Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (4)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (20)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (4)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (23)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (124)Расплавы (80)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Ta<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 74
Автор(ы) : Мозалев А. М., Плиговка А. Н., Крупко А. О.
Заглавие : Интегральные высокочастотные конденсаторы с наноструктурными анодно-оксидными диэлектриками
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 65-73: рис., табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 73 (21 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: С помощью тонкопленочной технологии и анодирования изготовлены интегральные конденсаторы с тремя типами диэлектриков из наноструктурных анодных оксидов Al, сплава Al-Si (1%) и двухслойной системы Al/Ta. Конденсаторы обладают высокими пробивными напряжениями (до 270 В), малыми токами утечки ( 6 10-11 Аl/мм2 при 10 В) и низкими диэлектрическими потерями (tgS порядка 10-3 ). Обнаруженная дисперсия диэлектрической проницаемости и особенности температурных и частотных зависимостей tgd в диапазоне до 300 МГц свидетельствуют о ионно-релаксационном механизме поляризации со временем релаксации от 10 до 100 мкс в зависимости от типа диэлектрика. Конденсаторы эффективны как на низких частотах до 10 кГц, так и на радиочастотах
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 94
Автор(ы) : Фоминский В. Ю., Романов Р. И., Зуев В. В., Гнедовец А. Г., Алымов М. И.
Заглавие : Функциональные микро- и наноструктурированные слои на основе оксида вольфрама для высокотемпературных детекторов водорода на платформе Pt-оксид металла-SiC
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 59-64: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 64 (11 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): характеристики вольтамперные--слои наноструктурированные--оксид вольфрама--микроскопия сканирующая атомносиловая--пленки металлооксидные--свойства газосенсорные--токопрохождение
Аннотация: Исследованы особенности формирования структуры и химического состава тонких пленок оксида вольфрама при варьировании условий импульсного лазерного осаждения на подложки из монокристаллического карбида кремния и последующего отжига. Для получения легированных пленок на основе оксида вольфрама при осаждении лазерного факела из вольфрамовой мишени проводилось дополнительное осаждение атомов Pt, Ti, Ta. В ряде случаев после формирования оксидного слоя наносилась тонкая пленка каталитически активного металла - платины. Структурное состояние полученных пленок исследовалось методами рентгеновской дифракции, электронной и атомносиловой сканирующей микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния. Газосенсорные свойства структур Pt-оксид-SiC исследовались путем измерения вольт-амперных характеристик при 300 °C на воздухе и в смеси воздуха с водородом (2 об. %). Установлено, что полученные металлооксидные пленки существенно различались морфологией и структурой на микро- и наноуровнях. Это оказывало существенное влияние на величину отклика на водород и на механизмы, определяющие газосенсорные свойства: токопрохождение в оксиде и величину потенциальных барьеров на границах раздела тонкопленочной структуры
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 40
Автор(ы) : Сиренко А. Н., Белащенко Д. К.
Заглавие : Молекулярно-динамическое исследование нанокластеров Ag, Ar, Cu, Ni, Al, Fe, Ta, K и Cs в модели погруженного атома
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 76-80: табл., рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 80 (19 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанокластеры--модели погруженного атома--метод молекулярной динамики --индексы тетраэдричности и октаэдричности --кластер--атом--исследование молекулярно-динамическое --атом погруженный--потенциал межчастичный --конфигурация
Аннотация: Методом молекулярной динамики исследовано влияние формы межчастичных потенциалов на структуру нанокластеров. Структуру нанокластера характеризовали многомерными векторами индексов тетраэдричности и октаэдричности симплексов Делоне, полученных при разбиении кластера на эти симплексы. Сходство или различие структур пары кластеров одинакового размера оценивалось по расстоянию между этими векторами. Применялись две группы потенциалов, а именно: 1) многочастичные потенциалы модели погруженного атома (Embedded Atom Model – ЕАМ), разработанные для описания металлов с ГЦК-решеткой (Ag, Cu, Ni, Al), и парный потенциал Леннард–Джонса для аргона (ГЦК-решетка) и 2) потенциалы ЕАМ для металлов с ОЦК-решеткой (Fe, Ta, K, Cs). Исследованы нанокластеры с числом атомов от 11 до 64, а также магических размеров (55, 147, 309, 561, 923). В случае нанокластеров с числом атомов менее 27 структура не зависит от принадлежности потенциала к одной из двух групп. В случае всех потенциалов 1-й группы структура кластеров с магическими размерами одинакова (правильная икосаэдрическая). В случае потенциалов 2-й группы одинаковые структуры получаются только у нанокластеров с числом атомов не более 29
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика