Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Главная

Новые поступления

Описание

Базы данных

Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и продолжающихся изданий

Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН

Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )

Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)

Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)

Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН

Публикации об УрО РАН

Изобретения уральских ученых

Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)

Нанотехнологии

Демидовские премии

Гибель династии Романовых

История Урала

Личная библиотека С. В. Вонсовского

Книжная коллекция Шубиных

Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН

Труды Института истории и археологии УрО РАН

Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН

Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН

Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН

Расплавы

Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН

Публикации Черешнева В.А.

Публикации Чарушина В.Н.

Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН

Электронная энциклопедия «Дискурсология»

Библиометрия

Область поиска

Найдено в других БД:

Каталог книг и продолжающихся изданий (17)

Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (3)

Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (8)

Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (2)

Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (6)

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (78)

Расплавы (8)

Публикации Чарушина В.Н. (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=TIN<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Инвентарный номер: нет.

   Э 94


    Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN / С. А. Зайцев, О. М. Орлов, Е. С. Горнев, К. В. Егоров, Р. В. Киртаев, А. М. Маркеев, А. В. Заблоцкий // Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 10-15. - Библиогр.: с. 15 (15 назв.)

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ -- ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ -- ОКСИД ГАФНИЯ
Аннотация: Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах.

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Э 94


    Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl 1 - xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения / А. С. Батурин, К. В. Булах, И. П. Григал, К. В. Егоров, А. В. Заблоцкий, А. М. Маркеев, Ю. Ю. Лебединский, Е. С. Горнев, О. М. Орлов, А. А. Чуприк // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 13-18 : рис. - Библиогр.: с. 18 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ -- ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- ПЛЕНКИ ОКСИДНЫЕ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- МЕТОДИКА РЕНТГЕНО-ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Аннотация: В качестве функционального диэлектрического слоя ячейки резистивной памяти ReRAMразработаны и выращены методом атомно-слоевого осаждения тонкие пленки трехкомпонентного оксида Hf xAl 1- xlO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Выполнено неразрушающее профилирование оксидной пленки по глубине с использованием методики рентгено-фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. В структурах металл—диэлектрик—металл TiN/Hf xAl 1- xO y/Pt и Pt/Hf xAl 1- xO y/TiN исследован эффект резистивного переключения

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   С 34

    Сивков, А. А.
    Получение нанодисперсных кристаллических соединений титана при многократной и частотной работе коаксиального магнитоплазменного ускорителя / А. А. Сивков, А. С. Сайгаш, А. А. Евдокимов // Нанотехника. - 2010. - № 2 . - С. 66-71 : рис., табл. - Библиогр. : с. 71 (3 назв.) . - ISSN 1816-4498

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СОЕДИНЕНИЯ ТИТАНА КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ НАНОДИСПЕРСНЫЕ -- УСКОРИТЕЛЬ МАГНИТОПЛАЗМЕННЫЙ -- ПАУЗА БЕСТОКОВАЯ
Аннотация: В работе показано, что система на основе коаксиального магнитоплазменного ускорителя обеспечивает динамический синтез нанодисперсных кристаллических фаз на основе титана, таких как c-TiN и TiО2, при многократном использовании титанового ствола как расходного материала. Эффективность наработки материала с поверхности ускорительного канала титанового ствола увеличивается при циклической работе ускорителя с длительностью безтоковой паузы менее 1,0 сек

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   С 14

    Сайгаш, А. С.
    Получение нанодисперсного нитрида титана в высокоскоростной импульсной струе электроэрозионной плазмы [Текст] / А. С. Сайгаш, А. А. Сивков // Нанотехника. - 2008. - № 2. - С. 62-66 : рис., табл. - Библиогр.: с. 66 (4 назв.) . - ISSN 1816-4498

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОРОШОК TiN -- ЭЛЕКТРОРАЗРЯДНАЯ ПЛАЗМА

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   О-75


    Особенности взаимодействия экзогенных наночастиц тугоплавких фаз с ПАВ в модельном расплаве никеля с учетом размерного фактора / С. Н. Анучкин, В. Т. Бурцев, А. В. Самохин, М. А. Синайский // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 7-8. - С. 73-79 : рис., табл. - Библиогр.: с. 79 (33 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ГЕТЕРОФАЗНОЕ -- НАНОЧАСТИЦЫ ЭКЗОГЕННЫЕ -- РАСПЛАВ НИКЕЛЯ -- ТЕМПЕРАТУРА -- НАТЯЖЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ
Аннотация: В работе представлены результаты исследования взаимодействия наночастиц тугоплавких фаз (на примере Al 2O 3 и TiN) размером 30-100 нм с ПАВ в расплаве Ni-S с последующим удалением ансамблей НЧТФ + S на границы фаз Ме-керамика или Ме-газ. Разработана и обоснована методика выбора наночастиц для конкретного металла и ПАВ, а также методика введения наночастиц в расплав в виде композиционного материала наночастицы/(матричный металл). Исследована зависимость степени удаления серы при гетерофазном взаимодействии от размерных факторов: времени выдержки наночастиц в жидком металле; размера наночастиц; концентрации серы в модельном расплаве. Изучено изменение поверхностного натяжения и плотности расплавов при введении наночастиц; показано влияние природы и размера тугоплавких наночастиц на эти свойства при изменении температуры

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   И 88


    Исследование структуры однослойных покрытий TiN и многослойных покрытий TiN/ZrN / П. Л. Журавлева, И. А. Тренинков [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 9-10. - С. 112-116 : рис., табл. - Библиогр. : с. 116 (4 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОКРЫТИЯ ОДНОСЛОЙНЫЕ TIN -- ПОКРЫТИЯ МНОГОСЛОЙНЫЕ TIN/ZRN -- МЕТОД ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ (пэм) -- МЕТОД РЕНТГЕНОСТРУКТУРНОГО АНАЛИЗА (РСА)
Аннотация: B работе исследована структура ионоплазменных покрытий (однослойное - TiN и многослойное - TiN/ZrN), нанесенных на подложки из сплава ЭИ961, и определены величины остаточных напряжений в основных фазах покрытий. Исследование методом растровой электронной микроскопии (РЭМ) показало, что покрытие TiN/ZrN имеет периодичную слоистую структуру. Измерены толщины покрытий (~ 17 мкм) и толщины отдельных слоев (~ 75 нм). Результаты темнопольных исследований методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) показали, что слои TiN и ZrN являются поликристаллическими, размеры зерен сопоставимы с размерами слоев. Методом рентгеноструктурного анализа (РСА) определен фазовый состав покрытий, выбраны рентгеновские линии для определения остаточных напряжений (ОН), установлена однородность химического состава по глубине покрытия. В результате анализа остаточных напряжений показано, что в многослойном покрытии величина ОН на 40 % меньше, чем в однослойном. Напряжения в покрытиях являются сжимающими. Образцы с покрытием находятся в объемном напряженном состоянии, следовательно, напряжения в подложках обратны по знаку напряжениям в покрытиях. В многослойном покрытии величина ОН в фазе TiN на порядок меньше, чем в фазе ZrN

Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)