Н 25 Нано-био: вирус как шаблон проводки [Текст] // Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 1. - С. 31
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПОЛИАНИЛИН -- НАНОПРОВОДА -- НАНО-БИО -- ПРОВОДЯЩИЕ ПОЛИМЕРЫ Аннотация: Ученые предложили с помощью вирусов собирать нанопровода из проводящих полимеров, таких как полианилин |
623 N 21 Nanowires and Nanobelts Materials, Properties and Devices [Text] / ed. by Z. L. Wang. - New York : Springer, 2006 - . Vol. 1 : Metal and Semiconductor Nanowires : научное издание. - 2006. - XIII, 475 p. : il. - ISBN 0-38728745-0 : 2585.00 р.
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ФИЗИКА--ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ |
623 N 21 Nanowires and Nanobelts Materials, Properties and Devices [Text] / ed. by Z. L. Wang. - New York : Springer, 2006 - . Vol. 2 : Nanowires and Nanobelts of Functional Materials : научное издание. - 2006. - XIII, 300 p. : il. - ISBN 0-387-28706-X : 2315.00 р.
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ФИЗИКА--ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ |
С 58 Создание металлических нанопроводов методом селективного удаления атомов и исследование их свойств / Б. А. Гурович [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2012. - № 1-2. - С. 41-45 : табл., рис. - Библиогр. : с. 45 (15 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОПРОВОДА -- МЕТОД СЕЛЕКТИВНОГО УДАЛЕНИЯ АТОМОВ -- ПЛЕНКИ МЕТАЛЛОВ -- ВИСМУТ Аннотация: В работе исследованы электрические свойства пленок металлов, восстановленных из оксидов методом селективного удаления атомов под действием протонного облучения. Установлено, что электрические характеристики восстановленных пленок соответствуют характеристикам осажденных пленок чистых металлов. Продемонстрирована возможность создания нанопроводов в матрице оксида методом облучения через маску из ПММА. Созданы единичные нанопровода, а также пары нанопроводов из висмута. Измерены электрические характеристики как отдельных нанопроводов, так и токи утечки между близко расположенными проводами. Показана возможность создания методом СУА изолированных нанопроводов на расстоянии 70 нм |
Р 17 Разработка ионно-пучкового метода изготовления кремниевых нанопроводов / Б. А. Гурович [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2012. - № 1-2. - С. 90-93 : рис. - Библиогр. : с. 93 (7 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОПРОВОДА -- НАНОПРОВОДА КРЕМНИЕВЫЕ -- ОБЛУЧЕНИЕ ИОННОЕ -- МАСКА ЛИТОГРАФИЧЕСКАЯ Аннотация: Предложен новый метод изготовления кремниевых нанопроводов на поверхности стандартной кремниевой пластины с помощью ионного облучения через литографическую маску. Изучены условия синтеза оксида кремния при облучении кремниевой подложки протонами с энергий ~1 кэВ. Продемонстрирована возможность синтеза оксида кремния в области геометрической тени под формируемым монокристаллическим кремниевым нанопроводом |
С 58 Создание монокристальных нанопроводов из кремния с использованием облучения ионами малых энергий / Б. А. Гурович, К. Е. Приходько, Д. А. Комаров, А. Н. Талденков // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 49-53 : рис. - Библиогр.: с. 53 (5 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОПРОВОДА -- КРЕМНИЙ -- МОНОКРИСТАЛЬНОСТЬ -- ИЗОЛЯЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ -- ТЕМПЕРАТУРА -- ОБЛУЧЕНИЕ ПЛАЗМЕННОЕ Аннотация: В работе предложен способ создания монокристальных кремниевых нанопроводов на поверхности кремниевой пластины путем формирования специально созданных протяженных структур с отрицательным углом наклона боковых стенок и последующего их окисления под действием облучения ионами кислорода малых энергий при температуре 400 °C. Форма и размеры структур подбирались таким образом, чтобы, во-первых, в процессе окисления центральная часть нанопровода не подвергалась модификации, сохраняя монокристальность и уровень легирования исходного кремния, а во-вторых, чтобы обеспечить электрическую изоляцию нанопровода от пластины. Исследована зависимость глубины окисления от температуры и длительности плазменного облучения, а также электрические свойства сформированного оксида |