Поисковый запрос: (<.>K=ZnS<.>) |
Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9 |
1.
| Витухновский А. Г. Светоиндуцированная нелинейность квантовых точек CdSe/ZnS с миллисекундным временем релаксации /А. Г. Витухновский, А. А. Исаев, В. С. Лебедев // Российские нанотехнологии, 2008. т.Т. 3,N № 11-12.-С.158-165
|
2.
| Войлов Д. Н. Релаксационные свойства нанокомпозита цеолит-полупроводник H-Beta-ZnS: широкополосная диэлектрическая спектроскопия/Д. Н. Войлов, Г. Ф. Новиков, Ю. В. Метелёва-Фишер // Российские нанотехнологии, 2009. т.Т. 4,N № 5-6.-С.72-77
|
3.
| Пленочный люминесцентный наносенсор на основе комплекса квантовая точка - органическая молекула /А. О. Орлова, В. Г. Маслов [и др.] // Российские нанотехнологии, 2010. т.Т. 5,N № 1-2.-С.61-66
|
4.
| Гибридные полимер-неорганические нанокомпозиты на основе ПВДФ+ZnS /А. М. Маггеррамов [и др.] // Нанотехника, 2011. т.№ 2
|
5.
| Тринеева В. В. Диэлектрические свойства нанокомпозитов на основе поливинилиденфторида и сульфида цинка /В. В. Тринеева, В. И. Кодолов, Г. И. Шайдурова // Нанотехника, 2011. т.№ 3.-С.47-49
|
6.
| Флуоресцентные свойства нанокомпозитов на основе полипропилена и сульфида цинка // Нанотехника, 2011. т.№ 4.-С.74-77
|
7.
| Магеррамов А. М. Экспериментальное исследование электрофизических свойств полимерных матричных композитов с наноструктурированым полупроводником на основе ПП + ZnS /А. М. Магеррамов, М. А. Рамазанов, А. Х. Керимова // Нанотехника, 2012. т.№ 2.-С.29-31
|
8.
| Сперанская Е. С. Приготовление водорастворимых квантовых точек CdSe/ZnS с кристаллической структурой сфалерита /Е. С. Сперанская, В. В. Гоффман, И. Ю. Горячева // Российские нанотехнологии, 2013. т.Т. 8,N № 1-2.-С.110-114
|
9.
| Фотофизические свойства гибридных комплексов из квантовых точек и реакционных центров пурпурных фотосинтетических бактерий Rhodobacter sphaeroides, адсорбированных на кристаллических мезопористых пленках Ti0 2 /Е. Г. Максимов, Е. П. Лукашев, Н. Х. Сейфуллина, Г. В. Низова, В. З. Пащенко // Российские нанотехнологии, 2013. т.Т. 8,N № 7-8.-С.11-17
|
|