Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Инвентарный номер: нет.

   А 28

    Адамов, Д. Ю.
    Усовершенствование структур моп-транзисторов в нанометровых технологиях [Текст] / Д. Ю. Адамов, О. С. Матвеенко // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 2. - С. 47-53 : рис. - Библиогр.: с. 62-63 919 назв) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОП-ТРАНЗИСТОРЫ -- НАПРЯЖЕНИЕ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   С 92


    Схемотехническое конструирование БИС преобразователя емкость - напряжение для микроэлектромеханических датчиков [Текст] / А. И. Белоус [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 8. - С. 19-19 : рис., табл. - Библиогр.: с. 19 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ КОНДЕНСАТОР -- МЭМС-ТЕХНОЛОГИЯ -- ТЕХНОЛОГИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СИЛ
Аннотация: Рассматриваются вопросы схемотехнического конструирования БИС преобразователя емкость - напряжение для электронной схемы микромеханического сенсора общего назначения. Предлагаемая структурная схема БИС может быть использована для построения МЭМС с емкостным выходом от чувствительного элемента

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Л 93

    Любимский, В. М.
    Изгиб длинной прямоугольной двухслойной пластинки при изменении температуры [Текст] / В. М. Любимский // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 12. - С. 6-11 : рис. - Библиогр. : с. 11 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ДЛИННАЯ СОСТАВНАЯ ПРЯМОУГОЛЬНАЯ ПЛАСТИНА -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ОТКЛОНЕНИЯ -- ДЕФОРМАЦИЯ -- НАПРЯЖЕНИЕ
Аннотация: Получена система дифференциальных уравнений изгиба длинной прямоугольной двухслойной пластинки при изменении температуры, позволяющая определять прогибы, деформации механические напряжения пластинки при различных условиях опирания краев. Получены точные решения системы дифференциальных уравнений для свободной, жестко защемленной и свободно опертой пластинок. Сравнение расчетных и экспериментальных результатов показало их хорошее согласие.

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Л 93

    Любимский, В. М.
    Изгиб длинной прямоугольной многослойной пластинки при изменении температуры и равномерном давлении / В. М. Любимский // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 3. - С. 17-22 : рис. - Библиогр. : с. 22 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ОТКЛОНЕНИЯ -- ДЕФОРМАЦИЯ -- НАПРЯЖЕНИЕ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   М 99

    Мятиев, А. А.
    Нанесение диэлектрических нанопленок на пористую поверхность анодной конденсаторной фольги / А. А. Мятиев, С. Н. Рязанцев, И. С. Кречетов // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 3. - С. 23-29 : рис. - Библиогр. : с. 29 (6 назв.)

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР -- ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ НАНОПЛЕНКИ -- ЭЛЕКТРОЕМКОСТЬ -- РАБОЧЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   П 75


    Прибор для уничтожения информации с флеш-носителей / Ю. В. Гуляев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 11. - С. 42-46 : рис. - Библиогр. : с. 46 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
УНИЧТОЖИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ -- ФЛЕШ-НОСИТЕЛИ -- ПОЛЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ -- НАПРЯЖЕНИЕ ВЫСОКОЕ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Т 38


    Технологический вариант реализации конструкции бис преобразователя емкость-напряжение для микроэлектромеханических датчиков / А. И. Белоус, И. В. Гасенкова [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 8. - С. 2-6 : рис., табл. - Библиогр. : с. 6 (6 наим.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИКИ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ -- КОНСТРУКЦИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ ПОСТРОЕНИЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЕМКОСТЬ-НАПРЯЖЕНИЕ
Аннотация: Рассмотрен один из вариантов конструктивно-технологического построения и создания БИС преобразователя емкость-напряжение для электронной схемы миниатюрных микроэлектромеханических датчиков с емкостным выходом. Предлагаемая БИС может быть использована для построения широкой номенклатуры МЭМС с емкостным выходом от чувствительного элемента на основе анодного оксида алюминия

Найти похожие

Инвентарный номер: 208349 - бр.ф.; 208350 - кх.
   648.4
   М 53

    Месяц, Геннадий Андреевич.
    Введение в наносекундную импульсную энергетику и электронику [] : курс лекций для физиков и инженеров / Г. А. Месяц , И. В. Пегель. - М. : ФИАН, 2009. - 191, [1] с. : граф., ил., табл. - Библиогр.: с. 189-191. - ISBN 978-5-902622-17-8 : 20.00 р.

ГРНТИ

47.09.99

ББК 648.47я7-2
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   М 92

    Мухуров, Н. И.
    Теоретическое моделирование плоскопараллельных двухэлектродных микроактюаторов / Н. И. Мухуров, Г. И. Ефремов, С. П. Жвавый // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 15-23 : рис. - Библиогр. : с. 23 (16 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОАКТЮАТОР -- НАПРЯЖЕНИЕ -- ТОК -- ЗАРЯД -- КОНСТРУКЦИЯ ПЛАНАРНАЯ
Аннотация: Предложен обобщенный метод расчета двухэлектродных электромеханических актюаторов. Определены основные соотношения электрических и механических сил в электростатических, электротоковых, электрозарядных актюаторах в полном рабочем цикле. Приведены соответствующие графические зависимости расчетов в конфетных вариантах конструкции

Найти похожие

10.

Инвентарный номер: нет.

   Г 55

    Глухова , О. Е.
    Теоретическое исследование распределения локальных напряжений графеновой наноленты / О. Е. Глухова , М. М. Слепченков // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 7. - С. 2-4 : рис. - Библиогр. : с. 4 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЛЕНТА -- НАНОЛЕНТА ГРАФЕНОВАЯ -- НАПРЯЖЕНИЕ ЛОКАЛЬНОЕ -- УГОЛ ПИРАМИДАЛИЗАЦИИ
Аннотация: Предложена методика расчета поля локальных напряжений, основанная на квантовой модели графеновой конечноразмерной наноленты и эмпирическом подходе в расчете энергии одного атома. С помощью данной методики рассчитано поле локальных напряжений сжатой на 6 % графеновой наноленты. Установлено, что распределение максимальных значений напряжения совпадет с распределением максимальных углов пирамидализации атомного каркаса. С помощью разработанной методики возможно прогнозировать появление дефектов при деформации

Найти похожие

11.

Инвентарный номер: нет.

   А 64


    Анализ стабильности электрофизических характеристик пьезокерамик различных составов, используемых для пьезоэлектрических генераторов повышенной мощности / В. А. Акопьян [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 1. - С. 37-41 : табл., рис. - Библиогр. : с. 41 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЬЕЗОКЕРАМИКА -- СЖАТИЕ ОДНООСНОЕ -- НАПРЯЖЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ВЫХОДНОЕ -- ГЕНЕРАТОРЫ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- КОНСТАНТЫ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований влияния амплитуд сжимающих напряжений на значение пьезоэлектрических констант и на генерируемый пьезоэлементами электрический заряд. Показано, что наибольшая стабильность выходного электрического напряжения имеет место у пьезоэлементов из керамики, спеченной по горячепрессованной технологии, в частности у пьезокерамики ПКР-78. Установлено, что среди основных параметров, характеризующих стабильность выходной мощности nьезогенераторов наиболее достоверным является пьезомодуль d33 сегнетокерамического материала

Найти похожие

12.

Инвентарный номер: нет.

   Г 55

    Глухова , О. Е.
    Стабильность тонких углеродных бамбукоподобных нанотрубок / О. Е. Глухова , А. C. Колесникова // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 2-6 : рис. - Библиогр. : с. 6 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СИНТЕЗ -- НАНОТРУБКИ БАМБУКОПОДОБНЫЕ -- НАПРЯЖЕНИЕ ЛОКАЛЬНОЕ -- ПЛОТНОСТЬ ЭНЕРГИИ ОБЪЕМНАЯ
Аннотация: Теоретический поиск стабильных наноструктур осуществлялся с помощью определения расстояния между атомами после процесса оптимизации структуры методом сильной связи. Поиск стабильности бамбукоподобных нанотрубок проводился путем нахождения локального напряжения атомной сетки с помощью эмпирического метода. Карта напряжений рассчитывалась для бамбукоподобных нанотрубок различного диаметра. Показано, что бамбукоподобные нанотрубки диаметром 2,024 нм являются стабильными нанотрубками наименьшего диаметра и не разрушаются после процесса оптимизации.

Найти похожие

13.

Инвентарный номер: нет.

   К 60

    Колмогоров, Г. Л.
    Особенности технологии производства низкотемпературных нанокомпозитных сверхпроводников / Г. Л. Колмогоров, Т. В. Чернова, Ю. А. Власова // Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 23-26 : рис. - Библиогр. : с. 26 (5 назв.) . - ISSN 1816-4498

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МАТЕРИАЛ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЙ -- НАПРЯЖЕНИЕ -- ДЕФОРМАЦИЯ -- ВОЛОЧЕНИЕ МНОГОКРАТГНОЕ -- СОСТОЯНИЕ ТЕРМОУПРУГОЕ
Аннотация: В статье рассматриваются температурные режимы нанокомпозитных сверхпроводников для международного термоядерного экспериментального реактора (ИТЭР). Предложен критерий сохранения последеформационной сплошности низкотемпературной сверхпроводниковой заготовки из условий термоупругого состояния компонентов нанокомпозита с целью обеспечения условия безобрывности деформируемой заготовки в процессе волочения

Найти похожие

14.

Инвентарный номер: нет.

   К 68

    Королева, В. А.
    Оценка характеристик микроразмерных слоистых исполнительных элементов устройств микросистемной техники / В. А. Королева, Д. В. Болтунов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 4. - С. 42-45 : рис., табл. - Библиогр. : с. 45 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕХНИКА МИКРОСИСТЕМНАЯ -- ДЕФОРМАЦИЯ -- ЗАВИСИМОСТЬ "НАГРУЗКА-ДЕФОРМАЦИЯ" -- ЖЕСТКОСТЬ ИЗГИБНАЯ ИСПОЛНИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА
Аннотация: Проведена расчетно-экспериментальная оценка характеристик подвижных исполнительных элементов электростатических актюаторов: деформации от нагрузки, с последующим расчетом их изгибной жесткости, модуля Юнга конструкционного материала, электрического напряжения срабатывания. Показано, что с увеличением толщины слоя никеля возрастают расчетно-экспериментальные значения изгибной жесткости конструкции. Установлено, что напряжение срабатывания уменьшается при уменьшении толщины слоя никеля. Измеренные значения превышают расчетные, что может быть связано с особенностями технологии изготовления

Найти похожие

15.

Инвентарный номер: нет.

   Г 55

    Глухова, О. Е.
    Исследование прочности на разрыв моно- и бислойного графена / О. Е. Глухова, В. В. Шунаев // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 25-29 : рис., табл., граф. - Библиогр.: с. 29 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ -- МЕТОД АТОМ-АТОМНЫХ ПОТЕНЦИАЛОВ -- НАПРЯЖЕНИЕ КРИТИЧЕСКОЕ -- СИЛА ПРЕДЕЛЬНАЯ -- ГРАФЕН -- ГРАФЕН БИСЛОЙНЫЙ И МОНОСЛОЙНЫЙ
Аннотация: С помощью метода молекулярной динамики исследованы механические свойства однослойного и бислойного графена: определены критические напряжения и предельные силы для данных структур. Критические напряжения для однослойного и бислойного графена составляют 126 и 196 ГПа соответственно. Значение предельной силы для однослойного графена равно 437,83 нН, для бислойного - 679,81 нН

Найти похожие

16.

Инвентарный номер: нет.

   П 76


    Применение атомной силовой микроскопии в исследованиях взаимодействия липопротеидов с интимой артерий / О. Е. Глухова , И. В. Кириллова, Г. Н. Маслякова, Е. Л. Коссович, Д. А. Заярский, А. А. Фадеев // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 34-39 : рис. - Библиогр.: с. 39 (23 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭНДОТЕЛЕЙ -- ДЕФОРМАЦИЯ -- НАПРЯЖЕНИЕ НОРМАЛЬНОЕ -- НАПРЯЖЕНИЕ КАСАТЕЛЬНОЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНЕЧНО-ЭЛЕМЕНТНОЕ -- ЛИПОПРОТЕИД -- МИКРОСКОПИЯ АТОМНО-СИЛОВАЯ -- ИНТИМА АРТЕРИЙ
Аннотация: Разработана оригинальная методика сканирования морфологии интимы артерий с помощью атомной силовой микроскопии с применением зондовой нанолаборатории NTEGRASpectra (НТ-МДТ, Россия). Получены картины топологии интимы коронарной артерии с разрешением 1 нм. Построена 3D-модель комплекса "поверхность эндотелиальной клетки - ЛНП" и с помощью пакета ANSYS рассчитана деформация липопротеидов низкой плотности (ЛНП), а также карта напряжений при соударении макромолекулы с поверхностью эндотелия. В месте взаимодействия ЛНП с поверхностью наблюдаются наибольшие нормальные и касательные напряжения, равные 2,173 и 0,053 кПа соответственно. Показано, что структура ЛНП испытывает сильные деформации, которые приводят к сжатию молекулы с одновременным замятием. Таким образом, при попадании ЛНП в щель между клетками макромолекула будет испытывать всесторонние деформации и значительную модификацию молекулярной структуры

Найти похожие

17.

Инвентарный номер: нет.

   Б 79


    Болометр с термочувствительным слоем из оксида ванадия VO x // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 44-52 : рис., табл. - Библиогр.: с. 52 (13 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ВОЛЬТОВАЯ -- СПОСОБНОСТЬ БОЛОМЕТРОВ ОБНАРУЖИТЕЛЬНАЯ -- БОЛОМЕТР -- ОКСИД ВАНАДИЯ
Аннотация: Исследованы электрические параметры термочувствительного слоя болометра VO x и морфология его поверхности. Определена относительная погрешность измерения, вносимая оксидным слоем VO x. Представлены расчетные и экспериментальные данные нагрева слоя VO x на 1 и 200 °С в диапазонах длин волн 0.5—3.39 мкм и 5.0—12 мкм в зависимости от длительности импульса излучения в диапазоне 1 — 10 -9 с на различных подложках. Исследованы зависимости: постоянной времени, вольтовой чувствительности болометра от размера приемной площадки и материала подложки. Рассчитаны: постоянная времени болометра, вольтовая чувствительность и эквивалентные значения напряжений фундаментальных шумов в зависимости от размеров приемной площадки, материалов подложки и частоты регистрируемого излучения. Приведены значения удельного теплового потока и обнаружительной способности болометров на частотах 1, 10, 20 Гц, выполненных на различных диэлектрических подложках. Описана модульная конструкция болометра, включающая герметичный корпус с приемным окном и преобразователь сопротивление-напряжение. Приведены зависимости напряжения с выхода болометра от величины воздействующего постоянного и импульсного излучения

Найти похожие

18.

Инвентарный номер: нет.

   К 58

    Кожушнер, М. А.
    Молекулярный холодильник и термоэлектрические явления в условиях туннельно-резонансной проводимости / М. А. Кожушнер // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 1-2. - С. 46-51. - Библиогр.: с. 51 (33 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХОЛОДИЛЬНИК МОЛЕКУЛЯРНЫЙ -- ПРОВОДИМОСТЬ ТУНЕНЕЛЬНО-РЕЗОНАНСНАЯ -- ЯВЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- МЕТАЛЛ-МОЛЕКУЛА-МЕТАЛЛ -- ТОК РЕЗОНАНСНЫЙ -- КОЭФФИЦИЕНТ ПЕЛЬТЬЕ -- НАПРЯЖЕНИЕ -- ЭЛЕКТРОД -- КОЭФФИЦИЕНТ ЗЕЕБЕКА
Аннотация: Развита теория термоэлектрических явлений в цепи металл-молекула-металл в случае осуществления резонансной проводимости через молекулу. Показано, что резонансный ток может охлаждать один из электродов при напряжениях, когда резонансный уровень несколько не доходит до уровня Ферми: при электронном резонансе электронный уровень выше уровня Ферми охлаждающегося катода, а при дырочном резонансе дырочный уровень ниже уровня Ферми охлаждающегося анода. Охлаждающий электрод поток энергии пропорционален резонансному току, и каждый электрон тока уносит из соответствующего электрода энергию несколько больше kT. Такой молекулярный холодильник эффективен, пока kT больше, чем полная ширина резонансного уровня. Найдены коэффициенты Пельтье и Зеебека для случая, когда резонансный уровень близок к уровню Ферми уже при нулевом напряжении

Найти похожие

19.

Инвентарный номер: нет.

   П 96


    Пьезоэлектрический резонансный датчик магнитного поля с планарной возбуждающей катушкой / Д. А. Бурдин, Ю. К. Фетисов, Д. А. Чашин, Н. А. Экономов, Е. М. Савченко // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 37-40 : рис. - Библиогр.: с. 40 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ -- ДАТЧИК ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЗОНАНСНЫЙ -- СИЛА АМПЕРА -- ПЬЕЗОЭФФЕКТ -- ПЛАСТИНА БИМОРФНАЯ -- ПЬЕЗОЭЛЕКТРИК
Аннотация: Изготовлен и исследован пьезоэлектрический датчик постоянного магнитного поля, использующий комбинацию силы Ампера, пьезоэффекта и акустического резонанса. Датчик представляет собой биморфную пластину из цирконата-титаната свинца, один конец которой закреплен, а на другом расположена планарная электромагнитная катушка. При пропускании через катушку тока с частотой, равной частоте изгибных колебаний пластины, пьезоэлектрик генерирует переменное напряжение, амплитуда которого пропорциональна постоянному полю. Датчик имеет чувствительность ~200 В/(А • Тл) в диапазоне полей ~10 -7...0,3 Тл и диапазоне температур 220...370К

Найти похожие

20.

Инвентарный номер: нет.

   П 53


    Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора / Т. Ф. Шкляр, Е. П. Дьячкова, О. А. Динисламова, А. П. Сафронов, Д. В. Лейман, Ф. А. Бляхман // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 89-94 : рис. - Библиогр.: с. 94 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОР -- СЛОИ УЛЬТРАТОНКИЕ -- ЭЛЕМЕНТЫ КНИ МДП-НАНОТРАНЗИСТОРА -- МЕТОД ВЫСОКОЧАСТОТНОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИК -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНОК HFO2 -- КНИ-СТРУКТУРА -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ИМПЛАНТАЦИЯ
Аннотация: Рассмотрены методы получения и свойства таких элементов КНИ МДП-нанотранзистора, как затвор/подзатворный диэлектрик, области истока/стока и омические контакты. Затворные структуры HfO2(50 нм)/Si (100) и W/HfO2(4 нм)/Si (100) создавались методом высокочастотного магнетронного распыления. Показано, что кристаллическая структура пленок HfO2 и их электрические характеристики (напряжение пробоя) являются взаимосвязанными. Для создания ультрамелких областей стока/истока использовалась высокодозовая плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора. В процессе быстрого термического отжига имплантированных слоев обнаружено существенное снижение количества бора у поверхности в КНИ-структуре. Образование омических контактов CoSi2 осуществлялось с использованием структур Ti(8 нм)/Co(10 нм)/Ti(5 нм), сформированных на Si-подложке ориентации (100). Установлено, что образовавшаясяся в результате двухстадийного отжига пленка CoSi2 обладает поверхностным сопротивлением 20 Ом/□

Найти похожие

1-20 21-23

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)