Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Сеничкин, А. П.$<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 17


   
    Разработка сверхвысокочастотной наноэаектроники / П. П. Мальцев, Ю. В. Федоров [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 14-16 : рис., табл. - Библиогр. : с. 16 (1 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКА СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ -- НАНОТЕХНОЛОГИЯ -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
Аннотация: Рассматриваются вопросы создания транзисторов и монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе наногетероструктур

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 31


    Сеничкин, А. П.
    Вольт-амперные характеристики системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия / А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии . - 2011. - № 12. - С. 11-12 : рис. - Библиогр. : с. 12 (1 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРЫ -- НИТИ КВАНТОВЫЕ -- ПРОВОЛОКИ КВАНТОВЫЕ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ
Аннотация: С помощью дифракции электронов было установлено, что атомы Sn декорируют края атомных террас вицинальной поверхности GaAs кристалла при дельта-легировании. Этот факт был использован для создания методом молекулярно-лучевой эпитаксии новой наноструктуры - системы проводящих нанонитей, состоящих из атомов олова, встроенных в кристалл GaAs. Обнаружена анизотропия вольт-амперных характеристик наноструктур, измеряемых в направлениях вдоль и поперек нанонитей

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 31


    Сеничкин, А. П.
    Особенности вольт-амперных характеристик системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия / А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 11. - С. 52-54 : рис. - Библиогр.: с. 54 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НИТИ КВАНТОВЫЕ -- ПРОВОЛОКИ КВАНТОВЫЕ -- НАНОСТРУКТУРЫ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ
Аннотация: Обнаружены особенности вольт-амперных характеристик, измеряемых в направлениях вдоль и поперек системы нанонитей атомов олова, расположенных в одной плоскости, встроенной в кристалл GaAs. при измерениях тока вдоль нанонитей в сильных электрических полях обнаружен перегиб электрического тока перед его насыщением; при измерениях тока поперек нанонитей в сильных электрических полях после насыщения тока возникает его нестабильность

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 31


    Сеничкин, А. П.
    Исследование токовой нестабильности в образцах, содержащих нанонити из атомов олова, встроенные в кристалл арсенида галлия / А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 3. - С. 32-34. - Библиогр.: с. 34 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОНИТИ -- КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ -- ДЕЛЬТА-ЛЕГИРОВАНИЕ -- АНИЗОТРОПИЯ -- НЕСТАБИЛЬНОСТЬ
Аннотация: Представлены результаты исследования колебаний, возникающих при протекании тока перпендикулярно нанонитям, встроенным в кристалл арсенида галлия. Обнаружено влияние тянущего напряжения, а также светового воздействия на колебания тока, что говорит о наличии глубокого потенциального рельефа при протекании тока перпендикулярно нанонитям

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 31


    Сеничкин, А. П.
    Оптимизация технологии получения pHEMT-структур на подложках GaAs с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова / А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 15-17 : табл., граф. - Библиогр.: с. 17 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Разработана конструкция и опробована технология изготовления pHEMT-наногетероструктур на вицинальных подложках GaAs с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова. Предложены способы улучшения этой технологии применительно к легированию оловом для получения заданного профиля. Изготовлен тестовый образец наногетероструктуры AlGaAs/lnGaAs с квазиодномерными каналами проводимости в квантовой яме с плотностью тока до 350мА/мм, достаточной для изготовления тестовых полевых транзисторов

Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика