Жукова С. А., Гринькин Е. А.
Заглавие : Электромеханические преобразователи сенсорных микро- и наносистем: физические основы и масштабные эффекты. Часть 2. Детекторы, источники и характеристики шумов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 12. - С. 27-37: рис.
Примечания : Библиогр. : с. 37 (25 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сенсорные мэмс--нэмс--электромеханические преобразователи--детекторы--физические основы--масштабные эффекты--чувствительность--разрешающая способность--шумы--спектральная плотность флуктуаций
Аннотация: Во второй части обзора, посвященной аналитическому описанию емкостных, пьезорезистивных, оптоэлектронных и туннельных детекторов электромеханических преобразователей сенсорных микро- и наносистем, показано, что наиболее перспективными при переходе от микро- к наносистемам являются туннельные детекторы. Однако, в них резко проявляются побочные физико-химические, в первую очередь адгезионные и капиллярные, эффекты и силы. При переходе к наномасштабу в основных элементах электрохимических преобразователей существенную роль начинают играть различные флуктуационные процессы, в частности, термомеханичекие, температурные и адсорбционно-десорбционные в чувствительных механических элементах и электрические - в туннельных детекторах. Эти процессы в решающей степени определяют характер и величину помех (шумов) , соответственно, чувствительность и разрешающую способность сенсорных наносистем.
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/М 17
Автор(ы) : Максимов Е. М.
Заглавие : К вопросу о чувствительности многослойного тонкопленочного магниторезистивного датчика
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 12. - С. 45-49: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 49 (2 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 59
Автор(ы) : Бохов О. С., Бройко А. П., Корляков А. В., Лучинин В. В.
Заглавие : Микросенсор для контроля остаточного давления на основе периодического теплового режима
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 14-17: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 17 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ , 20-21 вв.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микросенсор--давление--мэмс
Аннотация: Существующие чувствительные элементы для измеpения давления ниже атмосфеpного обладают узким диапазоном измеpения, высокой погpешностью и огpаниченным сpоком службы, что связано как с констpуктивными, так и с методическими особенностями датчиков. предложена методика, основанная на исследовании пеpиодического теплового pежима в pаботе теpмоpезистоpного сенсора, позволяющая повысить чувствительность и снизить погpешность, а также уменьшить инеpционность чувствительных элементов за счет измеpения вpеменных, а не амплитудных паpаметpов сигнала
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 33
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А.
Заглавие : Тенденции развития инфракрасных детекторов с квантовыми точками
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 44-50: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с.50 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): детекторы инфракрасные--точки квантовые--ямы квантовые
Аннотация: Pассмотpены тенденции pазвития инфpакpасных детектоpов на квантовых точках. Обсуждаются преимущества таких детектоpов пеpед детектоpами на квантовых ямах, а именно чувствительность к ноpмально падающему излучению, фотоотклик в более широком спектpальном диапазоне, меньшие темновые токи, высокий коэффициент усиления фотопроводимости, более высокие значения чувствительности и обнаружительной способности, более высокие рабочие температуры, многоспектральный отклик
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 88
Автор(ы) : Петров В. В., Назарова Т. Н., Копылова Н. Ф., Заблуда О. В., Кисилев И., Брунс М.
Заглавие : Исследование физико-химических и электрофизических свойств, газочувствительных хаpактеpистик нанокомпозитных пленок состава SiO2-SnOx-CuOy
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 8. - С. 15-21: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с.21 (16 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): метод золь-гель--материал газочувствительный--диоксид азота
Аннотация: Приведены результаты изучения формирования тонких пленок газочувствительного материала состава SiO2-SnOx-CuOy золь-гель-методом. Было проведено исследование их физико-химических и электрофизических свойств, а также изучены газочувствительные характеристики. Определено, что сенсор газа, изготовленный на основе пленок газочувствительного материала состава SiO2-SnOx-CuOy проявляет селективную чувствительность к диоксиду азота в диапазоне рабочих температур 100...200 °C
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 94
Автор(ы) : Митько В. Н., Панич А. А., Мотин Д. В., Панич А. Е., Крамаров Ю. А.
Заглавие : Вычисление чувствительности балочного пьезогироскопа
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 10 . - С. 48-50: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с.50 (3 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пьезогироскоп--чувствительность к вращению--биморф
Аннотация: Для балочной конструкции пьезогироскопа с помощью конечно-элементного моделирования рассчитывается чувствительность устройства к вращению
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ш 75
Автор(ы) : Шмырева А. Н., Борисов А. В., Максимчук Н. В.
Заглавие : Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 99-104: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с.104 (24 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сенсеры электронные--пленки наноструктурные--метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Аннотация: Изучено влияние технологических параметров получения наноструктурных пленок СеОх на электронные, структурные, оптические и фотоэлектрические характеристики с целью их применения в качестве активного элемента различных микроэлектронных сенсоров: высокоэффективных фоторезисторов и МДП-фотодиодов для регистрации биолюминесценции, ион-селективных полевых транзисторов (ИСПТ) и МДП-варакторов, реагирующих на изменение рН в результате биохимических процессов. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии РФЭС показал, что в зависимости от технологических режимов, прежде всего от температуры подложки, изменяется соотношение концентраций ионов Се3+ и Се4+ в пленках СеОх, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны. Установлена корреляция этих изменений с оптическими и фотоэлектрическими характеристиками. На основе разработанных высокочувствительных фотоприемников и живых организмов (дафнии и биолюминесцентные бактерии) создан портативный электронный биолюменометрический комплекс для определения общей токсичности среды, вызванной патулином, бифентрином и хлорпирофосом. Минимальный порог чувствительности составил для патулина 0.1 мг/л за 2 ч и 0.01 мг/л за 6 и 24 ч эксперимента, бифентрина - 0.01 мг/л за 3 ч и 0.0001 мг/л за 24 ч эксперимента. Показано, что применение нанокристаллических пленок оксида церия СеОх в качестве диэлектрика МДП-структур повышает чувствительность и стабильность сенсоров этого типа благодаря высокой плотности поверхностных чувствительных центров CeOх (до 1020 м-2), большому значению диэлектрической проницаемости (? = 26) и ширине запрещенной зоны (3.6 эВ), низким значениям токов утечек. Приведены результаты применения ИСПТ и МДП-варакторов с нанокристаллической пленкой CeOх для создания иммунных и ферментных биосенсоров. Порог чувствительности ферментного сенсора на основе холинэстеразы к фосфорорганическим пестицидам составляет 10-9 М, ионам тяжелых металлов - 10-7 М. рН-чувствительность ИСПТ - 58 мВ/рН, что близко к максимально возможной чувствительности для структуры полупроводник-диэлектрик-раствор, т.н. Нернстовской чувствительности - 59 мВ/рН
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 13
Автор(ы) : Рембеза С. И., Кошелева Н. Н., Рембеза Е. С., Буслов В. А.
Заглавие : Газовая чувствительность пленок-композитов на основе SnO2, поверхностно-легированных платиной
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 12 . - С. 17-21: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 21 (7 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки диоксида олова--чувствительность газовая--легирование поверхностное платиной
Аннотация: Приведены данные о газовой чувствительности пленок-композитов на основе диоксида олова с добавкой кремния, поверхностно легированных платиной. Установлено, что поверхностно легированные пленки-композиты обладают хорошей чувствительностью к газамвосстановителям и позволяют понизить температуру максимальной газовой чувствительности
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/З-38
Автор(ы) : Захаров А. Г., Богданов С. А., Лытюк А. А.
Заглавие : Моделирование газовой чувствительности кондуктометрических сенсоров газов на основе оксидов металлов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 12-14: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 14 (20 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): чувствительность газовая--оксиды металлов--сенсоры газов кондуктометрические
Аннотация: Моделируется газовая чувствительность кондуктометрического сенсора газа с усредненными электрофизическими характеристиками. Полученные результаты могут быть использованы проектировании кондуктометрических сенсоров газов на основе оксидов металлов
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 88
Автор(ы) : Белостоцкая С. О., Кузнецов А. Е., Кузнецов Е. В., Рыбачек Е. Н., Чуйко О. В.
Заглавие : Использование кремниевых нанопроволочных структур в качестве биосенсоров
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 47-49: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 49 (2 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биосенсеры--структуры нанопроволочные кремниевые--чувствительность сенсора
Аннотация: Доведено исследование изготовленных в НПК "Технологический центр" кремниевых наноразмерных чувствительных элементов (нанопроволок) для создания биосенсоров на основе КНИ-структур. Показана возможность химической модификации поверхности кремниевых чувствительных элементов для создания биосенсоров на нано-проволочных транзисторах. На примере раствора стрептавидина продемонстрирована работа подобного биосенсора в режиме реального времени
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 96
Автор(ы) : Фетисов Ю. К., Чашин Д. В., Лебедев С. В., Сегала А. Г., Итальянцев А. Г., Горнев Е. С.
Заглавие : Пьезоэлектрический датчик магнитного поля на основе планарной биморфной структуры с током
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 4. - С. 45-48: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 48 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Описан пьезоэлектрический датчик постоянных магнитных полей в виде планарной биморфной структуры из цирконата-титаната свинца с дополнительным токовым проводником. Принцип работы датчика основан на комбинации силы Ампера и пьезоэффекта. Чувствительность датчика на частоте резонанса изгибных колебаний структуры составляет 10 В / (А . кЭ), а напряженность минимального регистрируемого поля -0,1 Э
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-53
Автор(ы) : Олейник А. С., Федоров А. В.
Заглавие : Регистрация лазерного излучения пленочными реверсивными средами на основе диоксида ванадия
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 5-6. - С. 120-129: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 129 (22 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В статье описаны пленочные реверсивные среды на основе диоксида ванадия Al-VO2-Д (диэлектрик) и VO2-Д (диэлектрик), реализующие изменение соответственно оптических и электрических свойств при фотоиндуцированном фазовом переходе полупроводник-металл (ФППМ). Среды получены путем окисления на воздухе напыленных в вакууме пленок ванадия. Приведены оптические, светотехнические параметры, а также разрешающая способность, дифракционная эффективность, энергетическая чувствительность среды Al-VO2-Д в зави- симости от характера лазерного излучения и указаны области ее применения (знакосинтезирующие индикаторы, визуализатор излучения, голографический транспарант). Определен термический гистерезис ФППМ в средах (величина скачка сопротивления, ширина петли гистерезиса) в зависимости от вариации технологии изготовления. Показано применение среды VO2-Д в качестве термочувствительного слоя теплового приемника излучения. Определена постоянная времени приемника, его чувствительность и фундаментальные шумы, ограничивающие чувствительность приемника. Приведены конструкции тепловых приемников излучения
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 59
Автор(ы) : Годовицын И. В.
Заглавие : Перспективная конструкция миниатюрного тензорезистивного преобразователя давления
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 10. - С. 2-8: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 8 (32 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Предлагается конструкция миниатюрного тензорезистивного преобразователя давления на КНИ-структуре. Преобразователь имеет тензорезисторы из монокристаллического кремния и мембрану из полиметаллического кремния, что позволяет совместить в конструкции достоинства традиционных и миниатюрных преобразователей давления - высокую чувствительность и маленькие габаритные размеры. Доведен расчет основных параметров преобразователя с помощью конечно-элементного моделирования. Доведен анализ параметров предложенного преобразователя в сравнении с преобразователями других типов
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 96
Автор(ы) : Сопильняк А. А., Фетисов Ю. К., Лебедев С. В., Сегалла А. Г.
Заглавие : Пьезоэлектрический резонансный датчик магнитного поля на основе планарной биморфной структуры с возбуждающей электромагнитной катушкой
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 33-37: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 37 (7 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Описан пьезоэлектрический датчик постоянных магнитных полей на основе планарной биморфной структуры из цирконата титаната свинца, возбуждаемый электромагнитной катушкой. Датчик использует силу Ампера, пьезоэффект и резонанс изгибных колебаний структуры для увеличения выходного напряжения. Датчик имеет чувствительность ~250 В/(А-Тл) и линейную зависимость выходного напряжения от поля в диапазоне полей ~10-5...0,3 Тл. Разработана методика расчета характеристик датчика
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 65
Автор(ы) : Козлов А. В., Королев М. А., Поломошнов С. А., Тихонов Р. Д., Черемисинов А. А., Шаманаев С. В.
Заглавие : Конструктивные и схемотехнические способы повышения чувствительности биполярных магнитотранзисторов для прецизионного контроля перемещений микромеханических элементов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 19-20: схема, табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 20 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: С использованием приборно-технологического моделирования и в процессе экспериментальных исследований установлено, что относительная по току чувствительность двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора определяется расположением электродов, легированием кармана, служащего базой, схемой включения с общим потенциалом базы и подложки, режимом работы вблизи насыщения, значением сопротивления нагрузки коллекторов
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 59
Автор(ы) : Амеличев В. В., Касаткин С. И., Поломошнов С. А., Решетников И. А., Тихонов Р. Д., Черемисинов А. А., Шаманаев С. В.
Заглавие : Микросистема контроля двух компонент вектора магнитной индукции на основе наноразмерных магниторезистивных структур
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 33-35: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 35 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Изготовлены и исследованы двухкоординатные датчики магнитного поля с использованием анизотропных магниторезисторов с полюсом барбера в двух вариантах топологии. Установлено, что распределение магнетосопротивлений по пластине влияет на разбаланс выходных напряжений моста Уитстона и мало влияет на чувствительность. Компактное топологическое расположение магнетосопротивлений уменьшает разбаланс мостов Уитстона
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 88
Автор(ы) : Чуйко О. В., Кузнецов А. Е.
Заглавие : Исследование кремниевых наноструктур в качестве рН-чувствительных элементов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 40-42: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 42 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Исследованы pH-чувствительные элементы, выполненные на основе кремниевых наноструктур. Формирование наноструктур осуществлялось методом "top-down" ("сверху-вниз"). Нано-проволочные структуры характеризуются более высокой чувствительностью. Интегрированный элемент на основе двух нанопроволок p- и n-типов может быть использован в качестве датчика локального относительного изменения концентрации[Н+]
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Д 38
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А., Мальцев П. П.
Заглавие : Детектирование в терагерцовом диапазоне
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 28-35: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 35 (20 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Обсуждаются проблемы, связанные с развитием технологии детекторов излучения терагерцового диапазона. Рассмотрены основные физические явления и недавний прогресс в различных методах детектирования терагерцевого излучения (прямого детектирования и гетеродинного детектирования). Обсуждаются преимущества и недостатки сенсоров прямого детектирования и сенсоров с гетеродинным детектированием
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 88
Автор(ы) : Назарова Т. Н., Сергиенко Д. В., Петров В. В., Кравченко Е. И.
Заглавие : Исследование физико-химических, эаектрофизических свойств и газочувствитеаьных характеристик нанокомпозитных пленок состава SiO2ZrOx
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 38-42: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 42 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассмотрено формирование тонких пленок газочувствительного материала состава SiO2ZrOx золь-гель методом. Было проведено исследование их физико-химических и электрофизических свойств, а также изучены газочувствительные характеристики. Определено, что сенсор газа, изготовленный на основе пленок газочувствительного материала состава SiO2ZrOx, проявляет селективную чувствительность к диоксиду азота в диапазоне рабочих температур 30...200 °С
Найти похожие

 1-20    21-40   41-47 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика