Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Инвентарный номер: нет.

   П 53


    Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора / Т. Ф. Шкляр, Е. П. Дьячкова, О. А. Динисламова, А. П. Сафронов, Д. В. Лейман, Ф. А. Бляхман // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 89-94 : рис. - Библиогр.: с. 94 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОР -- СЛОИ УЛЬТРАТОНКИЕ -- ЭЛЕМЕНТЫ КНИ МДП-НАНОТРАНЗИСТОРА -- МЕТОД ВЫСОКОЧАСТОТНОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИК -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНОК HFO2 -- КНИ-СТРУКТУРА -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ИМПЛАНТАЦИЯ
Аннотация: Рассмотрены методы получения и свойства таких элементов КНИ МДП-нанотранзистора, как затвор/подзатворный диэлектрик, области истока/стока и омические контакты. Затворные структуры HfO2(50 нм)/Si (100) и W/HfO2(4 нм)/Si (100) создавались методом высокочастотного магнетронного распыления. Показано, что кристаллическая структура пленок HfO2 и их электрические характеристики (напряжение пробоя) являются взаимосвязанными. Для создания ультрамелких областей стока/истока использовалась высокодозовая плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора. В процессе быстрого термического отжига имплантированных слоев обнаружено существенное снижение количества бора у поверхности в КНИ-структуре. Образование омических контактов CoSi2 осуществлялось с использованием структур Ti(8 нм)/Co(10 нм)/Ti(5 нм), сформированных на Si-подложке ориентации (100). Установлено, что образовавшаясяся в результате двухстадийного отжига пленка CoSi2 обладает поверхностным сопротивлением 20 Ом/□

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   В 14


    Вакуумплотное матричное корпусирование сенсорных микроэлектромеханических систем (аналитический обзор). Часть 2*. формирование вакуумплотных электрических выводов, способы сохранения и контроля вакуума в рабочих полостях и общие тенденции развития технологии корпусирования с МЭМС / П. Г. Бабаевский , С. А. Жукова, Д. Ю. Обижаев, Е. А. Гринькин, В. Е. Турков, Г. М. Резниченко, Д. Д. Рискин, Ю. А. Бычкова // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 4. - С. 3-11. - Библиогр.: с. 11 (21 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

531.76

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЕНСОРНЫЕ МЭМС -- ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ -- КОРПУСИРОВАНИЕ НА УРОВНЕ ПЛАСТИН -- ТОНКОСЛОЙНОЕ КАПСУЛИРОВАНИЕ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ВЫВОДЫ -- КОНТАКТЫ -- МЕЖСОЕДИНЕНИЯ -- СОЕДИНИТЕЛЬНЫЕ СЛОИ -- ГАЗОПОГЛОТИТЕЛИ -- МЕМБРАННЫЕ СЕНСОРЫ -- СЕНСОРЫ ПИРАНИ -- БАЛОЧНЫЕ РЕЗОНАТОРЫ
Аннотация: Часть 2 обзора посвящена методам и проблемам формирования вакуумплотных электрических выводов к контактным площадкам, сохранения и контроля вакуума в рабочих полостях МЭМС, а также общим тенденциям развития технологии корпусирования сенсорных МЭМС, направленным на уменьшение размеров корпусов за счет использования новых материалов и процессов для соединения пластин, а также на компьютеризацию моделирования, проектирования, производства, испытания и оценки надежности и жизнеспособности С МЭМС в единой системе обеспечения их жизненного цикла

Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)