Н 73 Новиков, С. Г. Моделирование и исследование негатрона с передаточной n-образной вольт-амперной характеристикой / С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин, И. В. Корнеев> // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 17-20 : рис. - Библиогр. : с.20 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НЕГАТРОН -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ -- ХАРАКТЕРИСТИКА ПЕРЕДАТОЧНАЯ Аннотация: Pассмотpен метод реализации встроенной защиты негатронов от токовых перегрузок в управляющей цепи на основе комбинации двух элементов с N-образной вольт-амперной характеристикой (ВАХ). Особенностями приборов, реализованных по данному методу, является наличие статических выходной и передаточной N-образной БЛХ, а также одной или нескольких цепей положительной обратной связи, которые позволяют ограничивать диапазон рабочих входных токов и выходных напряжений в заданных пределах. Использование данного метода позволит создавать полупроводниковые структуры со встроенной защитой от токовых перегрузок и управляющей и нагрузочной цепях |
И 35 Изготовление МДМ-катодов с наноострийным нижним электродом / П. Е. Троян [и др.]> // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 31-32 : рис. - Библиогр. : с. 32 (2 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МДМ-КАТОДЫ -- НАНООСТРИЯ -- ЛИТОГРАФИЯ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ -- ВАХ -- ШАБЛОН ТЕМПЛЕЙТНЫЙ Аннотация: Предложены методы формирования наноострий на нижнем электроде МДМ-катода с помощью электронно-лучевой литографии и темплейтного шаблона. Получены структуры с наноостриями в виде пирамид и столбиков с плотностью 2-108 см-2. Для МДМ-катодов с наноострийным нижним электродом установлено возрастание эмиссионного тока на порядок по сравнению с катодом с гладким электродом |
Д 20 Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом / М. Л. Бараночников, А. В. Леонов, А. А. Малых, В. Н. Мордкович, В. Н. Мурашев, Д. М. Пажин> // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 8-11. - Библиогр.: с. 11 (8 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДАТЧИК -- ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ-ЧАСТОТА -- КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ Аннотация: Показано, что полевой транзистор со встроенным каналом и управляющей системой типа металл — диэлектрик — полупроводник — диэлектрик — металл может функционировать как чувствительный элемент датчиков внешних воздействий (таких как магнитное поле, температура, радиация), преобразующих воздействия в цифровой сигнал. Датчик основан на принципе изменения частоты автогенератора, в схему которого в качестве нагрузки, изменяющейся при внешних воздействиях, включен упомянутый транзистор. В качестве основы автогенератора может быть использована как специальная ИС, так и эффект самовозбуждения в чувствительном элементе, благодаря особенностям его ВАХ на участке лавинного умножения. Датчики изготовлены по технологии кремний-на-изоляторе |