М 91 Мустафаев, Ар. Г. Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для моп-технологии [Текст] / Ар. Г. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 4. - С. 17-22 : граф. - Библиогр.: с. 21-22 (31 назв) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МАСШТАБИРОВАНИЕ -- МОП-ТРАНЗИСТОРЫ -- ЗАТВОР |
C 99 Cветомагнитный оптический затвор на основе суспензии наноуглеродных частиц с луковичной структурой / К. Г. Михеев, Т. Н. Могилева, Г. М. Михеев, В. Л. Кузнецов, Д. Л. Булатов // Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 29-34 : рис. - Библиогр.: с. 34 (13 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ИЗЛУЧЕНИЕ ЛАЗЕРНОЕ -- КОЭФФИЦИЕНТ ПРОПУСКАНИЯ -- ДИАМАГНЕТИЗМ -- СУСПЕНЗИЯ -- УГЛЕРОД С ЛУКОВИЧНОЙ СТРУКТУРОЙ -- ЗАТВОР ОПТИЧЕСКИЙ -- ОГРАНИЧЕНИЕ МОЩНОСТИ ОПТИЧЕСКОЕ Аннотация: На эффектах оптического ограничения мощности (ООМ) и светоиндуцированных просветления и диамагнетизма суспензии углерода с луковичной структурой (УЛС) в диметилформамиде (ДМФ) разработан светомагнитный оптический затвор. Основными частями затвора являются: оптическая кювета с суспензией УЛС, лазер и электромагнит. Принцип работы затвора заключается в том, что в результате лазерного воздействия на кювету область взаимодействия лазерного излучения с суспензией просветляется с приобретением диамагнитных свойств. После просветления включается электромагнит, и его неоднородное поле выталкивает просветленную часть из области взаимодействия лазерного излучения с суспензией, что приводит к возрастанию коэффициента поглощения кюветы до первоначального уровня. Разработанный светомагнитный оптический затвор может работать в режимах оптического ограничения мощности, «мультивибратора» и «ждущего мультивибратора» |
П 53 Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора / Т. Ф. Шкляр, Е. П. Дьячкова, О. А. Динисламова, А. П. Сафронов, Д. В. Лейман, Ф. А. Бляхман // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 89-94 : рис. - Библиогр.: с. 94 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОТРАНЗИСТОР -- СЛОИ УЛЬТРАТОНКИЕ -- ЭЛЕМЕНТЫ КНИ МДП-НАНОТРАНЗИСТОРА -- МЕТОД ВЫСОКОЧАСТОТНОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИК -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНОК HFO2 -- КНИ-СТРУКТУРА -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ИМПЛАНТАЦИЯ Аннотация: Рассмотрены методы получения и свойства таких элементов КНИ МДП-нанотранзистора, как затвор/подзатворный диэлектрик, области истока/стока и омические контакты. Затворные структуры HfO2(50 нм)/Si (100) и W/HfO2(4 нм)/Si (100) создавались методом высокочастотного магнетронного распыления. Показано, что кристаллическая структура пленок HfO2 и их электрические характеристики (напряжение пробоя) являются взаимосвязанными. Для создания ультрамелких областей стока/истока использовалась высокодозовая плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора. В процессе быстрого термического отжига имплантированных слоев обнаружено существенное снижение количества бора у поверхности в КНИ-структуре. Образование омических контактов CoSi2 осуществлялось с использованием структур Ti(8 нм)/Co(10 нм)/Ti(5 нм), сформированных на Si-подложке ориентации (100). Установлено, что образовавшаясяся в результате двухстадийного отжига пленка CoSi2 обладает поверхностным сопротивлением 20 Ом/□ |