Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=620.3<.>)
Общее количество найденных документов : 762
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   C 99


   
    Cамосборка ансамблей полистирольных субмикрочастиц, модифицированных стириловым красителем, в испаряющейся микрокапле раствора / Л. В. Ерошенко, П. В. Лебедев-Степанов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 11-12. - С. 69-72 : рис. - Библиогр. : с. 72 (17 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СУБМИКРОЧАСТИЦЫ ПОЛИСТИРОЛЬНЫЕ -- КРАСИТЕЛЬ СТИРИЛОВЫЙ -- САМОСБОРКА
Аннотация: Исследована зависимость морфологии ансамбля полистирольных частиц, осажденных на стеклянную подложку из испаряющейся капли коллоидного раствора, от наличия химически сорбированного на их поверхности стирилового красителя. Показано, что в присутствии сорбированного красителя формируется твердая фаза, более равномерно покрывающая подложку, но с менее выраженным дальним порядком расположения частиц

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   C 99


    Cоборовер , Э. И.
    Разработка бифункциональной акустооптической измерительной ячейки сенсорного типа для физико-химических и медико-биологических исследований нанопленой (технология "Lab on chip'') [Текст] / Э. И. Cоборовер , С. А. Кряжев // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 2. - С. 70-77 : рис. - Библиогр.: с. 77 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЯЧЕЙКИ СЕНСОРНОГО ТИПА -- НАНОПЛЕНКИ -- СЕНСОРНЫЙ ЭФФЕКТ

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Моделирование металлических и полупроводниковых одноэлектронных приборных структур с учетом пространственного квантования на островках / И. И. Абрамов, А. Л. Баранов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 2-6 : рис. - Библиогр. : с. 6 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА ОДНОЭЛЕКТРОННАЯ ПРИБОРНАЯ -- КВАНТОВАНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЕ -- МОДЕЛЬ ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКАЯ
Аннотация: Предложена модель одноэлектронных приборных структур, учитывающая эффект пространственного квантования на островках. Показано, что эффект может оказывать все более сильное влияние на вольт-амперные характеристики приборов с ростом числа островков и прикладываемых к ним смещений, а также уменьшением температуры окружающей среды

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Моделирование одноэлектронных приборных структур на основе молекул / И. И. Абрамов, А. Л. Баранов, И. Ю. Щербакова // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 10. - С. 18-20 : рис. - Библиогр. : с. 20 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОЛЕКУЛА -- СТРУКТУРА ПРИБОРНАЯ ОДНОЭЛЕКТРОННАЯ -- КВАНТОВАНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЕ
Аннотация: Показана универсальность модели, разработанной в рамках предложенного подхода к моделированию одноэлектронных приборных структур. С этой целью доведен расчет вольт-амперных характеристик структур, включающих и молекулы

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Моделирование резонансно-туннельного диода на основе Si/SiGe / И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 16-18 : рис. - Библиогр. : с. 18 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЧИСЛЕННОЕ -- ДИОД РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ -- МОДЕЛЬ ДВУХЗОННАЯ КОМБИНИРОВАННАЯ
Аннотация: Показано, что с помощью разработанной комбинированной двухзонной модели резонансно-туннельных диодов могут быть получены удовлетворительные результаты согласования расчетов вольт-амперной характеристики с экспериментальными данными для структуры на основе Si/SiGe

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1) / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 27-37. - Библиогр. : с. 37 (82 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Аннотация: Проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 10 . - С. 28-41. - Библиогр. : с. 41 (148 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК
Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 29-42. - Библиогр. : с. 42 (148 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СТРУКТУРА МДП
Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания «эры» данного типа приборных структур

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 19


    Аверин, И. А.
    Особенности низкотемпературной самоорганизации золей на основе двухкомпонентных систем диоксид кремния- диоксид олова / И. А. Аверин, Е. А. Печерская, И. А. Пронин // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 27-30 : рис. - Библиогр. : с. 30 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
САМООРГАНИЗАЦИЯ -- ЗОЛЬ-ГЕЛЬ-ТЕХНОЛОГИЯ -- СИСТЕМЫ ДВУХКОМПОНЕНТНЫЕ -- ДИОКСИД КРЕМНИЯ-ДИОКСИД ОЛОВА
Аннотация: Представлены физико-химические закономерности процессов охлаждения золей ортокремниевой кислоты ниже точки фазового перехода. Объяснено формирование строго упорядоченных кластеров, обладающих радиальной симметрией. Результаты моделирования подтверждены экспериментальными исследованиями

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 23


    Агафонов, В. М.
    Измерительные устройства на основе молекулярно-электронного переноса в микро- и наноструктурах / В. М. Агафонов, В. Г. Криштон, М. В. Сафонов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 6 . - С. 47-53 : рис. - Библиогр. : с. 53 (22 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕХНОЛОГИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЭЛЕКТРОННАЯ -- ПЕРЕНОС МОЛЕКУЛЯРНО-ЭЛЕКТРОННЫЙ -- МИКРОАКСЕЛЕРОМЕТРЫ
Аннотация: Важнейшим достоинством преобразователей, созданных на базе молекулярно-электронной технологии, является исключительно высокая крутизна преобразования механического сигнала в электpический ток. В основе действия приборов данного класса лежит принцип диффузионного переноса заряда в условиях вынужденной конвекции, возникающей действии внешнего ускоpе-ния. В данной работе показана возможность создания современных высокоточных микроакселерометров, основанных на молекулярно-электронном переносе (МЕТ - molecular-electron transfer) в наностpуктуpах

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика