Инвентарный номер: нет.
   
   В 64


   
    Возможности формирования МЭМС-варакторов с электростатическим управлением в GaAs-технологии / П. П. Мальцев, А. П. Лисицкий, А. Ю. Павлов, Н. В. Щаврук, Н. В. Побойкина, В. Д. Хачатрян // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 28-33 : рис., табл. - Библиогр.: с. 33 (21 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВАРАКТОР -- ВАРАКТОР С ПЕРЕМЕННОЙ ПЛОЩАДЬЮ -- РАДИОЧАСТОТА -- ВАРАКТОР С ПЕРЕМЕННЫМ ДИЭЛЕКТРИКОМ -- СИСТЕМА НА КРИСТАЛЛЕ -- ВАРАКТОР С ПЕРЕМЕННЫМ ЗАЗОРОМ -- МИС -- МЭМС
Аннотация: Приведен обзор возможных технических решений варакторов, выполненных в виде конденсаторов переменной емкости по технологии микроэлектромеханических систем (МЭМС). Дана оценка пригодности этих решений и возможности их изготовления на подложках арсенида галлия в целях обеспечения интеграции МЭМС-варакторов с СВЧ приборами на одном кристалле с использованием одних технологических приемов. Данная интеграция позволит создавать систему на кристалле (СнК), что обеспечит экономическую выгоду и уменьшит размеры системы в целом


Инвентарный номер: нет.
   
   М 21


    Мальцев, П. П.
    Перспективы создания систем на кристалле для СВЧ и КВЧ диапазонов / П. П. Мальцев // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 40-48 : рис., табл. - Библиогр.: с. 48 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АНТЕННА -- СИСТЕМЫ НА КРИСТАЛЛЕ (СНК) -- АНТЕННЫ ИНТЕГРИРОВАННЫЕ -- УСИЛИТЕЛЬ -- мэмс-КОММУТАТОРЫ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРА -- МОНОЛИТНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
Аннотация: Показана возможность создания российских систем на кристалле (СнК) для СВЧ и КВЧ диапазонов частот, включающих интегрированные антенны, усилители, МЭМС-коммутаторы, преобразователи частоты и генераторы, управляемые напряжением. Все микросхемы производятся на основе единой базовой технологии изготовления монолитных интегральных схем с использованием РНЕМТ и МНЕМТ гетероструктур арсенида галлия, что позволяет интегрировать их в единую СнК, обеспечивающую малые потери в тракте между элементами системы, низкий уровень шумов и большую передаваемую мощность. Приведены измеренные характеристики полученных в ИСВЧПЭ РАН МИС в сравнении с зарубежными аналогами для диапазона от 5 до 60 ГГц


Инвентарный номер: нет.
   
   Р 24


   
    Расчет и изготовление узкополосного СВЧ микроэлектромеханического переключателя для частотного диапазона 10...12 ГГц на подложках арсенида галлия / П. П. Мальцев, М. В. Майтама, А. Ю. Павлов, Н. В. Щаврук // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 30-33. - Библиогр.: с. 33 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ (МЭМС) -- СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ -- РАСЧЕТ МЭМС-ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Аннотация: Рассмотрены вопросы проектирования и изготовления дискретных электростатических СВЧ переключателей на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС) на пластинах арсенида галлия и оценки возможности интегрирования их в общую схему с монолитными интегральными схемами (МИС) приемо-передающих устройств, изготовленных в едином производственном цикле