И 73 Интроскопия квантовых наноэлектронных устройств / О. А. Ткаченко, В. А. Ткаченко [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 9-10. - С. 117-127 : рис. - Библиогр. : с. 127 (33 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): УСТРОЙСТВА НАНОЭЛЕКТРОННЫЕ КВАНТОВЫЕ -- ИНТРОСКОПИЯ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ -- КОНФИГУРАЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ Аннотация: Полупроводниковые квантовые наноэлектронные устройства являются одним из достижений современной физики и лабораторных нанотехнологий. Короткие тонкие токовые каналы формируются электрическими полями в двумерном электронном газе глубоко под поверхностью этих устройств. Реальную конфигурацию электрических полей и картину квантового транспорта в каналах можно увидеть (восстановить) лишь комбинированным экспериментально-вычислительным зондированием. В данной работе на примерах по изготовлению и исследованию наноустройств введено представление о вычислительной интроскопии, которая является органическим продолжением структурной и электрофизической диагностики и помогает восстанавливать картину скрытых процессов и явлений, происходящих в устройстве |