Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (1559)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (10)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (185)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (22)Публикации об УрО РАН (1)Изобретения уральских ученых (1)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (5)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (195)Труды Института истории и археологии УрО РАН (34)Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН (1)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (214)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (16)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (396)Расплавы (848)Публикации Черешнева В.А. (80)Публикации Чарушина В.Н. (82)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (44)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Al<.>)
Общее количество найденных документов : 90
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ю 20
Автор(ы) : Юзеева Н. А.
Заглавие : Подвижность электронов в структурах с квантовой ямой in 0,52Al0,48As/In 0,53Gа0,47As на подложке InP
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 19-22: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 22 (9 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): подложка inp --яма квантовая--немт--подвижность электронов--inalas/ingaas--диаграммы зонные
Аннотация: Исследовано влияние изменения ширины квантовой ямы d на подвижности электронов в квантовой яме In 0,52Al 0,48As/In 0,53Gа 0,47AS на подложке InP. Подвижность немонотонно зависит от d. Максимальная подвижность, равная 53 500 см 2/(В • с), наблюдается при d = 160 Å. Получены из эффекта Шубникова — де Гааза и рассчитаны теоретически квантовая и транспортная подвижности электронов. Установлено, что преобладающим типом рассеяния электронов является рассеяние на ионах примеси. Кроме того, рассчитаны зонные диаграммы исследованных структур
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 94
Автор(ы) : Батурин А. С., Булах К. В., Григал И. П., Егоров К. В., Заблоцкий А. В., Маркеев А. М., Лебединский Ю. Ю., Горнев Е. С., Орлов О. М., Чуприк А. А.
Заглавие : Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl 1 - xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 13-18: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 18 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): метод атомно-слоевого осаждения--эффект резистивного переключения--пленки оксидные--пленки тонкие--методика рентгено-фотоэлектронной спектроскопии
Аннотация: В качестве функционального диэлектрического слоя ячейки резистивной памяти ReRAMразработаны и выращены методом атомно-слоевого осаждения тонкие пленки трехкомпонентного оксида Hf xAl 1- xlO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Выполнено неразрушающее профилирование оксидной пленки по глубине с использованием методики рентгено-фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. В структурах металл—диэлектрик—металл TiN/Hf xAl 1- xO y/Pt и Pt/Hf xAl 1- xO y/TiN исследован эффект резистивного переключения
Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 623/Х 17
Автор(ы) : Халл, Мэтью, Боумен, Диана
Заглавие : Нанотехнологии и экология: риски, нормативно-правовое регулирование и управление : переводное издание
Выходные данные : М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2013
Колич.характеристики :344 с
Серия: Нанотехнологии
Перевод издания: Nanotechnology Enviromental Health and Safety: Risks, Regulation and Management. -Amsterdam [et al.]
ISBN, Цена 978-5-9963-0512-4: 720.00 р.
ГРНТИ : 81.09
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ-- СЫРЬЕ-- МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Х 12
Автор(ы) : Хабибуллин Р. А.
Заглавие : Технология создания наногетероструктур AL xGa 1 – xAs/In yGA 1 – yAs/Al xGa 1 – xAs на арсениде галлия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 6-8: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 8 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзистор полевой --эпитаксия молекулярно-лучевая--наноэлектроника--наногетероструктура--слой барьерный подзатворный тонкий
Аннотация: Представлены разработка и исследование перспективного материала для наноэлектроники — наногетероструктур с приповерхностными квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьерным слоем. Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц.
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Ф 83
Автор(ы) : Франгульян Т. С., Гынгазов С. А., Курдюков С. А.
Заглавие : Исследование процессов спекания ультрадисперсных порошков на основе диоксида циркония, компактированных методами статического и магнитно-импульсного прессования
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 1. - С. 29-35: граф., рис.
Примечания : Библиогр.: с. 35 (10 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проведен сравнительный анализ процессов уплотнения пресс-образцов из ультрадисперсных порошков, получаемых методами статического, двустороннего и радиального магнитно-импульсного прессования для изготовления высококачественной нанокерамики. Рассмотрены кинетические закономерности уплотнения образцов на стадии нагрева и изотермической выдержки компактов, полученных различными способами. Для порошковой композиционной смеси ZrO2-Al2O3, наблюдается общая тенденция интенсификации процесса спекания высокоплотных композиционных компактов.
Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 623/Ф 81
Автор(ы) : Фостер, Лин
Заглавие : Нанотехнологии. Наука, инновации и возможности
Выходные данные : М.: Техносфера, 2008
Колич.характеристики :349 с.: ил.
Серия: Мир материалов и технологий; 18
Перевод издания: Foster L. E. Nanotechnology. Scince, Innovation, and Opportunity. -Boston [et. al.], 2006
ISBN, Цена 978-5-94836-161-1: 344.81, 740.00, р.
ГРНТИ : 81.09
ББК : 623.7 + 001.24(0)ж + Х404.321
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ-- СЫРЬЕ-- МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
НАУКА. НАУКОВЕДЕНИЕ-- ОРГАНИЗАЦИЯ НАУКИ
ПРАВО. ЮРИДИЧЕСКИЕ НАУКИ-- ОТРАСЛИ ПРАВА
Экземпляры : всего : кх(2), пф(1)
Свободны : кх(2), пф(1)
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 79
Автор(ы) : Котов Ю. А., Бекетов И. В., Медведев А. И., Мурзакаев А. М., Тимошенкова О. Р., Демина Т. М.
Заглавие : Формирование карбидной оболочки на поверхности наночастиц алюминия и получение нанопорошков AL-AL4C3 методом электрического взрыва проволоки
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 11-12. - С. 115-119: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 119 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастицы алюминия--нанопорошки al-al4c3 --оболочка карбидная--метод электрического взрыва проволоки
Аннотация: Контролируемые добавки бутана в инертный рабочий газ установки в процессе получения нанопорошков алюминия методом электрического взрыва проволоки позволяют формировать на частицах карбидные оболочки, снижающие агломерацию частиц, а также получать нанопорошки Al-Al4C3 разного состава и дисперсности. Приводятся зависимости удельной поверхности порошка, содержания в нем кристаллического карбида алюминия от расхода добавляемого бутана при разных значениях введенной в проволоку энергии. Рассматривается морфология частиц. Полученные порошки анализировались методами BET, XRD, TG/DSC/MS, SEM, TEM
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 73
Автор(ы) : Вызулин С. А., Горобинский А. В., Калинин Ю. Е., Лебедева Е. В., Ситников А. В., Сырьев Н. Е., Трофименко И. Т., Чекрыгина Ю. И., Шипкова И. Г.
Заглавие : ФМР, магнитные и резистивные свойства наноструктур {[(CoFeZr)m(Al2O3)100-m]x/(а-si)y}40 с гранулированными магнитными слоями.
Место публикации : Нанотехника. - 2010. - № 3 . - С. 16-21: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 21 (11 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проведен комплексный анализ резистивных, статических и динамических магнитных свойств мультислойных аморфных нанопленок, в которых в качестве магнитного слоя использован композит CoFeZr/Al2O3, а в качестве прослоек - гидрогенизированный кремний. Показано, что свойства таких систем определяются конкурирующими механизмами, связанными с толщинами магнитных слоев х и свойствами кремния. При малых х, несмотря на задаваемый состав композита (до и после порога перколяции), металлический слой состоит из несоприкасающихся гранул, магнитное взаимодействие между которыми существенно меняется при незначительном изменении толщины слоя. При толщинах слоев, меньших 2 нм, окись алюминия играет роль диэлектрического барьера, уменьшающего процесс образования силицидов. С ростом толщины прослоек кремния средняя намагниченность и намагниченность слоев резко уменьшаются за счет образования немагнитных силицидов. Установлено, что образование сплошных слоев кремния и немагнитных силицидов сопровождается созданием канала проводимости, уменьшающего на три порядка удельное сопротивление образцов
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 538.9/У 18
Автор(ы) : Уваров И. В., Наумов В. В., Амиров И. И.
Заглавие : Особенности изготовления металлических кантилеверов наноразмерной толщины
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 5-9. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 9 (17 назв.)
УДК : 538.9
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлектромеханические системы--наноконтилевер--плазменное травление--остаточные напряжения--термический отжиг--поверхность
Аннотация: Представлена методика изготовления металлических нанокантилеверов. Кантилеверы имели трехслойную структуру и изготавливались в двух вариантах: Cr/Al/Cr и Ti/Al/Ti. Толщина кантилеверов составляла 40, 80 и 120 нм. Отношение длины кантилевера к толщине достигало 2500. Освобождение кантилеверов выполнялось путем травления жертвенного слоя в плазме SFfi. При изготовлении кантилеверов Cr/Al/Cr применялся вакуумный термический отжиг. Для кантилеверов Ti/Al/Ti важным моментом являлся подбор режима освобождения
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Галперин В. А., Громов Д. Г., Кицюк Е. П., Маркеев А. М., Лебедев Е. А., Черникова А. Г., Дубков С. В.
Заглавие : Суперконденсатор на основе УНТ с использованием псевдоемкости тонких слоев оксидов металлов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 33-36: рис., граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 36 (10 назв.)
УДК : 544.643.076.2:539.2
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): суперконденсатор--двойной электрический слой--псевдоемкость--углеродные нанотрубки--атомно-слоевое осаждение
Аннотация: Исследуется роль псевдоемкости в повышении суммарной емкости суперконденсаторов. Продемонстрировано многократное увеличение емкости суперконденсаторов с электродами на основе углеродных нанотрубок, покрытых тонким слоем Al 2O 3 и TiO 2, наносимых методом атомно-слоевого осаждения
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика