Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (67)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (23)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (6)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (2)Гибель династии Романовых (3)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (42)Труды Института истории и археологии УрО РАН (3)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (16)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (14)Расплавы (9)Публикации Черешнева В.А. (2)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (5)Библиометрия (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=СОПРОТИВЛЕНИЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 22
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-22 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Х 82


    Хорунжий, И. А.
    Экспериментальная проверка компьютерной модели радиатора для охлаждения мощного полупроводникового прибора [Текст] / И. А. Хорунжий, Д. С. Доманевский , Д. С. Бобученко // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 3. - С. 25-28 : рис. - Библиогр.: с. 28 (1 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕПЛОВОЙ РАДИАТОР -- ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 72


    Спирин, В. Г.
    Сопротивление электродов тонкопленочного резистора [Текст] / В. Г. Спирин // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 7. - С. 19-24 : рис. - Библиогр.: с. 24 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СОПРОТИВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОДОВ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТОРА -- МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 72


    Спирин, В. Г.
    Анализ технологических погрешностей сопротивления тонкопленочного резистора / В. Г. Спирин // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 9. - С. 42-45 : рис. - Библиогр. : с. 45 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РЕЗИСТОР ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ -- СОПРОТИВЛЕНИЕ -- ПОГРЕШНОСТИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Н 73


    Новиков, С. Г.
    Моделирование и исследование негатрона с передаточной n-образной вольт-амперной характеристикой / С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин, И. В. Корнеев // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 17-20 : рис. - Библиогр. : с.20 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НЕГАТРОН -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ -- ХАРАКТЕРИСТИКА ПЕРЕДАТОЧНАЯ
Аннотация: Pассмотpен метод реализации встроенной защиты негатронов от токовых перегрузок в управляющей цепи на основе комбинации двух элементов с N-образной вольт-амперной характеристикой (ВАХ). Особенностями приборов, реализованных по данному методу, является наличие статических выходной и передаточной N-образной БЛХ, а также одной или нескольких цепей положительной обратной связи, которые позволяют ограничивать диапазон рабочих входных токов и выходных напряжений в заданных пределах. Использование данного метода позволит создавать полупроводниковые структуры со встроенной защитой от токовых перегрузок и управляющей и нагрузочной цепях

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 72


    Спирин, В. Г.
    Математическая модель сопротивления тонкопленочного резистора / В. Г. Спирин // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 5. - С. 38-40 : табл., рис. - Библиогр. : с. 40 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РЕЗИСТОР ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ -- МОДЕЛЬ МАТЕМАТИЧЕСКАЯ -- СОПРОТИВЛЕНИЕ -- МИКРОСБОРКИ
Аннотация: Разработана математическая модель сопротивления тонкопленочного резистора и его погрешности. Применение этой модели позволит проектировать тонкопленочные резисторы с топологическими размерами 10...50 мкм

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исследование влияния концентрации углеродных нанотрубок на электрическое сопротивление пленок полимерного нанокомпозита / О. А. Агеев, Ю. В. Сюрик, А. С. Коломийцев, Н. И. Сербу // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 10 . - С. 2-6 : рис. - Библиогр. : с. 6 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНО-КОМПОЗИТЫ ПОЛИМЕРНЫЕ -- НАНОТРУВКИ УГЛЕРОДНЫЕ -- НАНОТЕХНОЛОГИИ
Аннотация: Представлены результаты исследований влияния концентрации углеродных нанотрубок (УНТ) на электрическое сопротивление и ТКС пленок полимерного нанокомпозита. Установлен порог перкаляции - диапазон концентраций УНТ 1,0...3,0 масс. %, в котором удельное сопротивление уменьшается с 20 кОм?см до 17 Ом?см. Результаты могут использоваться при изготовлении структур НМСТ (мембран, микромостиков и т. д.) и материалов для систем защиты от статического электричества

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Х 20


   
    Характеристики нанотолщинного композита на гибкой подложке при деформациях изгиба / Д. А. Мудрецов, А. А. Жуков , Е. С. Кузьменко, И. Н. Компанец // Нанотехника. - 2010. - № 2 . - С. 72-77 : табл., рис. - Библиогр. : с. 77 (4 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КОМПОЗИТ НАНОТОЛЩИННЫЙ -- ПОДЛОЖКИ ГИБКИЕ ИЗ PES и PETF -- ПЛЕНКА ПОЛИМЕРНАЯ PMDA-ODA -- МИКРОШЕРОХОВАТОСТЬ
Аннотация: Исследованы до и после деформации на изгиб характеристики изготовленного на гибких подложках из PES и PETF нанотолщинного композитного покрытия из слоев прозрачного проводящего ITO и полимерной пленки PMDA-ODA. Показано, что минимальный радиус, еще не приводящий к разрушениям композиционного покрытия, при деформации сжатия (на внутренней стороне изгиба) на 14% меньше, чем при деформации растяжения (на внешней стороне изгиба). Микрошероховатость, вызываемая деформацией сжатия, больше при деформации растяжения на 80%. Образец на основе PETF с изотропным ориентантом показал на 1 мм меньший предельный радиус кривизны, чем образец на основе PES. При нанесении анизотропного ориентанта удельное поверхностное сопротивление слоя ITO возрастало приблизительно на 70%

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   З-13


    Заводинский, В. Г.
    Карбид вольфрама на субнаноуровне: атомная структура, электронные состояния, механические свойства / В. Г. Заводинский // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 11-12. - С. 120-124 : табл., рис. - Библиогр. : с. 124 (31 наим.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД ВОЛЬФРАМА -- СОСТОЯНИЯ ЭЛЕКТРОННЫЕ -- СТРУКТУРА АТОМНАЯ -- СВОЙСТВА МЕХАНИЧЕСКИЕ
Аннотация: Методами теории функционала электронной плотности и псевдопотенциала изучены атомная структура, электронные состояния и механические свойства наночастиц WC размером 1 нанометр и менее. Обнаружено, что самые малые частицы (содержащие менее 15 атомных пар WC) обладают кубоподобной структурой типа NaCl. В области 10-20 пар WC-частицы с кубической и тригональной структурой имеют примерно равные энергии, однако их внутренняя атомная структура сохраняет свойственную для NaCl характер чередования атомов W и C. Тригональная частица WC15 была использована для изучения прочности на разрыв и сопротивления сжатию. Оказалось, прочность наночастицы намного превышает прочность массивного материала. Вакансии W и C снижают прочность частиц, однако атомы кобальта, внедряясь в вакансионные позиции, могут восстанавливать прочность наночастиц и их сопротивление сжатию почти до величин, характерных для бездефектного случая. Плотность электронных состояний наночастиц WC имеет вид, близкий к плотности состояний массивной кубической фазы карбида вольфрама, обладая металлическим характером с высокой плотностью вблизи уровня Ферми

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 73


   
    ФМР, магнитные и резистивные свойства наноструктур {[(CoFeZr)m(Al2O3)100-m]x/(а-si)y}40 с гранулированными магнитными слоями. / С. А. Вызулин [и др.] // Нанотехника. - 2010. - № 3 . - С. 16-21 : рис. - Библиогр. : с. 21 (11 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВОЙСТВА НАНОСТРУКТУР МАГНИТНЫЕ -- НАНОПЛЕНКИ АМОРФНЫЕ МУЛЬТИСЛОЙНЫЕ -- КРЕМНИЙ -- СИЛИЦИДЫ
Аннотация: Проведен комплексный анализ резистивных, статических и динамических магнитных свойств мультислойных аморфных нанопленок, в которых в качестве магнитного слоя использован композит CoFeZr/Al2O3, а в качестве прослоек - гидрогенизированный кремний. Показано, что свойства таких систем определяются конкурирующими механизмами, связанными с толщинами магнитных слоев х и свойствами кремния. При малых х, несмотря на задаваемый состав композита (до и после порога перколяции), металлический слой состоит из несоприкасающихся гранул, магнитное взаимодействие между которыми существенно меняется при незначительном изменении толщины слоя. При толщинах слоев, меньших 2 нм, окись алюминия играет роль диэлектрического барьера, уменьшающего процесс образования силицидов. С ростом толщины прослоек кремния средняя намагниченность и намагниченность слоев резко уменьшаются за счет образования немагнитных силицидов. Установлено, что образование сплошных слоев кремния и немагнитных силицидов сопровождается созданием канала проводимости, уменьшающего на три порядка удельное сопротивление образцов

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 74


   
    Модификация зондовых датчиков-кантилеверов для атомно-силовой микроскопии методом фокусированных ионных пучков / С. М. Аракелян [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 4. - С. 4-8 : рис. - Библиогр. : с. 8 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОСКОПИЯ АТОМНО-СИЛОВАЯ -- МЕТОД ФОКУСИРОВАННЫХ ИОННЫХ ПУЧКОВ -- ДАТЧИКИ-КАНТИЛЕВЕРЫ ЗОНДОВЫЕ -- СОПРОТИВЛЕНИЕ РАСТЕКАНИЯ
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований по модификации зондовых датчиков-кантилеверов для атомно-силовой микроскопии (АСМ) путем осаждения на поверхность балки кантилевера вольфрамового острия методом фокусированных ионных пучков (ФИП) с применением высокоселективной газовой химии. Показано, что полученные методом ФИП зонды длиной 5 мкм и радиусом закругления порядка 50 нм позволяют повысить точность измерений тестовых объектов. Полученные результаты могут быть использованы при разработке технологических процессов изготовления и модификации зондовых датчиков-кантилеверов АСМ, а также при исследовании структур микро-и наносистемной техники

Найти похожие

11.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 27


    Амеличев, В. В.
    Перспективная технология изготовления высокодобротных кремниевых микромеханических резонаторов / В. В. Амеличев, И. В. Годовицын, Д. А. Сайкин // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 4. - С. 39-45 : рис. - Библиогр. : с. 45 ( 11 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РЕЗОНАТОРЫ КРЕМНИЕВЫЕ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЕ -- ТЕХНОЛОГИЯ МИКРООБРАБОТКИ КРЕМНИЯ -- КНИ-ПЛАСТИНЫ
Аннотация: Описана разработка технологии изготовления высокодобротных кремниевых резонаторов с использованием КНИ-пластин. К достоинствам разработанной технологии можно отнести необходимость только одного процесса анодной посадки и только одного стекла, обработка которого ограничивается формированием углублений для геттера. Обработка КНИ-пластины и стекла ведется групповым способом, анодная сварка проводится на заключительном этапе обработки. Сформирована структура резонатора в герметизированной камере. Показано, что значения основных электрофизических параметров структуры (сопротивление подвесов, наряжение притягивания) соответствуют расчетным. Проанализированы перспективы разработанной технологии

Найти похожие

12.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 76


   
    Стабильность электрических свойств широкозонных газочувствительных наноструктурированных материалов / С. Д. Сякина [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 7. - С. 10-14 : граф. - Библиогр. : с. 14 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- МАТЕРИАЛЫ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ -- НАНОСТЕРЖНИ -- СТАБИЛЬНОСТЬ ТЕРМИЧЕСКАЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ШИРОКОЗОННЫЕ
Аннотация: Влияние сорбции на сопротивление тонких пленок оксидов металлов широко применяется в сенсорах газа. Адсорбция на поверхности широкозонных полупроводников, например, диоксида олова, частиц газа-окислителя приводит к захвату носителей заряда из объема зерен и вызывает изменение электрофизических свойств материала. В качестве регистрируемого параметра у газочувствительных слоев обычно используют значение проводимости пленки в газовой пробе. В работе предлагается использовать для детектирования газов различной природы поликристаллические слои SnO2 с зернами цилиндрической формы (наностержни), вследствие большей термической стабильности их электрофизических свойств по сравнению со слоями, состоящими из зерен сферической формы. Такая особенность наностержней обусловлена слабой зависимостью проводимости отдельных зерен слоев от геометрических размеров межзерен-ных перешейков, которые образуются при повышенных температурах, вследствие сращивания отдельных зерен

Найти похожие

13.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-62


   
    Оптимизация условий формирования тонких пленок ZnO для использования в интегральных МЭМС-устройствах / Д. Г. Громов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 27-30 : рис. - Библиогр. : с. 30 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ZNO -- СОПРОТИВЛЕНИЕ УДЕЛЬНОЕ -- ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ПЬЕЗОЭФФЕКТ -- РАСПЫЛЕНИЕ МАГНЕТРОННОЕ -- МЭМС-УСТРОЙСТВА
Аннотация: Представлены результаты исследований тонких пленок ZnO для использования в составе интегральных МЭМС-устройствах. Пленки ZnO:Ga получены в процессе магнетронного распыления соответствующей мишени в среде аргона без нагрева подложки. Показано, что удельное сопротивление и стабильность во времени пленок ZnO:Ga существенно зависит от их толщины, воздействия солнечного излучения, внешней окружающей среды. Комплекс доведенных исследований указывает на то, что ужиной нестабильности тонких пленок ZnO являются процессы генерации и залечивания кислородных вакансий, создающие донорные уровни в запрещенной зоне ZnO. Для формирования пленок ZnO с пьезоэлектрическими свойствами требуется осаждение в среде кислорода или последующий отжиг в аналогичной среде, а повышения стабильности пленок во времени можно достигнуть с помощью покрытия, защищающего от воздействия внешней газовой среды

Найти похожие

14.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ч-87


    Чуйко, О. В.
    Динамические характеристики чувствительного элемента микроакселерометра с повышенным фактором демпфирования / О. В. Чуйко, А. Е. Кузнецов // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 38-40 : рис., табл. - Библиогр. : с. 40 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОАКСЕЛЕРОМЕТР МАЯТНИКОВЫЙ -- ЭЛЕМЕНТ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ -- МАССА ИНЕРЦИОННАЯ -- ЧАСТОТА РЕЗОНАНСНАЯ -- ДОБРОТНОСТЬ -- ДЕМПФИРОВАНИЕ ВОЗДУШНОЕ
Аннотация: Исследуются динамические характеристики чувствительного элемента (ЧЭ) заданной конструкции, обеспечивающей повышенное воздушное сопротивление. Возбуждение колебаний инерционной массы (ИМ) осуществляется с помощью пьезоэлемента, регистрация колебаний выполняется по отклонению лазерного луча от поверхности ИМ. Получены зависимости резонансной частоты и добротности ЧЭ от давления воздуха в диапазоне от 1 до 105 Па, а также зависимость добротности от размера воздушного зазора между ИМ и подложкой

Найти похожие

15.
Инвентарный номер: нет.
   
   Н 25


   
    Наноразмерный дисилицид титана: синтез, структура, свойства. часть 2* / А. А. Ковалевский, В. В. Цыбульский, Л. А. Власукова, А. С. Строгова, А. Р. Лученок, А. А. Шевченок // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 6-11 : рис. - Библиогр.: с. 11 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВОДОРОД -- ДИСИЛИЦИД ТИТАНА -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УДЕЛЬНОЕ -- ВОДА -- КОЭФФИЦИЕНТ ПОГЛОЩЕНИЯ
Аннотация: Предложен и реализован эффективный способ создания дисилицида титана с полупроводниковыми свойствами, который апробирован как фотокатализатор в реакции разложения воды до водорода и кислорода. Рассмотрен механизм разложения воды через образование промежуточного наноструктурированного катализатора TiSiO4

Найти похожие

16.
Инвентарный номер: нет.
   
   Б 79


   
    Болометр с термочувствительным слоем из оксида ванадия VO x // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 44-52 : рис., табл. - Библиогр.: с. 52 (13 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ВОЛЬТОВАЯ -- СПОСОБНОСТЬ БОЛОМЕТРОВ ОБНАРУЖИТЕЛЬНАЯ -- БОЛОМЕТР -- ОКСИД ВАНАДИЯ
Аннотация: Исследованы электрические параметры термочувствительного слоя болометра VO x и морфология его поверхности. Определена относительная погрешность измерения, вносимая оксидным слоем VO x. Представлены расчетные и экспериментальные данные нагрева слоя VO x на 1 и 200 °С в диапазонах длин волн 0.5—3.39 мкм и 5.0—12 мкм в зависимости от длительности импульса излучения в диапазоне 1 — 10 -9 с на различных подложках. Исследованы зависимости: постоянной времени, вольтовой чувствительности болометра от размера приемной площадки и материала подложки. Рассчитаны: постоянная времени болометра, вольтовая чувствительность и эквивалентные значения напряжений фундаментальных шумов в зависимости от размеров приемной площадки, материалов подложки и частоты регистрируемого излучения. Приведены значения удельного теплового потока и обнаружительной способности болометров на частотах 1, 10, 20 Гц, выполненных на различных диэлектрических подложках. Описана модульная конструкция болометра, включающая герметичный корпус с приемным окном и преобразователь сопротивление-напряжение. Приведены зависимости напряжения с выхода болометра от величины воздействующего постоянного и импульсного излучения

Найти похожие

17.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 53


   
    Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора / Т. Ф. Шкляр, Е. П. Дьячкова, О. А. Динисламова, А. П. Сафронов, Д. В. Лейман, Ф. А. Бляхман // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 89-94 : рис. - Библиогр.: с. 94 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОР -- СЛОИ УЛЬТРАТОНКИЕ -- ЭЛЕМЕНТЫ КНИ МДП-НАНОТРАНЗИСТОРА -- МЕТОД ВЫСОКОЧАСТОТНОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИК -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНОК HFO2 -- КНИ-СТРУКТУРА -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ИМПЛАНТАЦИЯ
Аннотация: Рассмотрены методы получения и свойства таких элементов КНИ МДП-нанотранзистора, как затвор/подзатворный диэлектрик, области истока/стока и омические контакты. Затворные структуры HfO2(50 нм)/Si (100) и W/HfO2(4 нм)/Si (100) создавались методом высокочастотного магнетронного распыления. Показано, что кристаллическая структура пленок HfO2 и их электрические характеристики (напряжение пробоя) являются взаимосвязанными. Для создания ультрамелких областей стока/истока использовалась высокодозовая плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора. В процессе быстрого термического отжига имплантированных слоев обнаружено существенное снижение количества бора у поверхности в КНИ-структуре. Образование омических контактов CoSi2 осуществлялось с использованием структур Ti(8 нм)/Co(10 нм)/Ti(5 нм), сформированных на Si-подложке ориентации (100). Установлено, что образовавшаясяся в результате двухстадийного отжига пленка CoSi2 обладает поверхностным сопротивлением 20 Ом/□

Найти похожие

18.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исследование сенсорных свойств перколированных сеток из углеродных нанотрубок и нановолокон ZnO // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 32-37 : рис. - Библиогр.: с. 37 (25 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
УДЕЛЬНАЯ ПОВЕРХНОСТЬ -- СЕНСОРЫ ГАЗОВЫЕ -- АММИАК -- НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ -- НАНОВОЛОКНА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- НАНОПРОВОДНИКИ -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ
Аннотация: Предложен метод повышения чувствительности сенсорных структур на основе нанопроводников за счет использования гетерогенных композитов из углеродных нанотрубок и полупроводниковых нановолокон. Разработана сенсорная структура с чувствительным слоем в виде композита нанотрубки/нановолокна. Исследована зависимость удельной поверхности композита углеродных нанотрубок и нановолокон оксида цинка, а также электрического сопротивления и откликов сенсорных структур на пары аммиака от соотношения концентраций нанопроводников в смеси. Выявлена максимальная чувствительность сенсорных структур при комнатной температуре, а также показана корреляция чувствительности с изменением массовой доли УНТ в смеси УНТ/ZnO, что может быть использовано при создании сенсорных систем типа "электронный нос"

Найти похожие

19.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исследование размерной зависимости электрического сопротивления металлических микро-контактов кластерного типа / А. А. Антипов, С. М. Аракелян, С. В. Кутровская, А. О. Кучерик // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 8. - С. 41-46. - Библиогр.: с. 46 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ -- РАЗМЕРНОСТЬ ФРАКТАЛЬНАЯ -- ПРОВОДИМОСТЬ МИКРОКОНТАКТА -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ
Аннотация: Исследовано электрическое сопротивление металлических микроконтактов кластерного типа, полученных на твердой диэлектрической подложке с использованием метода лазерного осаждения металлических наночастиц из коллоидных систем. Показано, что сопротивление такого микроконтакта существенно зависит от его морфологических характеристик/фрактальной размерности, которые определяются особенностями лазерного эксперимента

Найти похожие

20.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 19


    Аверин, И. А.
    Исследование процессов деградации выходных параметров тензорезистивных структур / И. А. Аверин, Ю. В. Аношкин, Р. М. Печерская // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 10. - С. 2-4. - Библиогр.: с. 4 (9 назв.)
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РЕЗИСТИВНАЯ СТРУКТУРА -- ПРОЦЕСС ДЕГРАДАЦИИ -- ИК-ФУРЬЕ -- СПЕКТРОМЕТР -- МОДЕЛИ -- КОНЦЕНТРАЦИЯ -- СОПРОТИВЛЕНИЕ
Аннотация: Установлены механизмы, вызывающие деградацию выходных параметров тензорезистивных структур во времени. Разработаны методика определения концентрации кислорода в тензорезистивных структурах с использованием Фурье-спектроскопии и модель стабилизации выходных параметров тензорезистивных структур на основе хромоникелевых сплавов

Найти похожие

 1-20    21-22 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика