Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Инвентарный номер: нет.

   О-75


    Особенности характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двучзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл [Текст] / М. Л. Бараночников [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 12. - С. 45-48 : рис. - Библиогр. : с. 48 (6 назв.)

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КНИ-СТРУКТУРА -- ПОЛЕВОЙ ДАТЧИК ХОЛЛА -- ДВУХЗАТВОРНАЯ УПРАВЛЯЮЩАЯ СИСТЕМА -- МОП-ТРАНЗИСТОР -- ТОК-ЗАТВОРНЫЕ И ХОЛЛ-ЗАТВОРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Аннотация: Проведены измерения ток-затворных и холл-затворных характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двухзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл. Продемонстрирована возможность управления характеристиками КНИ ПДХ путем раздельного и совместного упрваления потенциалами затворов.

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   С 17


    Самосборка гибридных наноструктур "полупроводник/J-агрегат органического красителя" в обратных мицеллах АОТ/вода/гексан / Л. М. Николенко [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. - С. 72-80 : рис. - Библиогр. : с. 80 (25 назв.) . - ISSN 1992-7223

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГИБРИДНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ -- МИЦЕЛЛЯРНЫЙ РАСТВОР -- J-АГРЕГАТ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   В 65

    Войлов, Д. Н.
    Релаксационные свойства нанокомпозита цеолит-полупроводник H-Beta-ZnS: широкополосная диэлектрическая спектроскопия / Д. Н. Войлов, Г. Ф. Новиков, Ю. В. Метелёва-Фишер // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 5-6. - С. 72-77 : рис., табл. - Библиогр. : с. 77 (12 назв.) . - ISSN 1195-078

ББК 623.7
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СПЕКТРОСКОПИЯ -- ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ -- ЦЕОЛИТНАЯ МАТРИЦА

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Б 44

    Беляева, А. О.
    Моделирование диффузионных процессов через барьерное покрытие в полупроводниковые ветви термоэлектрических модулей / А. О. Беляева, В. А. Солнцев // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 1. - С. 2-7 : рис., табл. - Библиогр. : с. 7 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586

ББК 623.7
Рубрики: МАТЕМАТИКА--ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ МАТЕМАТИКА, ЧИСЛЕННЫЙ АНАЛИЗ И ПРОГРАММИРОВАНИЕ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЕ -- ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСТВО -- ПОЛУПРОВОДНИК -- ПЕЛЬТЬЕ ЭФФЕКТ -- ТЕЛЛУРИД ВИСМУТА -- ДИФФУЗИЯ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   А 16

    Абрамов, И. И.
    Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1) / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 27-37. - Библиогр. : с. 37 (82 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Аннотация: Проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   А 16

    Абрамов, И. И.
    Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 10 . - С. 28-41. - Библиогр. : с. 41 (148 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК
Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Ш 75

    Шмырева, А. Н.
    Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия / А. Н. Шмырева, А. В. Борисов, Н. В. Максимчук // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 99-104 : рис., табл. - Библиогр. : с.104 (24 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЕНСЕРЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ПЛЕНКИ НАНОСТРУКТУРНЫЕ -- МЕТОД РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Аннотация: Изучено влияние технологических параметров получения наноструктурных пленок СеОх на электронные, структурные, оптические и фотоэлектрические характеристики с целью их применения в качестве активного элемента различных микроэлектронных сенсоров: высокоэффективных фоторезисторов и МДП-фотодиодов для регистрации биолюминесценции, ион-селективных полевых транзисторов (ИСПТ) и МДП-варакторов, реагирующих на изменение рН в результате биохимических процессов. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии РФЭС показал, что в зависимости от технологических режимов, прежде всего от температуры подложки, изменяется соотношение концентраций ионов Се3+ и Се4+ в пленках СеОх, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны. Установлена корреляция этих изменений с оптическими и фотоэлектрическими характеристиками. На основе разработанных высокочувствительных фотоприемников и живых организмов (дафнии и биолюминесцентные бактерии) создан портативный электронный биолюменометрический комплекс для определения общей токсичности среды, вызванной патулином, бифентрином и хлорпирофосом. Минимальный порог чувствительности составил для патулина 0.1 мг/л за 2 ч и 0.01 мг/л за 6 и 24 ч эксперимента, бифентрина - 0.01 мг/л за 3 ч и 0.0001 мг/л за 24 ч эксперимента. Показано, что применение нанокристаллических пленок оксида церия СеОх в качестве диэлектрика МДП-структур повышает чувствительность и стабильность сенсоров этого типа благодаря высокой плотности поверхностных чувствительных центров CeOх (до 1020 м-2), большому значению диэлектрической проницаемости (? = 26) и ширине запрещенной зоны (3.6 эВ), низким значениям токов утечек. Приведены результаты применения ИСПТ и МДП-варакторов с нанокристаллической пленкой CeOх для создания иммунных и ферментных биосенсоров. Порог чувствительности ферментного сенсора на основе холинэстеразы к фосфорорганическим пестицидам составляет 10-9 М, ионам тяжелых металлов - 10-7 М. рН-чувствительность ИСПТ - 58 мВ/рН, что близко к максимально возможной чувствительности для структуры полупроводник-диэлектрик-раствор, т.н. Нернстовской чувствительности - 59 мВ/рН

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   А 16

    Абрамов, И. И.
    Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 29-42. - Библиогр. : с. 42 (148 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СТРУКТУРА МДП
Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания «эры» данного типа приборных структур

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   О-53

    Олейник, А. С.
    Регистрация лазерного излучения пленочными реверсивными средами на основе диоксида ванадия / А. С. Олейник, А. В. Федоров // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 5-6. - С. 120-129 : рис., табл. - Библиогр. : с. 129 (22 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИОКСИД ВАНАДИЯ -- СРЕДЫ ПЛЕНОЧНЫЕ РЕВЕРСИВНЫЕ -- ИЗЛУЧЕНИЕ ЛАЗЕРНОЕ
Аннотация: В статье описаны пленочные реверсивные среды на основе диоксида ванадия Al-VO2-Д (диэлектрик) и VO2-Д (диэлектрик), реализующие изменение соответственно оптических и электрических свойств при фотоиндуцированном фазовом переходе полупроводник-металл (ФППМ). Среды получены путем окисления на воздухе напыленных в вакууме пленок ванадия. Приведены оптические, светотехнические параметры, а также разрешающая способность, дифракционная эффективность, энергетическая чувствительность среды Al-VO2-Д в зави- симости от характера лазерного излучения и указаны области ее применения (знакосинтезирующие индикаторы, визуализатор излучения, голографический транспарант). Определен термический гистерезис ФППМ в средах (величина скачка сопротивления, ширина петли гистерезиса) в зависимости от вариации технологии изготовления. Показано применение среды VO2-Д в качестве термочувствительного слоя теплового приемника излучения. Определена постоянная времени приемника, его чувствительность и фундаментальные шумы, ограничивающие чувствительность приемника. Приведены конструкции тепловых приемников излучения

Найти похожие

10.

Инвентарный номер: нет.

   Б 73

    Богданов, С. А.
    Моделирование распределения потенциала в барьерах шоттки с учетом краевых эффектов / С. А. Богданов, А. Г. Захаров, А. А. Лытюк // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 12-15 : рис. - Библиогр. : с. 15 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
БАРЬЕР ШОТТКИ -- ЭФФЕКТ КРАЕВОЙ -- ПОТЕНЦИАЛ ЭЛЕКТРОСТАТИСТИЧЕСКИЙ
Аннотация: Разработана методика определения электростатического потенциала в полупроводниковом материале контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки, учитывающая краевые эффекты, а также неоднородное пространственное распределение электрически активных примесей в полупроводнике. Методика позволяет прогнозировать наиболее вероятный механизм переноса носителей заряда в контакте металл-полупроводник с учетом его топологии, а также выполнить дальнейшее моделирование его вольт-амперной характеристики

Найти похожие

11.

Инвентарный номер: нет.

   Д 38


    Детекторы ультрафиолетового диапазона на основе контакта металл- полупроводник из соединения AlGaN / И. Д. Бурлаков, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, К. С. Журавлев // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 37-47 : рис., табл. - Библиогр.: с. 47 (27 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДЕТЕКТОРЫ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ДИАПАЗОНА -- БАРЬЕР ШОТТКИ -- СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК-МЕТАЛЛ -- ALGAN -- ДИАПАЗОН ДЛИН ВОЛН "СОЛНЕЧНО-СЛЕПОЙ"
Аннотация: Рассмотрены детекторы ультрафиолетового диапазона на основе контакта металл-полупроводник из AlGaN. Проанализированы последние разработки в области дискретных и матричных детекторов на основе барьеров Шоттки, структур металл-полупроводник-металл

Найти похожие

12.

Инвентарный номер: нет.

   С 60


    Солнечные ячейки на основе гибридных гетероструктур из органических полупроводников и квантовых точек / С. В. Дайнеко, М. В. Артемьев, И. Р. Набиев, М. Г. Тедорадзе, А. А. Чистяков // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 2-6 : рис. - Библиогр.: с. 6 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЯЧЕЙКА СОЛНЕЧНАЯ -- МАТЕРИАЛЫ ГИБРИДНЫЕ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ -- ФОТОВОЛЬТАИКА -- ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИК ОРГАНИЧЕСКИЙ
Аннотация: Полупроводниковые квантовые точки (КТ) характеризуются высоким коэффициентом экстинкции, зависимым от размера наночастиц, и дают высокий квантовый выход заряда. КТ имеют высокий коэффициент переноса заряда в органический полупроводник. Описаны разработанные гибридные материалы на основе органического полупроводника полиимида (PI) или поли-(2-метокси-5(2'-этил-гексилокси)-1,4-фениленви-нелен) (MEH-PPV) и КТ CdSe. Эффективность фотовольтаического преобразования оптимизированных структур PI-КТ приближается к лучшим структурам на основе MEH-PPV. Включение КТ в MEH-PPV приводит к дополнительному увеличению фотоэффективности этой системы на 50 %, что открывает новые возможности разработки структур на основе неорганических/органических гибридных материалов со значительно улучшенными фотоэлектрическими свойствами

Найти похожие

13.

Инвентарный номер: нет.

   О-75


    Особенности фазовых переходов в наноразмерном диоксиде ванадия: магнитные характеристики / Д. В Назаров, О. М. Осмоловская, Н. П. Бобрышева, В. М. Смирнов, И. В. Мурин // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 11-12. - С. 75-82 : рис., табл. - Библиогр.: с. 82 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИОКСИД ВАНАДИЯ НАНОРАЗМЕРНЫЙ -- ХАРАКТЕРИСТИКИ МАГНИТНЫЕ -- МЕТОД МОЛЕКУЛЯРНОГО НАСЛАИВАНИЯ -- МАТРИЦЫ -- ФППМ -- ТЕМПЕРАТУРА
Аннотация: Методом молекулярного наслаивания получены образцы чистого и легированного хромом или железом наноразмерного диоксида ванадия различной морфологии на поверхности матриц с различной структурой: аморфном кремнеземе и монокристаллическом кремнии. Образцы охарактеризованы методами фотометрии и магнетохимического анализа. На основании анализа температурных зависимостей магнитных характеристик продемонстрировано наличие в образцах фазового перехода полупроводник-металл (ФППМ) и показано, что его характеристики зависят от типа матрицы, природы и количества легирующего элемента. Температура ФППМ понижается с 340 К (значение, характерное для массивного материала) до 100—180 К в зависимости от состава и строения наших образцов

Найти похожие

14.

Инвентарный номер: нет.

   П 38

    Плеханов, В. Г.
    Изотопическое создание полупроводникового графена / В. Г. Плеханов, Л. М. Журавлева // Нанотехника. - 2012. - № 3. - С. 34-38 : рис. - Библиогр.: с. 38 (24 назв.) . - ISSN 1816-4498

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГРАФЕН -- ПОЛУМЕТАЛЛ -- ИЗОТОПЫ -- ПОЛУПРОВОДНИК -- ЛЕГИРОВАНИЕ НЕЙТРОННОЕ ТРАНСМУТАЦИОННОЕ
Аннотация: Многочисленными экспериментами показано, что изотопический эффект в твердом теле перенормирует величину запрещенной энергии Eg в широком классе полупроводников и диэлектриков. Механизм этой перенормировки связан с изменением сильного (ядерного) взаимодействия. В настоящей работе впервые описывается изотопическое открытие Eg в полуметалле графене -важном в современной нанонауке материале, для которого характерно дираковское поведение электронов

Найти похожие

15.

Инвентарный номер: нет.

   А 19

    Аверин, И. А.
    Влияние типа и концентрации собственных дефектов на свойства структур диоксида олова / И. А. Аверин, В. А. Мошников, И. А. Пронин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 27-29 : рис. - Библиогр.: с. 29 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИОКСИД ОЛОВА -- ПОЛУПРОВОДНИК -- ВАКАНСИИ КИСЛОРОДА -- ТЕМПЕРАТУРА -- ДЕФЕКТЫ ТОЧЕЧНЫЕ
Аннотация: Представлен анализ влияния термодинамически равновесных дефектов на свойства диоксида олова. Показано, что основным источником электронов в исследуемом полупроводнике являются двукратно ионизованные вакансии кислорода. Исследовано распределение собственных точечных дефектов в SnO 2 в зависимости от температуры и времени обработки

Найти похожие

16.

Инвентарный номер: нет.

   Р 17


    Разработка технологии получения газочувствительного материала на основе пан с применением квантово-химических расчетов и метода Монте-Карло / М. М. Фалчари, Т. В. Семенистая, Н. К. Плуготоренко, П. Лу // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 8. - С. 34-40 : рис., табл. - Библиогр.: с. 40 (31 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИК -- РАСЧЕТЫ КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИЕ -- МЕТОД МОНТЕ-КАРЛО -- МАТЕРИАЛ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭНТРОПИЧЕСКОЕ -- ПЛЕНКИ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИЕ
Аннотация: Проведен расчет димера, тримера и тетрамера молекулы полиакрилонитрила (ПАН) с использованием квантово-химического метода. Проведено моделирование образования молекул ПАН методами Ванга—Ландау и энтропического моделирования Монте-Карло на основе модели с фиксированным валентным углом. Разработана технология получения газочувствительного материала на основе ПАН и Ag-содержащего ПАН. Получены электропроводящие пленки ПАН и Ag-содержащего ПАН методом пиролиза под действием некогерентного ИК излучения

Найти похожие

17.

Инвентарный номер: нет.

   Т 91

    Тутов, Е. А.
    Адсорбционно-стимулированный фазовый переход полупроводник — металл в диоксиде ванадия / Е. А. Тутов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 26-28 : рис. - Библиогр.: с. 28 (23 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИК — МЕТАЛЛ -- ДИОКСИД ВАНАДИЯ -- ПЕРЕХОД ФАЗОВЫЙ -- ТЕРМОРЕЗИСТОР ПЛЕНОЧНЫЙ -- СЕНСОРЫ -- ТЕМПЕРАТУРА
Аннотация: По измерениям температурной зависимости проводимости пленочного терморезистора на основе диоксида ванадия обнаружено повышение температуры фазового перехода полупроводник — металл в VO 2 в атмосфере паров этанола и понижение температуры в парах воды. Проанализированы перспективы использования данного явления в сенсорах

Найти похожие

18.

Инвентарный номер: нет.

   М 54


    Метрологическое обеспечение измерений размерных параметров наночастиц и тонких пленок методами малоугловой рентгеновской дифрактометрии / А. С. Авилов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 5-6. - С. 30-36 : рис., табл. - Библиогр.: с. 36 (6 назв.) . -

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- МЕТОДЫ МАЛОУГЛОВОЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ -- ДИФРАКТОМЕТР -- СЕТЬ НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ -- ПОЛУПРОВОДНИК
Аннотация: Для обеспечения поверки и калибровки малоугловых рентгеновских дифрактометров, находящихся во многих организациях национальной нанотехнологической сети, разработаны новые, простые по исполнению технологические методы синтеза и изготовлены стандартные образцы (СО) на основе наночастиц металлического золота и полупроводниковой окиси цинка размером 2–10 нм. Получены также СО многослойных тонких пленок солей жирных кислот с периодом повторяемости 4.9 нм на твердых подложках. Развит комплекс методик расчета и перекрестной поверки размерных параметров методами дифракционной, высокоразрешающей просвечивающей и аналитической электронной микроскопии, электронографии, рентгенофазовым анализом и с использованием синхротронного излучения. Усовершенствованы методики и программы определения параметров дисперсности наночастиц по данным малоуглового рентгеновского рассеяния от неупорядоченных систем, основанные на устойчивых численных методах решения задачи поиска распределения по размерам. Разработаны программное обеспечение и методики калибровки угловой шкалы малоугловых дифрактометров как по данным рассеяния от стандартных образцов с наночастицами, так и по данным рефлектометрии от образцов многослойных пленок. Разработаны методики первичной обработки данных рентгеновского рассеяния, учитывающие особенности используемого оборудования с целью представления измерений и результатов в едином формате. Приведены примеры калибровки лабораторного малоуглового дифрактометра с помощью разработанных стандартов

Найти похожие

19.

Инвентарный номер: нет.

   Д 20


    Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом / М. Л. Бараночников, А. В. Леонов, А. А. Малых, В. Н. Мордкович, В. Н. Мурашев, Д. М. Пажин // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 8-11. - Библиогр.: с. 11 (8 назв.) . -

УДК

621.317

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИК -- ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ-ЧАСТОТА -- КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ
Аннотация: Показано, что полевой транзистор со встроенным каналом и управляющей системой типа металл — диэлектрик — полупроводник — диэлектрик — металл может функционировать как чувствительный элемент датчиков внешних воздействий (таких как магнитное поле, температура, радиация), преобразующих воздействия в цифровой сигнал. Датчик основан на принципе изменения частоты автогенератора, в схему которого в качестве нагрузки, изменяющейся при внешних воздействиях, включен упомянутый транзистор. В качестве основы автогенератора может быть использована как специальная ИС, так и эффект самовозбуждения в чувствительном элементе, благодаря особенностям его ВАХ на участке лавинного умножения. Датчики изготовлены по технологии кремний-на-изоляторе

Найти похожие

20.

Инвентарный номер: нет.

   П 89

    Пустовалов, А. А.
    Производство радионуклида никеля-63 высокого обогащения — главное условие создания эффективных бета-вольтаических атомных батарей / А. А. Пустовалов, Л. А. Цветков // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 19-24. - Библиогр.: с. 24 (16 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

621/383

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РАДИОНУКЛИД -- НИКЕЛЬ-63 -- БЕТА-ИЗЛУЧЕНИЕ -- АТОМНАЯ БАТАРЕЯ -- ЦЕНТРИФУЖНОЕ РАЗДЕЛЕНИЕ -- БЕТА-ВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ -- ПОЛУПРОВОДНИК -- СРОК СЛУЖБЫ
Аннотация: Рассмотрены и обоснованы существующие возможности получения в промышленном масштабе высокообогащенного (80—85 %) радионуклида никеля-63 с использованием реальных технологий действующих предприятий отечественной промышленности. Никель-63 — искусственный радионуклид, чистый бета-излучатель со средней энергией бета-излучения 18 кэВ, что позволяет на его основе создавать миниатюрные и безопасные в обращении бета-вольтаические атомные батареи микромилливаттного диапазона мощностей со сроком службы не менее 50 лет для применения в разнообразных приборах и устройствах микросистемной техники

Найти похожие

1-20 21-21

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)