Поисковый запрос: (<.>K=GaAs<.>) |
Общее количество найденных документов : 20
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. 
| Инвентарный номер: нет.
П 76
Применение сканирующей силовой микроскопии для исследования тонких композитных слоев GaAs-MnAs [Текст] / М. П. Темирязева [и др.] // Нанотехника. - 2008. - № 1. - С. 96-100 : рис., табл. - Библиогр.: с. 100 (6 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Найти похожие
|
2.
| Инвентарный номер: нет.
Б 61
Биморфный пьезоэлектрический двигатель для МЭМС на основе GaAs [Текст] / Е. А. Вопилкин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 10. - С. 47-51 : рис. - Библиогр.: с. 51 (10 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
БИМОРФ -- ПЬЕЗОДВИГАТЕЛЬ -- МИКРОКОНСОЛЬ
Найти похожие
|
3.
| Инвентарный номер: нет.
А 16
Абрамов, И. И.
Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели / И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 3. - С. 10-13 : рис. - Библиогр. : с. 13 (21 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕЖЗОННОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ -- ДИОД -- ДВУХЗОННАЯ МОДЕЛЬ
Найти похожие
|
4.
| Инвентарный номер: нет.
Д 81
Дудин, А. А.
Лазеры на квантовых точках / А. А. Дудин // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 43-47 : рис. - Библиогр. : с. 47 (21 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЛАЗЕР -- ТОЧКИ КВАНТОВЫЕ -- КВАНТ
Аннотация: Рассматривается влияние размера квантовых точек на их фундаментальные свойства. Приведены примеры фактического использования этого эффекта и самих квантовых точек на примере лазерных приборов на GaAs. Были изучены некоторые виды квантовых точек и получены экспериментальные зависимости. Была выведена зависимость энергии квантовой точки от ее размера. В последнее время применение таких приборов стало широко распространенным, и изучение данной проблемы является достаточно важным для современной электроники
Найти похожие
|
5.
| Инвентарный номер: нет.
О-62
Оптические свойства фотонно-кристаллических структур на основе монокристаллического GaAs / Н. А. Ильин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 3. - С. 17-20 : рис. - Библиогр. : с. 20 (11 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРИСТАЛЛЫ ФОТОННЫЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- АРСЕНИД ГЕЛЛИЯ -- ВОЛНОВОДЫ ОПТИЧЕСКИЕ
Аннотация: Представлены результаты численного моделирования и экспериментального исследования оптических свойств двумерных полупроводниковых фотонных кристаллов в зависимости от параметров структур. Исследовано распределение электромагнитного поля в структуре фотонный кристалл-волновод в зависимости от параметров структуры и длины волны излучения
Найти похожие
|
6.
| Инвентарный номер: нет.
Н 25
Наноразмерные слои на основе полиамидокислот и полиамидоимидов в качестве защитного и пассивирующего покрытия в лазерных AlGaAs/GaAs гетероструктурах / А. А. Козырев [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 5-6. - С. 89-93 : рис., табл. - Библиогр. : с. 93 (22 назв.)
. - ISBN 1992-7223ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЛОИ НАНОРАЗМЕРНЫЕ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ALGAAS/GAAS ЛАЗЕРНЫЕ -- ПОКРЫТИЕ ПАССИВИРУЮЩЕЕ -- ПОЛИАМИДОКИСЛОТЫ -- ПОЛИАМИДОИМИДЫ
Аннотация: Проведено исследование возможности использования полиамидокислот (ПАК) и полиамидоимидов (ПАИ) для создания пассивирующего и защитного покрытия для выходного зеркала резонатора полупроводникового лазера. Морфология поверхности нанесенных пленок исследована методом атомно-силовой микроскопии. Изучена структура осажденных пленок, оценена их шероховатость. Анализ ватт-амперных характеристик лазерных диодов показал, что пленки на основе полиамидокислот заметно повышают значение предельной мощности полупроводниковых лазеров. Наибольшее значение пиковой мощности было получено для покрытий на основе полиамидокислот, по сравнению с полиамидоимидами. Значение пиковой мощности в 1.3 раза выше для лазерных структур с покрытием на основе поли-амидокислот по сравнению со структурами без полимерного покрытия
Найти похожие
|
7.
| Инвентарный номер: нет.
П 37
Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде / С. А. Пивоваренок [и др.] // Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 69-71 : рис. - Библиогр. : с. 71 (6 назв.)
. - ISSN 1816-4498ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТРАВЛЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНОЕ GAAS -- ПЛАЗМА -- ХЛОР -- ХЛОРОВОДОРОД
Аннотация: Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и хлороводорода применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС. Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, который является одним из самых перспективных материалов электроники будущего. Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. Кроме этого, GaAs является основным материалом квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе AlGaAs [1]
Найти похожие
|
8.
| Инвентарный номер: нет.
И 88
Использование метаморфной технологии для получения hemt-наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках GaAs и InP с различным содержанием InAs в активной области / Г. Б. Галиев [и др.] // Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии . - 2011. - № 12. - С. 8-11 : рис., табл. - Библиогр. : с. 11 (23 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ МЕТАМОРФНЫЕ -- БУФЕР МЕТАМОРФНЫЙ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- СВЕРХРЕШЕТКИ РАССОГЛАСОВАННЫЕ -- СВЕРХРЕШЕТКИ НАПРЯЖЕННЫЕ
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены MHEMT-наногетероструктуры InyAl1-yAs/InyGa1-yAs с различным содержанием InAs в активной области (около 40 % и более 70 %) на подложках GaAs и InР. Метаморфный буфер InxAl1-xAs варьировался по толщине и по составу с неизменным линейным законом возрастания x по толщине, а также был подвергнут модификации с помощью введения в него напряженных сверхрешеток. Показано, что путем выбора конструкции метаморфного буфера можно в наногетероструктурах на подложках GaAs добиться значений подвижности и концентрации двумерного электронного газа в квантовой яме InGaAAs, сравнимых со значениями в наногетероструктурах на подложках InР
Найти похожие
|
9.
| Инвентарный номер: нет.
С 31
Сеничкин, А. П.
Вольт-амперные характеристики системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия / А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии . - 2011. - № 12. - С. 11-12 : рис. - Библиогр. : с. 12 (1 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРЫ -- НИТИ КВАНТОВЫЕ -- ПРОВОЛОКИ КВАНТОВЫЕ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ
Аннотация: С помощью дифракции электронов было установлено, что атомы Sn декорируют края атомных террас вицинальной поверхности GaAs кристалла при дельта-легировании. Этот факт был использован для создания методом молекулярно-лучевой эпитаксии новой наноструктуры - системы проводящих нанонитей, состоящих из атомов олова, встроенных в кристалл GaAs. Обнаружена анизотропия вольт-амперных характеристик наноструктур, измеряемых в направлениях вдоль и поперек нанонитей
Найти похожие
|
10.
| Инвентарный номер: нет.
М 74
Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs / Д. С. Пономарев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 16-19 : рис., табл. - Библиогр. : с. 19 (5 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ТИПА А3В5
Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InР с составной квантовой ямой (КЯ) InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова - де Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m*с с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в КЯ нановставками InAs позволяет уменьшить m*с на 26 % по сравнению с КЯ In0,53Ga0,47As
Найти похожие
|
|
|
|
Главная
Новые поступления
Шлюз Z39.50
Каталог книг и продолжающихся изданий
Описание базы данных