Е 28 Еганова, Е. М. Электропроводность стеклообразных пленок As2Se3 / Е. М. Еганова // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 23-25 : рис. - Библиогр. : с. 25 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПЛЕНКИ As2Se3 -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- МИКРОПЛАЗМА Аннотация: Представлены результаты наблюдения микроплазм в пленках As2Se3, одного из широкозонных халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП), и исследования их свойств. Некоторые свойства микроплазм в аморфных пленках аналогичны свойствам микроплазм в p-n-переходах, однако имеются и отличия, которые не наблюдались в кристаллических материалах |
Л 27 Латохин, Д. В. Численное моделирование микроплазменного пробоя в полупроводниковых структурах / Д. В. Латохин, Э. Н. Воронков // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 26-29 : рис. - Библиогр.: с. 29 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ ЧИСЛЕННОЕ -- СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- МИКРОПЛАЗМА -- ПРОБОЙ -- ПРОВОДНИКИ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ПЛЕНКИ АМОРФНЫЕ Аннотация: Сообщается о численном моделировании микроплазм в неупорядоченных полупроводниковых структурах при условиях, аналогичных условиям возникновения микроплазменного пробоя в пленках As 2 Se 3 — одного из широкозонных халькогенидных стеклообразных полупроводников. Предложена модель, позволяющая описать процесс микроплазменного пробоя в аморфных пленках |