К 72 Костров, А. И. Макромодель ячейки памяти с магнитным туннельным переходом / А. И. Костров> // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 7-11 : рис. - Библиогр. : с. 11 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Кл.слова (ненормированные): МАКРОМОДЕЛЬ -- ПЕРЕХОД МАГНИТНЫЙ ТУННЕЛЬНЫЙ -- ПАМЯТЬ МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ Аннотация: Предложены электрическая макромодель и эквивалентная схема ячейки магниторезистивной памяти на основе магнитного туннельного перехода, переключаемого спин-поляризованным током. В ней использованы нелинейные резисторы для представления параллельного и антипараллельного состояний намагниченности ферромагнитных слоев. Модель ориентирована на применение в системах компьютерного моделирования и проектирования интегральных микросхем. Ее точность и вычислительная эффективность продемонстрированы на примере элемента магниторезистивной памяти |
М 80 Морозов, А. И. Перемагничивание электрическим полем в двухслойной структуре ферромагнетик— магнитоэлектрик / А. И. Морозов, А. С. Сигов> // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 10-14 : рис. - Библиогр.: с. 14 (20 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МАГНИТОЭЛЕКТРИК -- НАНОСТРУКТУРЫ МНОГОСЛОЙНЫЕ -- ЗАПИСЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ -- ПАМЯТЬ МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ Аннотация: Исследованы условия, необходимые для разворота намагниченности ферромагнитного слоя путем приложения электрического поля к слою магнитоэлектрика BiFeO 3 в двухслойной обменно-связанной структуре. Показано, что такая процедура возможна только в случае, когда атомные плоскости феррита висмута, параллельные границе раздела слоев, являются скомпенсированными по спину плоскостями, например плоскостями типа (001) псевдокубической кристаллографической решетки |