А 16 Абрамов, И. И. Моделирование резонансно-туннельного диода на основе Si/SiGe / И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 16-18 : рис. - Библиогр. : с. 18 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ ЧИСЛЕННОЕ -- ДИОД РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ -- МОДЕЛЬ ДВУХЗОННАЯ КОМБИНИРОВАННАЯ Аннотация: Показано, что с помощью разработанной комбинированной двухзонной модели резонансно-туннельных диодов могут быть получены удовлетворительные результаты согласования расчетов вольт-амперной характеристики с экспериментальными данными для структуры на основе Si/SiGe |
Л 27 Латохин, Д. В. Численное моделирование микроплазменного пробоя в полупроводниковых структурах / Д. В. Латохин, Э. Н. Воронков // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 26-29 : рис. - Библиогр.: с. 29 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ ЧИСЛЕННОЕ -- СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- МИКРОПЛАЗМА -- ПРОБОЙ -- ПРОВОДНИКИ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ПЛЕНКИ АМОРФНЫЕ Аннотация: Сообщается о численном моделировании микроплазм в неупорядоченных полупроводниковых структурах при условиях, аналогичных условиям возникновения микроплазменного пробоя в пленках As 2 Se 3 — одного из широкозонных халькогенидных стеклообразных полупроводников. Предложена модель, позволяющая описать процесс микроплазменного пробоя в аморфных пленках |