Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (2)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (2)Расплавы (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=GAN<.>)
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 58
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А.
Заглавие : Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучаюших структур на основе квантовых ям InGaN/GaN
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 27-35: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 35 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проанализированы способы определения внутренней квантовой эффективности светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN. Рассмотрены рекомбинационные свойства структур на основе квантовых ям InGaN/GaN, а также влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность таких светоизлучающих структур
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 87
Автор(ы) : Громов Д. В., Матвеев Ю. А., Федоров Ю. В.
Заглавие : Влияние радиации на характеристики элементов на нитриде галлия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 39-48: табл., рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 48 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проведен анализ радиационных эффектов в СВЧ-полупроводниковых приборах на основе нитрида галлия воздействии ионизирующего излучения. Исследовались характеристики диодов с барьером Шоттки, а также полевых транзисторных структур. Установлены физические механизмы радиационного изменения характеристик рассматриваемых GaN элементов
Найти похожие
3.

Вид документа :
Шифр издания : 620.3/М 59
Автор(ы) : Васильев А. Л., Роддатис В. В., Пресняков М. Ю., Орехов А. С., Лопатин С., Бондаренко В. И., Ковальчук М. В.
Заглавие : Микроструктура границ раздела в гетеросистемах
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 5-6. - С. 37-46: рис.
Примечания : Библиогр.: с. 46 (30 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетеросистемы--микроскопия растровая электронная --микроанализ энергодисперсионный рентгеновский --механизмовформирования слоев--гетероструктура
Аннотация: Представлены результаты исследований структуры границ раздела и тонких пленок в гетероструктурах с использованием просвечивающей и просвечивающей растровой электронной микроскопии с коррекцией сферической аберрации и сверхчувствительного энергодисперсионного рентгеновского микроанализа. На примерах гетероструктур различных материалов (Si/Ge, InGaAs/InAs, AlN/GaN, YBCO на различных подложках и LuFe(Co)O3/YSZ) показана возможность определения морфологии и атомной структуры границ раздела, механизмовформирования слоев
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Н 69
Автор(ы) : Мальцев П., Федоров Ю., Галиев Р., Михайлович С., Гнатюк Д.
Заглавие : Нитридные приборы миллиметрового диапазона
Место публикации : Наноиндустрия. - 2014. - № 3(49). - С. 40-51: рис., табл., граф. - ISSN 1993-8578. - ISSN 1993-8578
Примечания : Библиогр.: с. 51 (33 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): монолитная интегральная схема--свч-прибор--широкозонная гетероструктура
Аннотация: Анализ современного состояния и основных направлений развития технологии создания миллиметровых СВЧ-приборов на широкозонных гетероструктурах (Al,Ga,In)N/GaN показывает, что достигнутый в ИСВЧПЭ РАН технологический уровень находится в хорошем соответствии с общемировыми тенденциями и достижениями. Это создает предпосылки для создания и освоения российского промышленного производства комплектов монолитных интегральных схем для приемопередающих систем Ка-, V- и W-диапазонов частот, превосходящих по своим параметрам СВЧ-приборы на арсенидных гетероструктурах.
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 24
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А.
Заглавие : Светоиздучаюшие гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 16-23: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 23 (42 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассмотрены физические свойства нитридов III группы, а также светоизлучающих структур видимого и ультрафиолетового диапазона на их основе. Описываются конструкция и характеристики зарубежных и отечественных светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN. Проведен обзор современных работ, посвященных повышению квантового выхода светодиодов видимого диапазона
Найти похожие
6.

Вид документа :
Шифр издания : 620.3/Т 48
Автор(ы) : Ткачева А. А.
Заглавие : Плазменное травление GaN и его твердых растворов: достижения и перспективы
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 21-25: табл.
Примечания : Библиогр.: с. 25 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): травление сухое--нитрид галлия--gan--плазма индуктивно-связанная
Аннотация: Представлен обзор материалов по плазменному травлению GaN и твердых растворов на его основе, включающий описание различных источников, режимов и газов, применяемых плазменном травлении материалов нитридной группы, вопросы качества травления, а также применение плазменного травления в технологии производства современных НЕМТ-транзисторов
Найти похожие
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика