И 96 Ичкитидзе, Л. П. Сверхпроводниковый пленочный трансформатор магнитного потока с наноразмерными ветвями для датчика магнитного поля / Л. П. Ичкитидзе // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 27-29 : табл., схема. - Библиогр.: с. 29 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПОЛЕ МАГНИТНОЕ -- ТРАНСФОРМАТОР МАГНИТНОГО ПОТОКА -- ТРАНСФОРМАТОР ПЛЕНОЧНЫЙ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЙ -- МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ЭЛЕМЕНТ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ -- НАНОСТРУКТУРИРОВАНИЕ Аннотация: Рассматривается сверхпроводниковый пленочный трансформатор магнитного потока в форме кольца с суженной активной полосой, перекрывающей пленочный магниточувствительный элемент с гигантским магнитосопротивлением, отделенный с помощью изолирующей пленки. Показано, что микро- и наноструктурирование активной полосы в виде фрагментирования последней на параллельные сверхпроводящие ветви и прорези, имеющие микро- и нанометровые размеры, увеличивает в несколько раз фактор умножения трансформатора, т. е. концентрацию внешнего магнитного поля на магниточувствительном элементе, и, тем самым, повышает эффективность трансформатора и датчика магнитного поля <=10 пТл) |
О-75 Особенности применения магниторезистивных наноструктур в датчиках автомобильных электронных систем / В. А. Беспалов, Н. А. Дюжев, А. С. Юров, М. Ю. Чиненков, Н. С. Мазуркин // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 48-54. - Библиогр.: с. 54 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АНИЗОТРОПНОЕ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ДАТЧИК ОБОРОТОВ -- ДАТЧИК УГЛОВОГО ПОЛОЖЕНИЯ -- МАГНИТОРЕЗИСТОР -- НЭМС -- МЭМС Аннотация: Рассматриваются пути применения магниторезистивных наноструктур на основе анизотропных пленок пермаллоя Ni (80 %) Fe (20 %) в автомобильных датчиках. Чувствительный элемент датчиков представляет собой четыре магниторезистора в форме меандра, соединенных в мостовую схему. Характерная толщина слоя пермаллоя в экспериментальных образцах магниторезисторов составляет 50...100 нм. Приводятся характеристики экспериментальных образцов чувствительных элементов. Показана возможность использования подобных чувствительных элементов для построения датчиков оборотов и углового положения |
С 72 Спин-поляризованная токовая эмиссия в вакуум и переключение магнитного состояния тонких наноостровковых пленок / Г. Д. Демин, Н. А. Дюжев, А. Ф. Попков, М. Ю. Чиненков // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 4. - С. 24-30. - Библиогр.: с. 30 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СПИН-ПОЛЯРИЗОВАННОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ -- ВАКУУМНЫЙ ЗАЗОР -- ТОКОВОЕ ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЕ -- МАГНИТНАЯ НАНООСТРОВКОВАЯ СТРУКТУРА -- ТУННЕЛЬНОЕ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ТУННЕЛЬНАЯ СПИНОВАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ Аннотация: Исследуются особенности спин-поляризованного туннелирования через вакуумный зазор при инжекции электронов с магнитного покрытия катода на поверхность магнитных наноостровковых структур в режимах слабой и сильной полевой эмиссии. Обнаружено сильное влияние работы выхода и спинового расщепления магнитного катода на плотность протекающего туннельного тока, а также установлено существенное изменение характера спин-зависимого туннелирования при высоких напряжениях. Полученные теоретические оценки могут быть в дальнейшем использованы для реализации перемагничивания током спинового состояния магнитных наноостровковых пленок и разработки нового поколения высокоплотных запоминающих устройств, основанных на токовом переносе спина |