Поисковый запрос: (<.>U=620.3<.>) |
Общее количество найденных документов : 762
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/C 99
Автор(ы) : Ерошенко Л. В., Лебедев-Степанов П. В., Молчанов С. П., Чернышов Н. А., Громов С. П., Сазонов С. К., Шевченко Н. Н., Меньшикова А. Ю., Алфимов М. В.
Заглавие : Cамосборка ансамблей полистирольных субмикрочастиц, модифицированных стириловым красителем, в испаряющейся микрокапле раствора
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 11-12. - С. 69-72: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223 Примечания : Библиогр. : с. 72 (17 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): субмикрочастицы полистирольные--краситель стириловый--самосборка Аннотация: Исследована зависимость морфологии ансамбля полистирольных частиц, осажденных на стеклянную подложку из испаряющейся капли коллоидного раствора, от наличия химически сорбированного на их поверхности стирилового красителя. Показано, что в присутствии сорбированного красителя формируется твердая фаза, более равномерно покрывающая подложку, но с менее выраженным дальним порядком расположения частиц
Найти похожие
|
2. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/C 99
Автор(ы) : Cоборовер Э. И., Кряжев С. А.
Заглавие : Разработка бифункциональной акустооптической измерительной ячейки сенсорного типа для физико-химических и медико-биологических исследований нанопленой (технология "Lab on chip'')
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 2. - С. 70-77: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 77 (17 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие
|
3. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И., Баранов А. Л.
Заглавие : Моделирование металлических и полупроводниковых одноэлектронных приборных структур с учетом пространственного квантования на островках
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 2-6: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 6 (15 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структура одноэлектронная приборная--квантование пространственное--модель физико-топологическая Аннотация: Предложена модель одноэлектронных приборных структур, учитывающая эффект пространственного квантования на островках. Показано, что эффект может оказывать все более сильное влияние на вольт-амперные характеристики приборов с ростом числа островков и прикладываемых к ним смещений, а также уменьшением температуры окружающей среды
Найти похожие
|
4. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И., Баранов А. Л., Щербакова И. Ю.
Заглавие : Моделирование одноэлектронных приборных структур на основе молекул
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 10. - С. 18-20: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 20 (19 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Показана универсальность модели, разработанной в рамках предложенного подхода к моделированию одноэлектронных приборных структур. С этой целью доведен расчет вольт-амперных характеристик структур, включающих и молекулы
Найти похожие
|
5. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И., Коломейцева Н. В.
Заглавие : Моделирование резонансно-туннельного диода на основе Si/SiGe
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 16-18: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 18 (13 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Показано, что с помощью разработанной комбинированной двухзонной модели резонансно-туннельных диодов могут быть получены удовлетворительные результаты согласования расчетов вольт-амперной характеристики с экспериментальными данными для структуры на основе Si/SiGe
Найти похожие
|
6. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1)
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 27-37. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 37 (82 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--металл-диэлектрик-полупроводник--наноэлектроника Аннотация: Проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур
Найти похожие
|
7. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 10 . - С. 28-41. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 41 (148 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--наноэлектроника--металл-диэлектрик-полупроводник Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур
Найти похожие
|
8. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 29-42. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 42 (148 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--наноэлектроника--структура мдп Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания «эры» данного типа приборных структур
Найти похожие
|
9. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/А 19
Автор(ы) : Аверин И. А., Печерская Е. А., Пронин И. А.
Заглавие : Особенности низкотемпературной самоорганизации золей на основе двухкомпонентных систем диоксид кремния- диоксид олова
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 27-30: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 30 (15 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Представлены физико-химические закономерности процессов охлаждения золей ортокремниевой кислоты ниже точки фазового перехода. Объяснено формирование строго упорядоченных кластеров, обладающих радиальной симметрией. Результаты моделирования подтверждены экспериментальными исследованиями
Найти похожие
|
10. ![](/WEBIRBIS/irbis64r_11/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/А 23
Автор(ы) : Агафонов В. М. , Криштон В. Г., Сафонов М. В.
Заглавие : Измерительные устройства на основе молекулярно-электронного переноса в микро- и наноструктурах
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 6 . - С. 47-53: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 53 (22 назв.)
УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): технология молекулярно-электронная--перенос молекулярно-электронный--микроакселерометры Аннотация: Важнейшим достоинством преобразователей, созданных на базе молекулярно-электронной технологии, является исключительно высокая крутизна преобразования механического сигнала в электpический ток. В основе действия приборов данного класса лежит принцип диффузионного переноса заряда в условиях вынужденной конвекции, возникающей действии внешнего ускоpе-ния. В данной работе показана возможность создания современных высокоточных микроакселерометров, основанных на молекулярно-электронном переносе (МЕТ - molecular-electron transfer) в наностpуктуpах
Найти похожие
|
|
|