К 72 Костров, А. И. Макромодель ячейки памяти с магнитным туннельным переходом / А. И. Костров> // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 7-11 : рис. - Библиогр. : с. 11 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Кл.слова (ненормированные): МАКРОМОДЕЛЬ -- ПЕРЕХОД МАГНИТНЫЙ ТУННЕЛЬНЫЙ -- ПАМЯТЬ МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ Аннотация: Предложены электрическая макромодель и эквивалентная схема ячейки магниторезистивной памяти на основе магнитного туннельного перехода, переключаемого спин-поляризованным током. В ней использованы нелинейные резисторы для представления параллельного и антипараллельного состояний намагниченности ферромагнитных слоев. Модель ориентирована на применение в системах компьютерного моделирования и проектирования интегральных микросхем. Ее точность и вычислительная эффективность продемонстрированы на примере элемента магниторезистивной памяти |