Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Главная

Новые поступления

Описание

Базы данных

Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и продолжающихся изданий

Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН

Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )

Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)

Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)

Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН

Публикации об УрО РАН

Изобретения уральских ученых

Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)

Нанотехнологии

Демидовские премии

Гибель династии Романовых

История Урала

Личная библиотека С. В. Вонсовского

Книжная коллекция Шубиных

Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН

Труды Института истории и археологии УрО РАН

Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН

Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН

Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН

Расплавы

Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН

Публикации Черешнева В.А.

Публикации Чарушина В.Н.

Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН

Электронная энциклопедия «Дискурсология»

Библиометрия

Область поиска

Найдено в других БД:

Каталог книг и продолжающихся изданий (4)

Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (20)

Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (4)

Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (23)

Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (124)

Расплавы (80)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Ta<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Инвентарный номер: нет.

   Ф 94


    Функциональные микро- и наноструктурированные слои на основе оксида вольфрама для высокотемпературных детекторов водорода на платформе Pt-оксид металла-SiC / В. Ю. Фоминский, Р. И. Романов, В. В. Зуев, А. Г. Гнедовец, М. И. Алымов // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 59-64 : рис. - Библиогр.: с. 64 (11 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХАРАКТЕРИСТИКИ ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ -- СЛОИ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ -- ОКСИД ВОЛЬФРАМА -- МИКРОСКОПИЯ СКАНИРУЮЩАЯ АТОМНОСИЛОВАЯ -- ПЛЕНКИ МЕТАЛЛООКСИДНЫЕ -- СВОЙСТВА ГАЗОСЕНСОРНЫЕ -- ТОКОПРОХОЖДЕНИЕ
Аннотация: Исследованы особенности формирования структуры и химического состава тонких пленок оксида вольфрама при варьировании условий импульсного лазерного осаждения на подложки из монокристаллического карбида кремния и последующего отжига. Для получения легированных пленок на основе оксида вольфрама при осаждении лазерного факела из вольфрамовой мишени проводилось дополнительное осаждение атомов Pt, Ti, Ta. В ряде случаев после формирования оксидного слоя наносилась тонкая пленка каталитически активного металла - платины. Структурное состояние полученных пленок исследовалось методами рентгеновской дифракции, электронной и атомносиловой сканирующей микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния. Газосенсорные свойства структур Pt-оксид-SiC исследовались путем измерения вольт-амперных характеристик при 300 °C на воздухе и в смеси воздуха с водородом (2 об. %). Установлено, что полученные металлооксидные пленки существенно различались морфологией и структурой на микро- и наноуровнях. Это оказывало существенное влияние на величину отклика на водород и на механизмы, определяющие газосенсорные свойства: токопрохождение в оксиде и величину потенциальных барьеров на границах раздела тонкопленочной структуры

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   С 40

    Сиренко, А. Н.
    Молекулярно-динамическое исследование нанокластеров Ag, Ar, Cu, Ni, Al, Fe, Ta, K и Cs в модели погруженного атома / А. Н. Сиренко, Д. К. Белащенко // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 76-80 : табл., рис. - Библиогр.: с. 80 (19 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОКЛАСТЕРЫ -- МОДЕЛИ ПОГРУЖЕННОГО АТОМА -- МЕТОД МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ -- ИНДЕКСЫ ТЕТРАЭДРИЧНОСТИ И ОКТАЭДРИЧНОСТИ -- КЛАСТЕР -- АТОМ -- ИССЛЕДОВАНИЕ МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКОЕ -- АТОМ ПОГРУЖЕННЫЙ -- ПОТЕНЦИАЛ МЕЖЧАСТИЧНЫЙ -- КОНФИГУРАЦИЯ
Аннотация: Методом молекулярной динамики исследовано влияние формы межчастичных потенциалов на структуру нанокластеров. Структуру нанокластера характеризовали многомерными векторами индексов тетраэдричности и октаэдричности симплексов Делоне, полученных при разбиении кластера на эти симплексы. Сходство или различие структур пары кластеров одинакового размера оценивалось по расстоянию между этими векторами. Применялись две группы потенциалов, а именно: 1) многочастичные потенциалы модели погруженного атома (Embedded Atom Model – ЕАМ), разработанные для описания металлов с ГЦК-решеткой (Ag, Cu, Ni, Al), и парный потенциал Леннард–Джонса для аргона (ГЦК-решетка) и 2) потенциалы ЕАМ для металлов с ОЦК-решеткой (Fe, Ta, K, Cs). Исследованы нанокластеры с числом атомов от 11 до 64, а также магических размеров (55, 147, 309, 561, 923). В случае нанокластеров с числом атомов менее 27 структура не зависит от принадлежности потенциала к одной из двух групп. В случае всех потенциалов 1-й группы структура кластеров с магическими размерами одинакова (правильная икосаэдрическая). В случае потенциалов 2-й группы одинаковые структуры получаются только у нанокластеров с числом атомов не более 29

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   М 74

    Мозалев, А. М.
    Интегральные высокочастотные конденсаторы с наноструктурными анодно-оксидными диэлектриками / А. М. Мозалев, А. Н. Плиговка, А. О. Крупко // Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 65-73 : рис., табл. - Библиогр. : с. 73 (21 назв.) . - ISSN 1816-4498

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕХАНИЗМ ИОННО-РЕЛАКСАЦИОННЫЙ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И ЧАСТОТНЫЕ
Аннотация: С помощью тонкопленочной технологии и анодирования изготовлены интегральные конденсаторы с тремя типами диэлектриков из наноструктурных анодных оксидов Al, сплава Al-Si (1%) и двухслойной системы Al/Ta. Конденсаторы обладают высокими пробивными напряжениями (до 270 В), малыми токами утечки (< 6 10-11 Аl/мм2 при 10 В) и низкими диэлектрическими потерями (tgS порядка 10-3 ). Обнаруженная дисперсия диэлектрической проницаемости и особенности температурных и частотных зависимостей tgd в диапазоне до 300 МГц свидетельствуют о ионно-релаксационном механизме поляризации со временем релаксации от 10 до 100 мкс в зависимости от типа диэлектрика. Конденсаторы эффективны как на низких частотах до 10 кГц, так и на радиочастотах

Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)