Б 94 Бухараев, А. А. АСМ-метрология наночастиц, полученных электрохимическим осаждением / А. А. Бухараев, С. А. Зиганшина, А. П. Чукланов // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 87-94 : рис. - Библиогр. : с. 94 (19 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АСМ-МЕТРОЛОГИЯ НАНОЧАСТИЦ -- ЭФФЕКТ КОНВОЛЮЦИИ -- ОСАЖДЕНИЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ Аннотация: В данной работе рассматривается проблема получения на основании данных атомно-силовой микроскопии (АСМ) достоверной информации о распределении по размерам наночастиц, лежащих на неровной поверхности или слипшихся между собой. Предлагается метод для уменьшения искажающего влияния упомянутых выше факторов. Приводятся результаты моделирования, показывающие работоспособность разработанного алгоритма, а также результаты обработки экспериментальных АСМ-изображений наночастиц Ni, проявляющих каталитическую активность при электроокислении этанола. Оценивается влияние эффекта конволюции на наблюдаемые размеры и площадь наночастиц |
С 58 Создание интегральных компонентов усиления магнитного сигнала в беспроводной МЭМС на основе магниторезистивных элементов / В. В. Амеличев, В. В. Аравин, А. Н. Белов, А. Ю. Красюков, А. А. Резнев, А. Н. Сауров // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 29-33 : рис. - Библиогр.: с. 33 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЭМС БЕСПРОВОДНАЯ -- ПОЛЕ МАГНИТНОЕ -- ОСАЖДЕНИЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ -- ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ЭЛЕМЕНТЫ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ -- ПРИНЦИП ПОСТРОЕНИЯ -- ПЕРМАЛЛОЙ Аннотация: Представлены результаты создания интегральных компонентов усиления магнитного сигнала на основе пленок пермаллоя. Рассмотрены способы повышения чувствительности магниторезистивных преобразователей и построения на их основе беспроводных МЭМС с магнитной связью для передачи информации на малые расстояния. Приведены результаты моделирования распределения магнитного поля в полосках пермаллоя. Представлены результаты формирования концентраторов магнитного поля толщиной 10...11 мкм с помощью электрохимического осаждения |