Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (33)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (4)Расплавы (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=YSZ<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исследование кристаллографической текстуры и морфологии поверхности буферных слоев для ВТСП-2, нанесенных методом дуального термореактивного магнетронного напыления / С. Ю. Лучкин, И. И. Акимов, А. В. Кацай, Н. Н. Краснобаев, А. В. Митин, В. С. Митин, В. К. Орлов, А. О. Титов // Нанотехника. - 2011. - № 4. - С. 78-84 : рис. - Библиогр.: с. 84 (8 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕКСТУРА -- ВТСП -- СЛОИ БУФЕРНЫЕ -- ОКСИД МАГНИЯ -- ОСАЖДЕНИЕ С ИОННО-ПУЧКОВЫМ АССИСТИРОВАНИЕМ
Аннотация: Проведена серия экспериментов с варьированием технологических режимов при нанесении буферных пленочных покрытий из MgO и YSZ методом «дуального» термореактивного магнетронного напыления с ионным ассистированием (IBAD) на ленточную подложку из сплава Х20Н80-Н. Результаты исследований показывают, что кристаллическая стехиометрическая морфологически однородная пленка MgO толщиной до 100 нм, нанесенная на ленточную подложку, имеет преимущественно биаксиальную текстуру (200) с полушириной текстурного максимума 5-10°, при этом интенсивность дифракционного пика в случае применения IBAD существенно увеличивается. Кристаллическая пленка YSZ (200 нм) повторяет текстуру подложки. Полученные результаты свидетельствуют о возможности использования данных ленточных носителей с буферами в качестве основы для нанесения оксидных композиций для получения ВТСП-лент 2 поколения

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 59


   
    Микроструктура границ раздела в гетеросистемах / А. Л. Васильев, В. В. Роддатис, М. Ю. Пресняков, А. С. Орехов, С. Лопатин, В. И. Бондаренко, М. В. Ковальчук // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 5-6. - С. 37-46 : рис. - Библиогр.: с. 46 (30 назв.) . -
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГЕТЕРОСИСТЕМЫ -- МИКРОСКОПИЯ РАСТРОВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ -- МИКРОАНАЛИЗ ЭНЕРГОДИСПЕРСИОННЫЙ РЕНТГЕНОВСКИЙ -- МЕХАНИЗМОВФОРМИРОВАНИЯ СЛОЕВ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРА
Аннотация: Представлены результаты исследований структуры границ раздела и тонких пленок в гетероструктурах с использованием просвечивающей и просвечивающей растровой электронной микроскопии с коррекцией сферической аберрации и сверхчувствительного энергодисперсионного рентгеновского микроанализа. На примерах гетероструктур различных материалов (Si/Ge, InGaAs/InAs, AlN/GaN, YBCO на различных подложках и LuFe(Co)O3/YSZ) показана возможность определения морфологии и атомной структуры границ раздела, механизмовформирования слоев

Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика