Б 43 Белозубов, Е. М. Тонкопленочные емкостные МЭМС-структуры с возможностью измерения температур электродов [Текст] / Е. М. Белозубов, Н. Е. Белозубова, Ю. А. Козлова > // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 33-36 : рис. - Библиогр.: с. 36 (2 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ЕМКОСТНЫЕ МЭМС-СТРУКТУРЫ -- ТЕМПЕРАТУРА -- ВИБРОУСКОРЕНИЯ -- ВЫВОДНОЙ ПРОВОДНИК -- КОНТАКТНАЯ ПЛОЩАДКА -- ЭЛЕКТРОД -- ИЗМЕРЕНИЕ ТЕМПЕРАТУР ЭЛЕКТРОДОВ |
К 44 Кислев, Г. Измерение силовых напряжений в тонких пленках на основе микрокантилеверных преобразователей [Текст] / Г. Кислев, И. Яминский> // Наноиндустрия. - 2008. - № 5. - С. 28-30 : рис. - Библиогр.: с. 30 (10 назв.) . - ISSN 1993-8578
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ИММУНОХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ -- МИКРОКАНТИЛЕВЕРНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ -- БИОХИМИЯ |
Ф 71 Флеш-память входит в третье измерение [Текст]> // Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 3. - С. 49
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОЧАСТИЦЫ ЗОЛОТА -- ТРЕХМЕРНЫЙ ПАКЕТ Аннотация: Для увеличения емкости компьютерных устройств для хранения информации исследователи из Кореи и Австралии использовали трехмерный пакет наночастиц золота |
У 74 Усанов, Д. А. Применение полупроводникового лазерного автодина с модуляцией длины волны излучения для определения расстояния до объекта [Текст] / Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль , К. С. Авдеев > // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 2. - С. 43-47 : рис. - Библиогр. : с. 47 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЛАЗЕРНЫЙ АВТОДИН -- МОДУЛЯЦИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ -- ИЗМЕРЕНИЕ МИКРОПРОФИЛЯ -- АВТОДИННЫЙ СИГНАЛ |
Т 35 Терехов, А. И. Измерение и анализ развития нанотехнологии = The measurement and analysis of the development of nanotechnology / А. И. Терехов> // Нанотехника. - 2010. - № 2. - С. 3-13 : табл., граф. - Библиогр. : с. 13 (20 назв.) Кл.слова (ненормированные): НАНОТЕХНОЛОГИИ -- БИБЛИОМЕТРИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ -- НАНОПРОЕКТЫ -- НАНОИНДУСТРИЯ Аннотация: В статье представлен краткий наукометрический анализ развития нанотехнологии в России и в мире. Значительное внимание уделено проблеме исследовательских кадров в обеспечении перспектив этой междисциплинарной научной области в нашей стране. Расмотрены экономические аспекты развития нанотехнологии, особенности и сложности ее кммерциализации. Эмпирическую основу исследования составили статистические данные, полученные из БД SCI-Expanded, а также отечественных БД: РФФИ и ВАК России. Для расчета экономических индикаторов использована официальная информация и данные специализированных Интернет-сайтов |
Е 30 Егоров, В. В. Измерение сдвига в нано- и микроструктурированных средах / В. В. Егоров> // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 51-54. - Библиогр. : с.54 ( 3 наим.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СДВИГ -- ПОЛЕ -- СИГНАЛ -- АЛГОРИТМ Аннотация: Получены алгоритмы измерения сдвига в нано- и микроструктурированных средах |
Е 30 Егоров, Г. П. Измерение внутренних напряжений в нанопленках in-situ / Г. П. Егоров, А. А. Волков, А. Л. Устюжанинов> // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 7-8 . - С. 74-78 : табл., рис. - Библиогр. : с. 78 (11 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОПЛЕНКИ IN-SITU -- МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ВНУТРЕННИХ НАПРЯЖЕНИЙ -- ПЛАСТИНА КОНСОЛЬНО ЗАКРЕПЛЕННАЯ Аннотация: Описан метод измерения внутренних напряжений в нанопленках in-situ. Внутренние механические напряжения непосредственно влияют на работоспособность пленочных структур в микроэлектронных приборах. Метод основан на измерении прогибов консольно закрепленной пластины во время осаждения нанопленок в вакууме. В работе использован магнетронный способ нанесения покрытий в вакууме. Для определения прогиба консоли измерялась емкость конденсатора, образованного неподвижной обкладкой, закрепленной на стойке, и обкладкой, прикрепленной к свободному концу тонкой пластины. Для измерения малой емкости конденсатор включен в цепь мультивибратора. Проведены эксперименты по измерению напряжений in-situ при нанесении пленок Ti и Си на медные подложки. Установлено, что напряжения, возникающие в титановой пленке, - растягивающие, а в медной пленке - сжимающие, а их величина существенно меняется при напуске воздуха в вакуумную камеру. Полученные результаты показывают перспективность данного метода исследования механических напряжений в нанопленках не только для прямого измерения возникающих напряжений, но и эффектов взаимодействия газов с наноструктурными пленками in-situ |
Б 43 Белкин, М. Е. Исследование характеристики времени задержки включения поверхностно-излучающего лазера с вертикальным резонатором / М. Е. Белкин, Л. М. Белкин> // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 51-54 : рис. - Библиогр. : с. 54 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЛАЗЕР ПОВЕРХНОСТНО-ИЗЛУЧАЮЩИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ -- РЕЗОНАТОР ВЕРТИКАЛЬНЫЙ -- ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЗАДЕРЖКИ ВКЛЮЧЕНИЯ Аннотация: Предложен простой метод измерения характеристики задержки включения полупроводникового лазера с прямой модуляцией током инжекции, основанный на сравнении с помощью цифрового осциллографа задержки фронтов импульсов на входе испытуемого образца и на выходе измерительного фотодиода после электрооптического и оптико-электрического преобразований. Описываются методика, технология и результаты измерения времени задержки включения поверхностно-излучающего лазера с вертикальным каналом (VCSEL). Проводится оценка точности измерений |
Б 28 Батурин, А. С. Измерение емкости квазистатическим методом в атомно-силовом микроскопе / А. С. Батурин, А. А. Чуприк> // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 2-7 : рис., табл. - Библиогр. : с. 7 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АСМ -- ЕМКОСТЬ -- ХАРАКТЕРИСТИКИ ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ -- НАНОМЕТРОЛОГИЯ Аннотация: Рассмотрен квазистатический метод одновременного измерения вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик с помощью атомно-силового микроскопа. Выполнен систематический анализ источников погрешности измерения емкости микроструктур. Показана возможность измерения емкости в диапазоне 10...500 пФ с погрешностью менее 3 % и с высоким пространственным разрешением |
П 73 Прецизионное измерение наноразмерных высот J-агрегатов с помощью атомно-силовой микроскопии / В. В. Прохоров [и др.]> // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 5-6. - С. 52-59 : рис. - Библиогр. : с. 59 (17 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МИКРОСКОПИЯ АТОМНО-СИЛОВАЯ -- ВЫСОТЫ НАНОРАЗМЕРНЫЕ J-АГРЕГАТОВ -- ИЗМЕРЕНИЕ ПРЕЦИЗИОННОЕ -- J-АГРЕГАТЫ Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) получены изображения высокого разрешения и проведены прецизионные измерения высот наноразмерных органических молекулярных кристаллов J-агрегатов монометинцианинового красителя 3,3'-ди(гамма-сульфопропил)-5,5'-дихлортиамонометинцианина (МЦК) и амфифильного красителя 3,3'-бис(2-сульфопропил)-5,5',6,6'-тетрахлор1,1'-диоктилбензимидакарбоцианина (АЦК). Установлено, что J-агрегаты МЦК, полученные как в объеме раствора, так и самосборкой на поверхности слюды, имеют форму однослойных протяженных листов, обладающих высокой механической гибкостью. Измеренное с высокой точностью значение высоты монослоя J-агрегатов МЦК равно 1.05+0.05 нм, что соответствует кристаллографическому размеру отдельной молекулы вдоль малой оси. Предложена модель асимметричной однослойной молекулярной упаковки, в которой сульфопро-пильные группы расположены по одну сторону от плоскости слоя. В случае АЦК наблюдали узкие ленточные многослойные структуры с высотами в диапазоне от 3 до 30 нм, значения которых строго квантуются с шагом 3 нм. Обсуждается бислойная модель упаковки молекул АЦК в J-агрегатах с частично перекрывающимися монослоями, ориентированными гидрофобными сторонами навстречу друг другу. Из сравнения с электронно-микроскопическими данными других работ предлагается модель структурных единиц АЦК в виде «элементарных полосок» с поперечным размером 3х4 нм |
Каплун, Л. И. Измерение вязкости железистых расплавов / Л. И. Каплун, Е. Л. Муравьева, В. А. Бочегов> // Физ.-хим. исслед. металлург. процессов. - Свердловск, 1985. - № 13. - С. 136-141 Кл.слова (ненормированные): РАСПЛАВЫ -- РАСПЛАВЫ ЖЕЛЕЗИСТЫЕ -- ВЯЗКОСТЬ -- ИЗМЕРЕНИЕ ВЯЗКОСТИ |
Н 25 Нановзвешивание и наномера / А. С. Ерофеев [и др.]> // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 13-17 : рис., табл. - Библиогр. : с. 17 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ВЗВЕШИВАНИЕ НАНОЧАСТИЦ -- КАНТИЛЕВЕР -- МЕРА МАССЫ Аннотация: Кантилевер, применяемый в атомно-силовой микроскопии, можно использовать в качестве измерительного элемента при определении массы наночастицы. Такое измерение массы основано на регистрации резонансной частоты кантилевера и обладает в зависимости от используемого резонатора чувствительностью в диапазоне от 1 до 10-21 г. На данный момент нет соответствующего метрологического обеспечения для поверки приборов с такой высокой чувствительностью. Предлагаются мера массой 0,17 нг и методика калибровки измерителя массы на основе кантилеверных весов |
О-62 Определение амплитуды нановибраций с помощью полупроводникового лазерного автодина с учетом внешней оптической обратной связи / А. Д. Усанов, А. В. Скрипаль , Е. О. Кащавцев, М. Ю. Калинкин> // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 43-49 : рис., табл.,схема. - Библиогр.: с. 49 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОВИБРАЦИИ -- ЛАЗЕР ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ -- СИГНАЛ АВТОДИННЫЙ -- ИЗМЕРЕНИЕ АМПЛИТУД ВИБРАЦИЙ -- СВЯЗЬ ОБРАТНАЯ ОПТИЧЕСКАЯ ВНЕШНЯЯ Аннотация: Проведен анализ влияния внешней оптической обратной связи на форму и спектр продетектированного сигнала полупроводникового лазерного автодина. Предложен метод определения амплитуды нановибраций, заключающийся в измерении отношения амплитуд первых спектральных составляющих автодинного сигнала при нановибрациях и при наложении дополнительных механических колебаний, с учетом уровня внешней оптической обратной связи. Экспериментально показано, что учет внешней оптической обратной связи позволяет существенно повысить точность измерений амплитуд нановибраций |
И 37 Измерение локальной толщины слоя оксида и его электронных характеристик В СТМ / А. К. Гатин, М. В. Гришин, А. А. Кирсанкин, М. А. Кожушнер, В. С. Посвянский, В. А. Харитонов, Б. Р. Шуб> // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 9-10. - С. 51-60 : рис., табл. - Библиогр.: с. 60 (26 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПЛЕНКИ ТОНКИЕ ОКСИДНЫЕ -- МИКРОСКОП ТУННЕЛЬНЫЙ -- СТРУКТУРА -- ПЛЕНКИ -- СТМ Аннотация: В работе представлен способ определения локальных толщин и параметров электронной структуры тонких оксидных пленок, а также абсолютных значений расстояния между острием сканирующего туннельного микроскопа и поверхностью исследуемого образца |
В 88 Ву, Ш. Сканирующая микроволновая микроскопия: уникальный метод измерений в нанодиапазоне / Ш. Ву> // Наноиндустрия. - 2014. - № 3(49). - С. 34-39 : рис. - Библиогр.: с. 39 (7 назв.) . - ISSN 1993-8578 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ -- ИЗМЕРЕНИЕ Аннотация: Компания Agilent Technologies разработала новый измерительный метод – сканирующую микроволновую микроскопию (СММ), которая уже удостоена ряда престижных наград. СММ объединяет широкие возможности измерений электрических величин микроволновым векторным анализатором цепей (ВАЦ) с наноразмерным пространственным разрешением атомно-силового микроскопа (АСМ). Этот метод может эффективно применяться при проведении разнообразных исследовательских работ. |
Т 35 Терехов, А. И. Количественное измерение параметров научного сотрудничества: анализ публикаций по теме углеродных наноструктур / А. И. Терехов> // Нанотехнологии. Наука и производство. - 2014. - № 1 (28) . - ISSN 2306-0581 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): УГЛЕРОДНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ |