П 31 Печерская, Е. А. Структура интеллектуальной системы поддержки исследований параметров сегнетоэлектрических материалов / Е. А. Печерская, А. М. Метальников, А. В. Бобошко // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 6. - С. 21-24 : рис. - Библиогр. : с. 24 (21 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МАТЕРИАЛЫ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- СИСТЕМА ИНТЕЛЕКТУАЛЬНАЯ -- МЕТОД ИЗМЕРЕНИЙ -- ПОГРЕШНОСТЬ Аннотация: Приведена обобщенная структура многоагентной системы поддержки исследований материалов наноиндустрии на примере сегнетоэлектриков. Рассмотрено информационное наполнение многоцелевых банков знаний, служащее для обработки данных и принятия решений в процессах исследований |
М 54 Метод измерения тока переключения и диэлектрических параметров сегнетоэлектриков / Е. А. Печерская [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 1. - С. 24-26 : рис. - Библиогр. : с. 26 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТОК ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК -- ПОЛЯРИЗАЦИ\Я СПОНТАННАЯ -- МЕТОД ИЗМЕРЕНИЙ -- СХЕМА СОЙЕРА-ТАУЭРА Аннотация: Проанализирован метод косвенного измерения диэлектрических параметров сегнеmоэлекmриков, основанный на измерении временной зависимости тока переключения с помощью схемы Сойера-Тауэра. Приведены формулы для расчета времени переключения, активного сопротивления, обусловливающего потери энергии при спонтанной поляризации, емкости, поляризованносmи |