Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (1559)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (10)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (185)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (22)Публикации об УрО РАН (1)Изобретения уральских ученых (1)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (5)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (195)Труды Института истории и археологии УрО РАН (34)Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН (1)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (214)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (16)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (396)Расплавы (848)Публикации Черешнева В.А. (80)Публикации Чарушина В.Н. (82)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (44)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Al<.>)
Общее количество найденных документов : 90
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 94

   
    Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl 1 - xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения / А. С. Батурин, К. В. Булах, И. П. Григал, К. В. Егоров, А. В. Заблоцкий, А. М. Маркеев, Ю. Ю. Лебединский, Е. С. Горнев, О. М. Орлов, А. А. Чуприк // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 13-18 : рис. - Библиогр.: с. 18 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ -- ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- ПЛЕНКИ ОКСИДНЫЕ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- МЕТОДИКА РЕНТГЕНО-ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Аннотация: В качестве функционального диэлектрического слоя ячейки резистивной памяти ReRAMразработаны и выращены методом атомно-слоевого осаждения тонкие пленки трехкомпонентного оксида Hf xAl 1- xlO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Выполнено неразрушающее профилирование оксидной пленки по глубине с использованием методики рентгено-фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. В структурах металл—диэлектрик—металл TiN/Hf xAl 1- xO y/Pt и Pt/Hf xAl 1- xO y/TiN исследован эффект резистивного переключения

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 61

    Колченко, Н. Н.
    Электронное строение и адсорбционная способность легированных металлических кластеров / Н. Н. Колченко, Н. А. Чернышев // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 7-8. - С. 29-33 : рис., табл. - Библиогр.: с. 33 (14 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КЛАСТЕРЫ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ -- ФУНКЦИОНАЛ ЭЛЕКТРОННОЙ ПЛОТНОСТИ (ФЭП) -- ПЛОТНОСТЬ -- МЕТОД КОМПЬЮТЕРНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- НАНОКЛАСТЕР -- НАНОЧАСТИЦЫ БИМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ -- АДСОРБЦИЯ
Аннотация: Методами компьютерного моделирования в приближении функционала электронной плотности (ФЭП) исследовано электронное строение биметаллических нанокластеров X12Y (X = Pt, Cu; Y = Ag, Al, Au, Bi, Cu, Ni, Pt, Ti). Установленные корреляции энергииадсорбции CO с химической природой примесных атомов, структурой кластеров и локальным строением центров адсорбции демонстрируют возможность направленного изменения физико-химических свойств биметаллических наночастиц

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 13

    Саврук, Е. В.
    Формирование светорассеиваюшего микрорельефа на поверхности керамических полложек из AL2O3 / Е. В. Саврук, С. В. Смирнов // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 33-34. - Библиогр.: с. 34 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
621.382
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВЕТОРАССЕИВАЮЩИЙ МИКРОРЕЛЬЕФ -- ЛАЗЕРНОЕ МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЕ -- СВЕТОДИОДНЫЙ МОДЕЛЬ
Аннотация: Приведены результаты исследований светорассеивающего микрорельефа на поверхности керамических подложек, созданные с помощью лазерной обработки. Показано, что лазерное микроструктурирование поверхности подложек позволяет повысить светоотдачу светодиодных модулей на 10...15 %

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 79

   
    Формирование карбидной оболочки на поверхности наночастиц алюминия и получение нанопорошков AL-AL4C3 методом электрического взрыва проволоки / Ю. А. Котов, И. В. Бекетов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 11-12. - С. 115-119 : рис., табл. - Библиогр. : с. 119 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ АЛЮМИНИЯ -- НАНОПОРОШКИ AL-AL4C3 -- ОБОЛОЧКА КАРБИДНАЯ -- МЕТОД ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ВЗРЫВА ПРОВОЛОКИ
Аннотация: Контролируемые добавки бутана в инертный рабочий газ установки в процессе получения нанопорошков алюминия методом электрического взрыва проволоки позволяют формировать на частицах карбидные оболочки, снижающие агломерацию частиц, а также получать нанопорошки Al-Al4C3 разного состава и дисперсности. Приводятся зависимости удельной поверхности порошка, содержания в нем кристаллического карбида алюминия от расхода добавляемого бутана при разных значениях введенной в проволоку энергии. Рассматривается морфология частиц. Полученные порошки анализировались методами BET, XRD, TG/DSC/MS, SEM, TEM

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 73

   
    ФМР, магнитные и резистивные свойства наноструктур {[(CoFeZr)m(Al2O3)100-m]x/(а-si)y}40 с гранулированными магнитными слоями. / С. А. Вызулин [и др.] // Нанотехника. - 2010. - № 3 . - С. 16-21 : рис. - Библиогр. : с. 21 (11 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВОЙСТВА НАНОСТРУКТУР МАГНИТНЫЕ -- НАНОПЛЕНКИ АМОРФНЫЕ МУЛЬТИСЛОЙНЫЕ -- КРЕМНИЙ -- СИЛИЦИДЫ
Аннотация: Проведен комплексный анализ резистивных, статических и динамических магнитных свойств мультислойных аморфных нанопленок, в которых в качестве магнитного слоя использован композит CoFeZr/Al2O3, а в качестве прослоек - гидрогенизированный кремний. Показано, что свойства таких систем определяются конкурирующими механизмами, связанными с толщинами магнитных слоев х и свойствами кремния. При малых х, несмотря на задаваемый состав композита (до и после порога перколяции), металлический слой состоит из несоприкасающихся гранул, магнитное взаимодействие между которыми существенно меняется при незначительном изменении толщины слоя. При толщинах слоев, меньших 2 нм, окись алюминия играет роль диэлектрического барьера, уменьшающего процесс образования силицидов. С ростом толщины прослоек кремния средняя намагниченность и намагниченность слоев резко уменьшаются за счет образования немагнитных силицидов. Установлено, что образование сплошных слоев кремния и немагнитных силицидов сопровождается созданием канала проводимости, уменьшающего на три порядка удельное сопротивление образцов

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: 217065 - кх.
   623
   Р 21

    Рамсден, Дж..
    Физико-технические основы бионанотехнологий и наноиндустрии [] : переводное издание / Дж. Рамсден. - Долгопрудный : Интеллект, 2013. - 335 с. - Библиогр.: с. 327-335. - Пер. изд. : Nanotechnology: An Introduction / J. Ramsden. - Amsterdam [et al.], 2011. - ISBN 978-5-91559-139-3 : 1282.00 р.
ГРНТИ
81.09
ББК 623.7я73 + 621.6я73
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ--ТЕХНИЧЕСКАЯ БИОЛОГИЯ--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: 217664 - кх.
   53
   К 16

    Каку, Митио.
    Физика будущего [] : переводное издание / М. Каку ; ред. М. Миловидова ; пер. с англ. Н. Лисовой. - 2-е изд. - М. : Альпина нон-фикшн : Династия, 2013. - 582, [1] с. - Пер. изд. : Physics of the future / M. Kaku. - New York [et al.], 2011. - ISBN 978-5-91671-217-9 : 619.00 р.
ГРНТИ
29.01
ББК 53я91
Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА В ЦЕЛОМ--ПОПУЛЯРНЫЕ ИЗДАНИЯ

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: 223445 - кх.
   541.1
   Д 39

    Деффейс, Кеннет.
    Удивительные наноструктуры [] : монография / К. Деффейс, С. Деффейс ; под ред. Л. Н. Патрикеева. - Москва : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2015. - 206 с. : ил. - Пер. изд. : Nanoscale Visualizing an Invisible World / K. S. Deffeyes, E. D. Deffeyes. - Cambridge [et al.], 2008. - ISBN 978-5-9963-0432-5 : 230.00 р.
ГРНТИ
31.15.19
29.19
ББК 541.171 + 539.2
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА
   ФИЗИКА--КРИСТАЛЛОГРАФИЯ--ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

  Оглавление
Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Н 63

    Николенко, С. В.
    Увеличение износостойкости стали 35 наноструктурированием поверхностностных слоев электроискровой обработкой / С. В. Николенко // Нанотехника. - 2011. - № 2. - С. 55-63 : табл., рис. - Библиогр. : с. 63 (15 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРЫ -- ИЗНОСОСТОЙКОСТЬ -- АНОПОРОШОК Al2O3 -- ИНГИБИТОР РОСТА ЗЕРНА -- КАРБИД ВОЛЬФРАМА -- ЛЕГИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОИСКРОВОЕ
Аннотация: Работа посвящена увеличению износостойкости стали 35 наноструктурированием измененных поверхностностных слоев электроискровой обработкой новыми электродными материалами для электроискрового легирования с использованием добавок нанодисперсного порошка Al2O3 в твердый сплав ВК8, используемого для замедления роста зерна. Введение в стандартный сплав ВК8 5-ти (масс.)% Al2O3 способствует уменьшению среднего размера зерна с 2,4 мкм до 0,84 мкм и увеличению микротвердости с 12,7 ГПа до 17,8 ГПа. Изучен процесс формирования ЛС на стали 35 с помощью механизированного ЭИЛ типовым сплавом ВК8 и сплавом ВК8 с добавкой 1-5 мас. % нанопорошка Al2O3. Определены наиболее эффективные режимы ЭИЛ и состав формируемых ЛС: частота 400 Гц и длительность до 80 мкс для электрода ВК8 с 1% добавкой нанопорошка Al2O3. Методами АСМ обнаружено формирование в процессе ЭИЛ в ЛС регулярной полосовой наноструктуры, образованной из наночастиц WC. Введение Al2O3 в ВК8 повышает износостойкость ЛС

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Х 12

    Хабибуллин, Р. А.
    Технология создания наногетероструктур AL xGa 1 – xAs/In yGA 1 – yAs/Al xGa 1 – xAs на арсениде галлия / Р. А. Хабибуллин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 6-8 : рис. - Библиогр.: с. 8 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТРАНЗИСТОР ПОЛЕВОЙ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРА -- СЛОЙ БАРЬЕРНЫЙ ПОДЗАТВОРНЫЙ ТОНКИЙ
Аннотация: Представлены разработка и исследование перспективного материала для наноэлектроники — наногетероструктур с приповерхностными квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьерным слоем. Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц.

Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика