С 89 Суперконденсатор на основе УНТ с использованием псевдоемкости тонких слоев оксидов металлов / В. А. Галперин, Д. Г. Громов, Е. П. Кицюк, А. М. Маркеев, Е. А. Лебедев, А. Г. Черникова, С. В. Дубков // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 33-36 : рис., граф. - Библиогр.: с. 36 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СУПЕРКОНДЕНСАТОР -- ДВОЙНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЛОЙ -- ПСЕВДОЕМКОСТЬ -- УГЛЕРОДНЫЕ НАНОТРУБКИ -- АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ Аннотация: Исследуется роль псевдоемкости в повышении суммарной емкости суперконденсаторов. Продемонстрировано многократное увеличение емкости суперконденсаторов с электродами на основе углеродных нанотрубок, покрытых тонким слоем Al 2O 3 и TiO 2, наносимых методом атомно-слоевого осаждения |
Э 94 Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN / С. А. Зайцев, О. М. Орлов, Е. С. Горнев, К. В. Егоров, Р. В. Киртаев, А. М. Маркеев, А. В. Заблоцкий // Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 10-15. - Библиогр.: с. 15 (15 назв.) Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ -- ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ -- ОКСИД ГАФНИЯ Аннотация: Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах. |