Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 45
Автор(ы) : Суздалев И. П., Буравцев В. Н., Максимов Ю. В., Николаев А. Н.
Заглавие : Электрические и магнитные фазовые переходы первого рода в наноструктурах
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 1-2. - С. 105-108: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 108 (19 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассмотрена термодинамическая модель электрических фазовых переходов первого и второго рода, подобная модели магнитных фазовых переходов для наноструктур, например для металлического наноструктурированного европия. Показано, что для структур, обладающих электрическими фазовыми переходами первого рода, обязательно формирование наноструктур с размерами кристаллитов 30-50 нм. Уменьшение размеров нанокристаллитов в наноструктуре приводит к снижению интенсивности переходов и к уменьшению температуры переходов. Выводы модели находятся в соответствии с экспериментальными данными для электрических переходов и влияния на них размерных факторов в оксидах V2O3, VO2 и Fe3O4
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-53
Автор(ы) : Олейник А. С., Федоров А. В.
Заглавие : Регистрация лазерного излучения пленочными реверсивными средами на основе диоксида ванадия
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 5-6. - С. 120-129: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 129 (22 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В статье описаны пленочные реверсивные среды на основе диоксида ванадия Al-VO2-Д (диэлектрик) и VO2-Д (диэлектрик), реализующие изменение соответственно оптических и электрических свойств при фотоиндуцированном фазовом переходе полупроводник-металл (ФППМ). Среды получены путем окисления на воздухе напыленных в вакууме пленок ванадия. Приведены оптические, светотехнические параметры, а также разрешающая способность, дифракционная эффективность, энергетическая чувствительность среды Al-VO2-Д в зави- симости от характера лазерного излучения и указаны области ее применения (знакосинтезирующие индикаторы, визуализатор излучения, голографический транспарант). Определен термический гистерезис ФППМ в средах (величина скачка сопротивления, ширина петли гистерезиса) в зависимости от вариации технологии изготовления. Показано применение среды VO2-Д в качестве термочувствительного слоя теплового приемника излучения. Определена постоянная времени приемника, его чувствительность и фундаментальные шумы, ограничивающие чувствительность приемника. Приведены конструкции тепловых приемников излучения
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 89
Автор(ы) : Суздалев И. П.
Заглавие : Электрические и магнитные переходы в нанокластерах и наноструктурах
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 9-10. - С. 36-59: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 59 (43 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Обзор посвящен электронным и магнитным переходам в нанокластерах и наноструктурах. Проводится рассмотрение оригинальных моделей фазовых переходов, трактующих наблюдаемые электрические и магнитные переходы первого рода в ряде нанокластеров и наноструктур с помощью критического размера нанокластера и критической концентрации дефектов в наноструктурах, когда электропроводимость и намагниченность изменяется скачком. Приводится оригинальная модель перехода массивного твердого тела в наноструктуру, появление которой сопровождает фазовые переходы первого рода металл-диэлектрик в оксидах ванадия и магнетите. Рассматриваются электрические и магнитные переходы в изолированных нанокластерах и наноструктурах на основе V2O3, VO2, Fe3O4, aFe2O3 и yFe2O3??
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 79
Заглавие : Болометр с термочувствительным слоем из оксида ванадия VO x
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 44-52: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 52 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): чувствительность вольтовая--способность болометров обнаружительная--болометр--оксид ванадия
Аннотация: Исследованы электрические параметры термочувствительного слоя болометра VO x и морфология его поверхности. Определена относительная погрешность измерения, вносимая оксидным слоем VO x. Представлены расчетные и экспериментальные данные нагрева слоя VO x на 1 и 200 °С в диапазонах длин волн 0.5—3.39 мкм и 5.0—12 мкм в зависимости от длительности импульса излучения в диапазоне 1 — 10 -9 с на различных подложках. Исследованы зависимости: постоянной времени, вольтовой чувствительности болометра от размера приемной площадки и материала подложки. Рассчитаны: постоянная времени болометра, вольтовая чувствительность и эквивалентные значения напряжений фундаментальных шумов в зависимости от размеров приемной площадки, материалов подложки и частоты регистрируемого излучения. Приведены значения удельного теплового потока и обнаружительной способности болометров на частотах 1, 10, 20 Гц, выполненных на различных диэлектрических подложках. Описана модульная конструкция болометра, включающая герметичный корпус с приемным окном и преобразователь сопротивление-напряжение. Приведены зависимости напряжения с выхода болометра от величины воздействующего постоянного и импульсного излучения
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 91
Автор(ы) : Тутов Е. А.
Заглавие : Адсорбционно-стимулированный фазовый переход полупроводник — металл в диоксиде ванадия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 26-28: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 28 (23 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводник — металл --диоксид ванадия --переход фазовый--терморезистор пленочный--сенсоры--температура
Аннотация: По измерениям температурной зависимости проводимости пленочного терморезистора на основе диоксида ванадия обнаружено повышение температуры фазового перехода полупроводник — металл в VO 2 в атмосфере паров этанола и понижение температуры в парах воды. Проанализированы перспективы использования данного явления в сенсорах
Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)