А 16 Абрамов, И. И. Моделирование металлических и полупроводниковых одноэлектронных приборных структур с учетом пространственного квантования на островках / И. И. Абрамов, А. Л. Баранов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 2-6 : рис. - Библиогр. : с. 6 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРУКТУРА ОДНОЭЛЕКТРОННАЯ ПРИБОРНАЯ -- КВАНТОВАНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЕ -- МОДЕЛЬ ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКАЯ Аннотация: Предложена модель одноэлектронных приборных структур, учитывающая эффект пространственного квантования на островках. Показано, что эффект может оказывать все более сильное влияние на вольт-амперные характеристики приборов с ростом числа островков и прикладываемых к ним смещений, а также уменьшением температуры окружающей среды |
А 16 Абрамов, И. И. Моделирование одноэлектронных приборных структур на основе молекул / И. И. Абрамов, А. Л. Баранов, И. Ю. Щербакова // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 10. - С. 18-20 : рис. - Библиогр. : с. 20 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОЛЕКУЛА -- СТРУКТУРА ПРИБОРНАЯ ОДНОЭЛЕКТРОННАЯ -- КВАНТОВАНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЕ Аннотация: Показана универсальность модели, разработанной в рамках предложенного подхода к моделированию одноэлектронных приборных структур. С этой целью доведен расчет вольт-амперных характеристик структур, включающих и молекулы |