Инвентарный номер: нет.
   
   Л 17


   
    Лазерное получение коллоидных систем из наночастиц халькогенидов свинца и их осаждение на подложку с использованием капельной технологии / А. А. Антипов, С. М. Аракелян, С. В. Кутровская, А. О. Кучерик, А. А. Макаров, А. В. Осипов, С. П. Зимин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 11. - С. 34-38 : рис., табл. - Библиогр.: с. 38 (23 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РАСТВОР КОЛЛОИДНЫЙ -- МЕТОД МОНТЕ-КАРЛО -- ЧАСТИЦЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Аннотация: Представлены результаты по лазерному получению полупроводниковых наночастиц при непрерывном лазерном воздействии ближнего ИК диапазона (до 10 6 Вт/см 2) на массивный образец PbX в жидкости. Для высадки квантовых точек PbX на подложку рассмотрен метод капельного осаждения. С использованием имитационной модели описаны особенности формирования осажденного слоя в процессе испарения капли


Инвентарный номер: нет.
   
   Р 17


   
    Разработка технологии получения газочувствительного материала на основе пан с применением квантово-химических расчетов и метода Монте-Карло / М. М. Фалчари, Т. В. Семенистая, Н. К. Плуготоренко, П. Лу // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 8. - С. 34-40 : рис., табл. - Библиогр.: с. 40 (31 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИК -- РАСЧЕТЫ КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИЕ -- МЕТОД МОНТЕ-КАРЛО -- МАТЕРИАЛ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭНТРОПИЧЕСКОЕ -- ПЛЕНКИ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИЕ
Аннотация: Проведен расчет димера, тримера и тетрамера молекулы полиакрилонитрила (ПАН) с использованием квантово-химического метода. Проведено моделирование образования молекул ПАН методами Ванга—Ландау и энтропического моделирования Монте-Карло на основе модели с фиксированным валентным углом. Разработана технология получения газочувствительного материала на основе ПАН и Ag-содержащего ПАН. Получены электропроводящие пленки ПАН и Ag-содержащего ПАН методом пиролиза под действием некогерентного ИК излучения