М 79 Мордвинцев, В. М. Электроформовка как процесс самоформирования проводящих наноструктур для элементов энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти / В. М. Мордвинцев, С. Е. Кудрявцев, В. Л. Левин // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. - С. 174-182 : рис., табл. - Библиогр.: с. 182 (9 назв.) Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОФОРМОВКА -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- ДИОД |
А 16 Абрамов, И. И. Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели / И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 3. - С. 10-13 : рис. - Библиогр. : с. 13 (21 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЕЖЗОННОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ -- ДИОД -- ДВУХЗОННАЯ МОДЕЛЬ |
Ш 29 Шауцуков, А. Г. Применение процессов ионного легирования в технологии двухпролетных лавинопролетных диодов с плоским и ступенчатым профилем легирования / А. Г. Шауцуков, Х. М. Хатукаев // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 13-16 : рис., табл. - Библиогр. : с. 16 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДИОД ДВУХПРОЛЕТНЫЙ ЛАВИНОПРОЛЕТНЫЙ -- ЛЕГИРОВАНИЕ ИОННОЕ -- МЕТОД ЭПИТАКСИАЛЬНОГО НАРАЩИВАНИЯ Аннотация: Рассмотрена возможность получения структур кремниевых двухпролетных лавинопролетных диодов (ЛПД) с использованием процессов эпитаксиального наращивания в реакторе пониженного давления, многократного ионного легирования, имплантации легирующей примеси через пленки и фотонного отжига ионно-легированных слоев. Показано, что разработанная технология может быть использована для организации серийного выпуска ряда перспективных двухпролетных ЛПД миллиметрового диапазона |
А 16 Абрамов, И. И. Моделирование резонансно-туннельного диода на основе Si/SiGe / И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 16-18 : рис. - Библиогр. : с. 18 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ ЧИСЛЕННОЕ -- ДИОД РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ -- МОДЕЛЬ ДВУХЗОННАЯ КОМБИНИРОВАННАЯ Аннотация: Показано, что с помощью разработанной комбинированной двухзонной модели резонансно-туннельных диодов могут быть получены удовлетворительные результаты согласования расчетов вольт-амперной характеристики с экспериментальными данными для структуры на основе Si/SiGe |
К 89 Кузнецова, М. А. Формирование карбидокремниевых автоэмиссионных острий методом остросфокусированного ионного пучка / М. А. Кузнецова, В. В. Лучинин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 12. - С. 35-40 : рис., табл. - Библиогр.: с. 40 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПУЧОК ИОННЫЙ -- ДИОД -- ТРАВЛЕНИЕ ИОННО-СТИМУЛИРОВАННОЕ -- ОСАЖДЕНИЕ ИОННО-СТИМУЛИРОВАННОЕ -- ЭМИССИЯ АВТОЭЛЕКТРОННАЯ -- КАРБИД КРЕМНИЯ Аннотация: Представлены результаты комплексного анализа возможностей и ограничений на применение остросфокусированного ионного пучка для объектов микросистемной техники (МСТ) и различных методов исследований. Детально проанализированы особенности применения данной технологии на примере создания карбидокремниевых автоэмиссионных острий и диодных структур на их основе |
В 93 Высоковольтный миниатюрный карбидокремниевый источник наносекундных импульсов для генерации рентгеновского и микроволнового излучений / А. В. Афанасьев, Ю. А. Демин, Б. В. Иванов , В. А. Ильин, А. Ф. Кардо-Сысоев, В. В. Лучинин, А. А. Смирнов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 2. - С. 30-32 : рис. - Библиогр.: с. 32 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КАРБИТ КРЕМНИЯ -- СИСТЕМЫ ГЕНЕРАЦИИ -- ИЗЛУЧЕНИЯ РЕНТГЕНОВСКОЕ И МИКРОВОЛНОВОЕ -- ДИОД ДРЕЙФОВЫЙ Аннотация: Представлены результаты разработки, создания и экспериментальных исследований компонента полупроводниковых генераторов высоковольтных наносекундных импульсов для генерации рентгеновского и микроволнового излучений. Базовым компонентом системы генерации импульсов электромагнитного излучения является разработанный дрейфовый диод с резким восстановлением свойств нового поколения, реализованный на многослойной эпитаксиальной карбидокремниевой структуре, что позволяет в схеме генератора обеспечить скорость нарастания напряжения на уровне единиц вольт на пикосекунду и амплитуды импульсов до 2 кВ. |
Е 50 Елесин, В. Ф. Переходные процессы в резонансно-туннельном диоде с учетом межэлектронного взаимодействия / В. Ф. Елесин, И. Ю. Катеев, А. Ю. Сукочев // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 81-84 : рис. - Библиогр.: с. 84 (14 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДИОД РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ -- ПРОЦЕССЫ ПЕРЕХОДНЫЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖЭЛЕКТРОННОЕ -- ТОК -- РТД -- РЕЗОНАНС Аннотация: Исследовано влияние сильного межэлектронного взаимодействия на переходные процессы в резонансно-туннельном диоде (РТД). С помощью численного решения уравнения Шредингера в приближении Хартри рассчитан нестационарный ток, возникающий в РТД при мгновенном переключении напряжения смещения и включении потока. Рассчитан переход РТД при наличии гистерезиса из состояния с большим током в состояние с малым током. Изучен характер и найдено время этого перехода. Показано, что при скачках напряжения, больших ширины уровня Г, возможно очень быстрое переключение за времена порядка 10-13 c и РТД может быть использован как сверхбыстрый переключатель. Найдено, что установление процессов конструктивной интерференции в квантовой яме и деструктивной в эмиттере происходит за времена порядка 5/Г |
Е 50 Елесин, В. Ф. Влияние уровня в спейсере эмиттера на пиковый ток резонансно-туннельного диода / В. Ф. Елесин, М. А. Ремнев // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 85-88 : рис. - Библиогр.: с. 88 (19 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД -- ТОК -- ДИОД -- РЕЗОНАНС -- ШРЕДИНГЕР -- СЛОЙ ЭМИТТЕРА СПЕЙСЕРНОГО Аннотация: При помощи численного решения уравнения Шредингера была исследована зависимость пикового тока на вольт-амперной характеристике резонансно-туннельного диода от толщины спейсерного слоя эмиттера. Эта зависимость имеет ярко выраженные максимумы. Причем пиковый ток в максимумах намного превышает пиковый ток в отсутствии спейсера. Был выяснен механизм образования максимумов. Они связаны с перекрытием уровня в треугольной яме, образованной спейсерным слоем эмиттера, и резонансным уровнем квантовой ямы. Исследование влияния межэлектронного взаимодействия на полученный эффект показало, что взаимодействие практически не влияет на пиковый ток в прямом направлении приложения напряжения и несколько уменьшает его в обратном |