К 93 Курганская, Л. В. Технология получения гетероструктур n-Sic/p-Si и исследование радиоэлектрического эффекта в 8-миллимитровом СВЧ-диапазоне [] / Л. В. Курганская> // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 5. - С. 37-40 : рис. - Библиогр.: с. 40 (4 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ГЕТЕРОСТРУКТУРА n-Sic/p-Si -- РАДИОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ -- 8-МИЛЛИМЕТРОВЫЙ СВЧ-ДИАПАЗОН |
Б 43 Белкин, М. Е. Полупроводниковые лазерные излучатели с высоким произведением средней мощности на полосу модуляции [Текст] / М. Е. Белкин, М. Г. Васильев > // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 23-33 : рис. - Библиогр.: с. 32-33 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЛАЗЕРНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА -- ЛАЗЕРНЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ -- ЭПИТАКСИЯ -- ЗАРАЩИВАНИЕ ПОЛУИЗОЛЯТОРОМ -- ВАТТ-АМПЕРНАЯ И ЧАСТОТНО-МОДУЛЯЦИОННАЯ ХАРАКТЕРИСТИКИ |
С 51 Смолин, В. К. Использование жидкого азота в процессах формирования элементов микроэлектронных структур / В. К. Смолин> // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 34-36. - Библиогр. : с. 36 (19 наим.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ОБРАБОТКА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ -- МОДИФИКАЦИЯ МАТЕРИАЛОВ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРА Аннотация: ?? ?? Рассмотрены вопросы, связанные с применением низкотемпературной обработки в технологических процессах формирования элементов микроэлектронных структур. Показана эффективность обработки в жидком азоте при циклическом воздействии ?? |
М 74 Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs / Д. С. Пономарев [и др.]> // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 16-19 : рис., табл. - Библиогр. : с. 19 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ТИПА А3В5 Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InР с составной квантовой ямой (КЯ) InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова - де Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m*с с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в КЯ нановставками InAs позволяет уменьшить m*с на 26 % по сравнению с КЯ In0,53Ga0,47As |
М 21 Мальцев, П. П. Перспективы создания систем на кристалле для СВЧ и КВЧ диапазонов / П. П. Мальцев> // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 40-48 : рис., табл. - Библиогр.: с. 48 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АНТЕННА -- СИСТЕМЫ НА КРИСТАЛЛЕ (СНК) -- АНТЕННЫ ИНТЕГРИРОВАННЫЕ -- УСИЛИТЕЛЬ -- мэмс-КОММУТАТОРЫ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРА -- МОНОЛИТНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ Аннотация: Показана возможность создания российских систем на кристалле (СнК) для СВЧ и КВЧ диапазонов частот, включающих интегрированные антенны, усилители, МЭМС-коммутаторы, преобразователи частоты и генераторы, управляемые напряжением. Все микросхемы производятся на основе единой базовой технологии изготовления монолитных интегральных схем с использованием РНЕМТ и МНЕМТ гетероструктур арсенида галлия, что позволяет интегрировать их в единую СнК, обеспечивающую малые потери в тракте между элементами системы, низкий уровень шумов и большую передаваемую мощность. Приведены измеренные характеристики полученных в ИСВЧПЭ РАН МИС в сравнении с зарубежными аналогами для диапазона от 5 до 60 ГГц |
И 88 Исследование малосигнальных и шумовых характеристик метаморфных транзисторов для монолитных интегральных схем в крайневысокочастотном диапазоне / П. П. Мальцев, Д. Л. Гнатюк, Ю. В. Федоров , А. В. Зуев, Р. Р. Галиев, Н. В. Побойкина> // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 29-31 : рис. - Библиогр.: с. 31 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА -- ГЕТЕРОСТРУКТУРА МЕТАМОРФНАЯ -- УСИЛИТЕЛЬ МАЛОШУМЯЩИЙ -- УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ Аннотация: Описаны результаты научно-исследовательской работы, проведенной ИСВЧПЭ РАН, в которой созданы экспериментальные образцы метаморфных гетероструктур для изготовления на их основе монолитных интегральных схем усилителя мощности и малошумящего усилителя диапазона рабочих частот 57...64 ГГц и исследованы характеристики изготовленных тестовых транзисторов |
М 59 Микроструктура границ раздела в гетеросистемах / А. Л. Васильев, В. В. Роддатис, М. Ю. Пресняков, А. С. Орехов, С. Лопатин, В. И. Бондаренко, М. В. Ковальчук> // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 5-6. - С. 37-46 : рис. - Библиогр.: с. 46 (30 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ГЕТЕРОСИСТЕМЫ -- МИКРОСКОПИЯ РАСТРОВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ -- МИКРОАНАЛИЗ ЭНЕРГОДИСПЕРСИОННЫЙ РЕНТГЕНОВСКИЙ -- МЕХАНИЗМОВФОРМИРОВАНИЯ СЛОЕВ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРА Аннотация: Представлены результаты исследований структуры границ раздела и тонких пленок в гетероструктурах с использованием просвечивающей и просвечивающей растровой электронной микроскопии с коррекцией сферической аберрации и сверхчувствительного энергодисперсионного рентгеновского микроанализа. На примерах гетероструктур различных материалов (Si/Ge, InGaAs/InAs, AlN/GaN, YBCO на различных подложках и LuFe(Co)O3/YSZ) показана возможность определения морфологии и атомной структуры границ раздела, механизмовформирования слоев |
В 68 Волохов, И. В. Исследование технологий получения многослойных гетероструктур с применением различных методов осаждения в вакууме изолирующих покрытий на корпусные элементы датчико-преобразующей аппаратуры для авиационно-космической техники / И. В. Волохов> // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 1. - С. 30-39. - Библиогр.: с. 39 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТЕХНОЛОГИЯ ПРИБОРОСТРОЕНИЯ -- ДАТЧИК -- ТУГОПЛАВКИЕ ОКСИДЫ -- МНОГОСЛОЙНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА -- МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДЛОЖКА -- ОСАЖДЕНИЕ В ВАКУУМЕ Аннотация: Представлены основные результаты экспериментальной отработки технологических режимов получения многослойных тест-структур с применением различных методов осаждения в вакууме изолирующих покрытий из тугоплавких оксидов и нитридов для корпусных элементов датчико-преобразующей аппаратуры, применяемой в авиационно-космической технике. |
С 38 Синтез гетероструктур на основе висмутсодержащих оксидных стекол и их использование в качестве сенсорных элементов для определения содержания сероводорода и водяных паров в воздушной среде / В. А. Кутвицкий, О. В. Сорокина, Л. П. Маслов, В. А. Толмачев, М. А. Васильева> // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 2. - С. 14-17. - Библиогр.: с. 17 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СИНТЕЗ СТЕКЛОВИДНЫХ ОБРАЗЦОВ -- СЕНСОРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРА -- СЕРОВОДОРОД -- ВЛАЖНОСТЬ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- СТАБИЛЬНОСТЬ Аннотация: Описана разработанная технология синтеза стеклообразных образцов в системе Bi 2O 3—MoO 3—GeO 2—B 2O 3. Предложена конструкция датчика, позволяющего проводить одновременное определение сероводорода и влаги в воздушной среде. Оценены возможности методик определения указанных компонентов воздушной среды. Относительная погрешность результатов определения не превышает 0,03. Оценена стабильность разработанных сенсорных элементов, которая в соответствии с проведенными экспериментальными исследованиями составляет не менее 6 месяцев |
Н 69 Нитридные приборы миллиметрового диапазона / П. Мальцев, Ю. Федоров, Р. Галиев, С. Михайлович, Д. Гнатюк> // Наноиндустрия. - 2014. - № 3(49). - С. 40-51 : рис., табл., граф. - Библиогр.: с. 51 (33 назв.) . - ISSN 1993-8578 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА -- СВЧ-ПРИБОР -- ШИРОКОЗОННАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА Аннотация: Анализ современного состояния и основных направлений развития технологии создания миллиметровых СВЧ-приборов на широкозонных гетероструктурах (Al,Ga,In)N/GaN показывает, что достигнутый в ИСВЧПЭ РАН технологический уровень находится в хорошем соответствии с общемировыми тенденциями и достижениями. Это создает предпосылки для создания и освоения российского промышленного производства комплектов монолитных интегральных схем для приемопередающих систем Ка-, V- и W-диапазонов частот, превосходящих по своим параметрам СВЧ-приборы на арсенидных гетероструктурах. |