Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (1560)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (10)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (185)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (22)Публикации об УрО РАН (1)Изобретения уральских ученых (1)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (5)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (195)Труды Института истории и археологии УрО РАН (34)Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН (1)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (214)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (16)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (396)Расплавы (848)Публикации Черешнева В.А. (80)Публикации Чарушина В.Н. (82)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (44)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Al<.>)
Общее количество найденных документов : 90
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 94
Автор(ы) : Батурин А. С., Булах К. В., Григал И. П., Егоров К. В., Заблоцкий А. В., Маркеев А. М., Лебединский Ю. Ю., Горнев Е. С., Орлов О. М., Чуприк А. А.
Заглавие : Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl 1 - xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 13-18: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 18 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): метод атомно-слоевого осаждения--эффект резистивного переключения--пленки оксидные--пленки тонкие--методика рентгено-фотоэлектронной спектроскопии
Аннотация: В качестве функционального диэлектрического слоя ячейки резистивной памяти ReRAMразработаны и выращены методом атомно-слоевого осаждения тонкие пленки трехкомпонентного оксида Hf xAl 1- xlO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Выполнено неразрушающее профилирование оксидной пленки по глубине с использованием методики рентгено-фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. В структурах металл—диэлектрик—металл TiN/Hf xAl 1- xO y/Pt и Pt/Hf xAl 1- xO y/TiN исследован эффект резистивного переключения
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 61
Автор(ы) : Колченко Н. Н., Чернышев Н. А.
Заглавие : Электронное строение и адсорбционная способность легированных металлических кластеров
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 7-8. - С. 29-33: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 33 (14 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кластеры металлические--функционал электронной плотности (фэп) --плотность--метод компьютерного моделирования --строение электронное --нанокластер--наночастицы биметаллические--адсорбция
Аннотация: Методами компьютерного моделирования в приближении функционала электронной плотности (ФЭП) исследовано электронное строение биметаллических нанокластеров X12Y (X = Pt, Cu; Y = Ag, Al, Au, Bi, Cu, Ni, Pt, Ti). Установленные корреляции энергииадсорбции CO с химической природой примесных атомов, структурой кластеров и локальным строением центров адсорбции демонстрируют возможность направленного изменения физико-химических свойств биметаллических наночастиц
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382/С 13
Автор(ы) : Саврук Е. В., Смирнов С. В.
Заглавие : Формирование светорассеиваюшего микрорельефа на поверхности керамических полложек из AL2O3
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 33-34. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 34 (5 назв.)
УДК : 621.382
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): светорассеивающий микрорельеф--лазерное микроструктурирование--светодиодный модель
Аннотация: Приведены результаты исследований светорассеивающего микрорельефа на поверхности керамических подложек, созданные с помощью лазерной обработки. Показано, что лазерное микроструктурирование поверхности подложек позволяет повысить светоотдачу светодиодных модулей на 10...15 %
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 79
Автор(ы) : Котов Ю. А., Бекетов И. В., Медведев А. И., Мурзакаев А. М., Тимошенкова О. Р., Демина Т. М.
Заглавие : Формирование карбидной оболочки на поверхности наночастиц алюминия и получение нанопорошков AL-AL4C3 методом электрического взрыва проволоки
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 11-12. - С. 115-119: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 119 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастицы алюминия--нанопорошки al-al4c3 --оболочка карбидная--метод электрического взрыва проволоки
Аннотация: Контролируемые добавки бутана в инертный рабочий газ установки в процессе получения нанопорошков алюминия методом электрического взрыва проволоки позволяют формировать на частицах карбидные оболочки, снижающие агломерацию частиц, а также получать нанопорошки Al-Al4C3 разного состава и дисперсности. Приводятся зависимости удельной поверхности порошка, содержания в нем кристаллического карбида алюминия от расхода добавляемого бутана при разных значениях введенной в проволоку энергии. Рассматривается морфология частиц. Полученные порошки анализировались методами BET, XRD, TG/DSC/MS, SEM, TEM
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 73
Автор(ы) : Вызулин С. А., Горобинский А. В., Калинин Ю. Е., Лебедева Е. В., Ситников А. В., Сырьев Н. Е., Трофименко И. Т., Чекрыгина Ю. И., Шипкова И. Г.
Заглавие : ФМР, магнитные и резистивные свойства наноструктур {[(CoFeZr)m(Al2O3)100-m]x/(а-si)y}40 с гранулированными магнитными слоями.
Место публикации : Нанотехника. - 2010. - № 3 . - С. 16-21: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 21 (11 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проведен комплексный анализ резистивных, статических и динамических магнитных свойств мультислойных аморфных нанопленок, в которых в качестве магнитного слоя использован композит CoFeZr/Al2O3, а в качестве прослоек - гидрогенизированный кремний. Показано, что свойства таких систем определяются конкурирующими механизмами, связанными с толщинами магнитных слоев х и свойствами кремния. При малых х, несмотря на задаваемый состав композита (до и после порога перколяции), металлический слой состоит из несоприкасающихся гранул, магнитное взаимодействие между которыми существенно меняется при незначительном изменении толщины слоя. При толщинах слоев, меньших 2 нм, окись алюминия играет роль диэлектрического барьера, уменьшающего процесс образования силицидов. С ростом толщины прослоек кремния средняя намагниченность и намагниченность слоев резко уменьшаются за счет образования немагнитных силицидов. Установлено, что образование сплошных слоев кремния и немагнитных силицидов сопровождается созданием канала проводимости, уменьшающего на три порядка удельное сопротивление образцов
Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 623/Р 21
Автор(ы) : Рамсден, Дж.
Заглавие : Физико-технические основы бионанотехнологий и наноиндустрии : переводное издание
Выходные данные : Долгопрудный: Интеллект, 2013
Колич.характеристики :335 с
Перевод издания: Ramsden J. Nanotechnology: An Introduction . -Amsterdam [et al.], 2011
Примечания : Библиогр.: с. 327-335
ISBN, Цена 978-5-91559-139-3: 1282.00 р.
ГРНТИ : 81.09
ББК : 623.7я73 + 621.6я73
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ-- СЫРЬЕ-- МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ-- ТЕХНИЧЕСКАЯ БИОЛОГИЯ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 53/К 16
Автор(ы) : Каку, Митио
Заглавие : Физика будущего : переводное издание . -2-е изд.
Выходные данные : М.: Альпина нон-фикшн: Династия, 2013
Колич.характеристики :582, [1] с
Перевод издания: Kaku M. Physics of the future. -New York [et al.], 2011
ISBN, Цена 978-5-91671-217-9: 619.00 р.
ГРНТИ : 29.01
ББК : 53я91
Предметные рубрики: ФИЗИКА-- ФИЗИКА В ЦЕЛОМ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие
8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 541.1/Д 39
Автор(ы) : Деффейс, Кеннет, Деффейс, Стефен
Заглавие : Удивительные наноструктуры
Выходные данные : Москва: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2015
Колич.характеристики :206 с.: ил.
Перевод издания: Deffeyes, K. S. Nanoscale Visualizing an Invisible World/ K. S. Deffeyes, E. D. Deffeyes. -Cambridge [et al.], 2008
ISBN, Цена 978-5-9963-0432-5: 230.00 р.
ГРНТИ : 31.15.19 + 29.19
ББК : 541.171 + 539.2
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ-- ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА
ФИЗИКА-- КРИСТАЛЛОГРАФИЯ-- ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
  Оглавление
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Н 63
Автор(ы) : Николенко С. В.
Заглавие : Увеличение износостойкости стали 35 наноструктурированием поверхностностных слоев электроискровой обработкой
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 2. - С. 55-63: табл., рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 63 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Работа посвящена увеличению износостойкости стали 35 наноструктурированием измененных поверхностностных слоев электроискровой обработкой новыми электродными материалами для электроискрового легирования с использованием добавок нанодисперсного порошка Al2O3 в твердый сплав ВК8, используемого для замедления роста зерна. Введение в стандартный сплав ВК8 5-ти (масс.)% Al2O3 способствует уменьшению среднего размера зерна с 2,4 мкм до 0,84 мкм и увеличению микротвердости с 12,7 ГПа до 17,8 ГПа. Изучен процесс формирования ЛС на стали 35 с помощью механизированного ЭИЛ типовым сплавом ВК8 и сплавом ВК8 с добавкой 1-5 мас. % нанопорошка Al2O3. Определены наиболее эффективные режимы ЭИЛ и состав формируемых ЛС: частота 400 Гц и длительность до 80 мкс для электрода ВК8 с 1% добавкой нанопорошка Al2O3. Методами АСМ обнаружено формирование в процессе ЭИЛ в ЛС регулярной полосовой наноструктуры, образованной из наночастиц WC. Введение Al2O3 в ВК8 повышает износостойкость ЛС
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Х 12
Автор(ы) : Хабибуллин Р. А.
Заглавие : Технология создания наногетероструктур AL xGa 1 – xAs/In yGA 1 – yAs/Al xGa 1 – xAs на арсениде галлия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 6-8: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 8 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзистор полевой --эпитаксия молекулярно-лучевая--наноэлектроника--наногетероструктура--слой барьерный подзатворный тонкий
Аннотация: Представлены разработка и исследование перспективного материала для наноэлектроники — наногетероструктур с приповерхностными квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьерным слоем. Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц.
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика