Х 12 Хабибуллин, Р. А. Технология создания наногетероструктур AL xGa 1 – xAs/In yGA 1 – yAs/Al xGa 1 – xAs на арсениде галлия / Р. А. Хабибуллин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 6-8 : рис. - Библиогр.: с. 8 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТРАНЗИСТОР ПОЛЕВОЙ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРА -- СЛОЙ БАРЬЕРНЫЙ ПОДЗАТВОРНЫЙ ТОНКИЙ Аннотация: Представлены разработка и исследование перспективного материала для наноэлектроники — наногетероструктур с приповерхностными квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьерным слоем. Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц. |
Р 17 Разработка и исследование фотопроводящих антенн на основе полупроводников группы А3В5, выращенных при пониженных температурах эпитаксиального роста / Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. В. Лаврухин, А. Э. Ячменев, Р. Р. Галиев, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, Ю. В. Федоров, А. С. Бугаев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 28-29 : граф., табл. - Библиогр.: с. 29 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРА -- А3В5 -- ГЕНЕРАЦИЯ И ДЕТЕКТИРОВАНИЕ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ -- МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ -- НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ Аннотация: Приведены результаты экспериментальных разработок в области создания перспективного материала для современной терагерцовой ЭКБ - низкотемпературного арсенида галлия, а также фотопроводящих антенн на его основе для генерации и детектирования терагерцового излучения. Разработаны и изготовлены антенны с различной топологией с максимальной частотой генерации ~2 ТГц |
Р 17 Разработка и исследование метаморфных InAlAs/InGaAs/InAlAs наногетероструктур на подложках GaAs для приборов миллиметрового диапазона длин волн / А. Э. Ячменев, А. С. Бугаев, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев, Г. Б. Галиев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 28-31 : рис., табл. - Библиогр.: с. 31 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРА -- АЗВ5 -- МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ Аннотация: Экспериментально исследована серия метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs с различным содержанием индия в метаморфном буферном слое (0,30...0,55). Разработан полевой транзистор с барьером Шоттки с периферией 2 ´ 50 мкм, длиной затвора 0,53 мкм и предельной частотой усиления по мощности f max = 200 ГГц |