Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Э 94
Автор(ы) : Зайцев С. А., Орлов О. М., Горнев Е. С., Егоров К. В., Киртаев Р. В., Маркеев А. М., Заблоцкий А. В.
Заглавие : Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 10-15
Примечания : Библиогр.: с. 15 (15 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эффект резистивного переключения--атомно-слоевое осаждение--энергонезависимая память--оксид гафния
Аннотация: Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 94
Автор(ы) : Батурин А. С., Булах К. В., Григал И. П., Егоров К. В., Заблоцкий А. В., Маркеев А. М., Лебединский Ю. Ю., Горнев Е. С., Орлов О. М., Чуприк А. А.
Заглавие : Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl 1 - xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 13-18: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 18 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): метод атомно-слоевого осаждения--эффект резистивного переключения--пленки оксидные--пленки тонкие--методика рентгено-фотоэлектронной спектроскопии
Аннотация: В качестве функционального диэлектрического слоя ячейки резистивной памяти ReRAMразработаны и выращены методом атомно-слоевого осаждения тонкие пленки трехкомпонентного оксида Hf xAl 1- xlO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Выполнено неразрушающее профилирование оксидной пленки по глубине с использованием методики рентгено-фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. В структурах металл—диэлектрик—металл TiN/Hf xAl 1- xO y/Pt и Pt/Hf xAl 1- xO y/TiN исследован эффект резистивного переключения
Найти похожие
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика